电子与封装

Electronics & Packaging


  • 薄膜高密度互连技术及其应用

    云振新;

    高密度互连(HDI)基片在微电子集成技术中用来缩小尺寸、减轻重量和提高电气性能。薄膜技术是获得高密度互连的最佳技术。文章介绍了薄膜高密度互连技术的概念、特点、设计与工艺考虑,并指出其主要领域的应用情况。

    2006年04期 1-5+14页 [查看摘要][在线阅读][下载 710K]
    [下载次数:127 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:5 ] |[阅读次数:20 ]
  • 无铅焊料的新发展

    鲜飞;

    传统焊接技术使用锡铅焊料,对环境造成严重伤害。文章从环保角度出发,阐述了应用无铅焊料的必然性,并介绍了无铅焊料近几年的发展,指出现阶段无铅焊料离市场要求还有一定差距, 需进一步加强研究与开发。

    2006年04期 6-9页 [查看摘要][在线阅读][下载 281K]
    [下载次数:442 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:27 ] |[阅读次数:29 ]
  • Sn-Zn系无铅焊料研究和亟待解决的问题

    肖盈盈;周健;薛烽;孙扬善;张文典;

    文章介绍了无铅焊料研究的趋势及Sn-Zn系焊料研究取得的最新进展,分析了Sn-Zn系焊料与Sn-Ag系焊料研究的差距。最后,文章还总结了Sn-Zn系焊料研究面临的困难,找出了存在于基础研究和应用研究领域的若干问题,指出Sn-Zn系焊料的研究还需要更加深入。

    2006年04期 10-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 340K]
    [下载次数:445 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:16 ] |[阅读次数:18 ]
  • 无铅封装认证

    蔡荭;

    电子产品向无铅化转变是大势所趋。但电子产品无铅焊料的回流温度比有铅焊料高40℃左右,这会导致产品的金属间化合物生长加速和潮气等级降低。在实现从有铅到无铅的转变前,需要对相关的材料进行认证,以保证产品能够满足用户需要。文章主要讨论了无铅封装材料的认证问题。

    2006年04期 15-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 530K]
    [下载次数:60 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:18 ]
  • MOEMS器件技术与封装

    罗雁横;张瑞君;

    微光电子机械系统(MOEMS)已经在业界受到研究人员和相关人士的极大关注。文章介绍了MOEMS器件,主要就其制作工艺和封装技术做了讨论。其中,文章着重详细介绍了微光电子机械系统器件的封装工艺和相关技术。

    2006年04期 18-22+17页 [查看摘要][在线阅读][下载 938K]
    [下载次数:236 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:2 ] |[阅读次数:26 ]
  • 单片机闪存的控制单元设计

    郑于桦;殷瑞祥;

    一般对单片机Flash的擦写有三种方法:ISP、IAP技术和编程器,而它们都需要一个硬件控制单元来实现对Flash的控制操作。文章提出一种Flash控制单元硬件电路的设计及其实现的方法, 利用Synopsys的综合仿真工具对设计进行仿真,结果表明设计的控制电路能实现对Flash的完全操作。

    2006年04期 23-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 533K]
    [下载次数:88 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:3 ] |[阅读次数:19 ]
  • 亚微米CMOS电路中V_(DD)-V_(SS)ESD保护结构的设计

    蒋红利;刘明峰;于宗光;

    文章根据一个实际电路中ESD保护结构的设计,引出了一种亚微米CMOS IC中基于RC延迟而设计的VDD-VSS之间直接电压钳位结构,并结合例子中此结构前后的修改优化对该结构进行了详细的仿真分析。进一步比较了两种VDD-VSS电压钳位结构的优劣。最后阐述了亚微米CMOS电路的设计中,全芯片ESD结构的有效设计。

    2006年04期 27-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 955K]
    [下载次数:167 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:28 ]
  • 电流控制模式开关变换器研究

    辛伊波;赵顺东;

    文章对开关变换器的电流型反馈控制模式的基本原理、斜坡补偿的效果以及控制电路特点进行了讨论,分析了其优缺点。对电流型控制模式的不足之处,通过分析给出了解决办法。最后给出不同应用电路反馈控制类型的选取原则。

    2006年04期 33-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 226K]
    [下载次数:147 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:4 ] |[阅读次数:22 ]
  • MOS管器件击穿机理分析

    郑若成;

    讨论了MOS管击穿的分类,以及击穿时场强分布情况,在此基础上,列举和分析了MOS 管击穿的发生区域,主要是结击穿和漏区击穿。文章对雪崩击穿和穿通击穿机理进行了描述,并对 MOS管开启击穿进行了分析。

    2006年04期 36-39+35页 [查看摘要][在线阅读][下载 567K]
    [下载次数:493 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:3 ] |[阅读次数:18 ]
  • ATmega103单片机在FH系统中的应用

    甘明;周兴建;

    文章介绍了ATMEL公司的高性能AVR单片机ATmega103的主要性能特点,及其在FH系统数字信号处理模块中的应用。其中详细介绍了片内同步串行SPI的使用,给出了SPI的通信应用程序。该设计方案经过软硬件调试,表明ATmega103单片机在资源和功能上较89C5X系列有了很大提高。

    2006年04期 40-42+9页 [查看摘要][在线阅读][下载 225K]
    [下载次数:43 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:25 ]
  • 霍尼韦尔提出半导体支撑业中国战略——访霍尼韦尔特殊材料部亚太区电子材料部商务总监郭泰隆先生

    郭泰隆;陈春梅;刘林发;

    <正>世界五百强企业之一的美国霍尼韦尔公司为多元化跨国公司,产品涉及航空航天、自动控制、交通及特种材料等众多领域,特种材料集团为其下属的重要战略业务集团,并在中国已有成熟发展,产品广泛用于电子制造、封装、组装各领域。本刊记者有幸在2006中国半导体市场年会上采访到

    2006年04期 43-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 146K]
    [下载次数:44 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:17 ]
  • 信息报道

    <正>为了进一步简化嵌入式系统的设计,Actel公司计划推出扩展的设计基建,为其单芯片M7AFS器件——即公司屡获殊荣的混合信号Fusion融合可编程系统芯片(PSC)的 ARM7使能版本——提供最全面的支持。

    2006年04期 44-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 347K]
    [下载次数:10 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:8 ]
  • 下载本期数据