电子与封装

Electronics & Packaging


  • 提升我国半导体封装业发展的动能及方略

    于燮康

    <正>2004年是我国半导体产业高速发展之年,呈现出产销两旺的可喜景象。集成电路销售收入可望突破500亿元大关,达到540亿元左右,同比增长47.9%,集成电路产品产量将突破200亿块大关,达到220亿块左右,同比增长64%以上,尤其是中芯国际半导体制造(北京)有限公司300mm生产线的投产,更充分证明我国集成电路产业已登上新的台阶,在量的大发展上又有质的大提升。

    2005年06期 1-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 741k]
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  • 微电子金属封装温度场仿真系统研究

    谭艳辉,许纪倩,徐骏宇,陈娟

    本文讨论基于ANSYS平台,利用VC语言开发了一个专门针对微电子金属封装温度场仿真的系统。它可以对各种不同情况下的微电子金属封装进行温度场仿真并查看仿真结果。本系统中用VC语言编程实现了对ANSYS的封装,用户只需输入必要的前处理参数,就可以得出仿真结果,从而使不了解ANSYS的用户也可利用ANSYS的强大功能。

    2005年06期 8-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 377k]
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  • 基于NiPdAu PPF框架的QFN键合工艺研究

    李建国,杨洪波,朱彬

    本文首先介绍了NiPdAu PPF (Pre-platedFrame)框架的镀层结构以及键合机理。并针对QFN(Quad Flat Non-lead)封装类型,研究了基于PPF框架的键合工艺的优化,着重探讨了为增强第二焊点焊接强度所进行的工艺参数改进。

    2005年06期 12-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 279k]
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  • CSP引发内存封装技术的革命

    鲜飞

    本文简要介绍了几种内存芯片封装技术的特点。CSP是内存芯片封装技术的新概念,它的出现促进内存芯片的发展和革新,并将成为未来高性能内存的最佳选择

    2005年06期 16-18+15页 [查看摘要][在线阅读][下载 387k]
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  • EMC封装成形常见缺陷及其对策

    谢广超

    本文主要通过对EMC封装成形的过程中,常出现的问题(缺陷)——未填充、气孔、麻点、冲丝、开裂、溢料、粘模等,进行分析与研究,并提出行之有效的解决办法与对策。

    2005年06期 19-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 287k]
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  • 现代意法无锡芯片工厂顺利开工,年底将投产

    <正>江苏省最大的外商独资项目——现代-意法半导体超大规模集成电路项目日前在无锡开工。这个项目由世界第二大存储器制造商韩国现代(Hynix)半导体株式会社和全球五大半导体制造商之一的意法半导体公司(STMicroelectronics)共同投资20亿美元兴建,项目位于无锡市出口加工区,占地800亩,将建设8英寸晶圆生产线和12英寸晶圆生产线各一条,从事记忆芯片的制造、封装和测试。合资厂合资双方以股本形式进行融资(现代半导体67%,意法半导体33%),意法半导体还将提供2.5亿美元长期借贷,中国当地的金融机构还将提供债务和长期租

    2005年06期 22页 [查看摘要][在线阅读][下载 62k]
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  • 应用于DC-DC调整器的一种改进型电流检测技术

    宋利军,王虎刚

    电流检测是采用电流模控制方案的DC-DC调整器中最重要的技术之一。本文首先列举了目前较为常用的几种典型电流检测电路,同时对它们的优、缺点进行了分析,最后给出了一种改进型的电流检测电路。改进后的检测电路能够对功率管中的电流进行精确的检测,同时该检测电路非常适合在集成电路中使用。

    2005年06期 23-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 147k]
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  • 深亚微米CMOS IC全芯片ESD保护技术

    臧佳锋,薛忠杰

    CMOS工艺发展到深亚微米阶段,芯片的静电放电(ESD)保护能力受到了更大的限制。因此,需要采取更加有效而且可靠的ESD保护措施。基于改进的SCR器件和STFOD结构,本文提出了一种新颖的全芯片ESD保护架构,这种架构提高了整个芯片的抗ESD能力,节省了芯片面积,达到了对整个芯片提供全方位ESD保护的目的。

    2005年06期 26-30+7页 [查看摘要][在线阅读][下载 458k]
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  • VLSI电源/地网设计方法

    严文芳,马琪

    对芯片有效供电的电源/地网设计在VLSI设计中非常重要。电源/地网布线设计方法可分成建立电源/地网拓扑结构、在已有拓扑结构及约束条件的基础上进行线宽优化等两步。本文简要介绍了电源/地网拓扑生成、线宽优化算法的研究进展,并指出了这些算法存在的一些问题。

    2005年06期 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 278k]
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  • 0.8μm PD SOI MOS器件研究

    肖志强,洪根深,张波

    本文重点介绍了0.8μm PD SOI MOS器件的结构、KINK效应、热载流子效应和自加热效应等,并对这些特性从物理机理上进行了简要的阐述。

    2005年06期 35-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 371k]
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  • 智能调控开关稳压电源

    欧谷平,刘旺东

    本文论述了通过单片计算机系统的检测比较,驱动数字电位器自动调节输出电压为键盘键入电压值,实现稳压电源精密输出和智能调控。

    2005年06期 40-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 144k]
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  • Intel中国封装技术研发中心成立专家阐述行业现状与趋势

    刘林发

    <正>5月12日,Intel中国封装技术研发中心与英特尔技术开发(上海)有限公司同时宣布成立,Intel中国封装技术研发中心成为英特尔技术开发(上海)有限公司三个同时宣布成立的研发中心的重要组成部分。这三个研发中心分别是快闪存储器研发中心、封装技术研发中心和用户平台研发中心。

    2005年06期 43-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 182k]
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  • 信息报道

    <正>由中国半导体行业协会主办、中国半导体行业协会封装分会承办、江苏中电华威电子股份有限公司和《电子专用设备》杂志社协办的2005年中国半导体封装发展与市场研讨会于2005年5月27至29日在江苏省连云港市隆重召开。来自北京、上海、江苏、浙江、广东、深圳、安徽、甘肃、沈阳、大连、台湾等地区以及日本、美国、比利时、德国、意大利、法国、新加坡等国家的知名电子封装公司企业、科研机构和著名高校近300名专家学者出席了本次会议。会议由中国半导体行业协会封装分会常务副秘书长罗浩平主持,中国半导体行业协会副理事长、

    2005年06期 44-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 306k]
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