电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 晶圆针测技术的异常问题分析与研究

    罗士凯;汪辉;

    在晶圆探针测试当中,常会由于测试环境或是针测机台参数的改变,使得针痕不正常偏移并打出开窗区,造成测试时的误宰,因而造成公司的损失。文章将就晶圆针测中,由于温度变化所造成的不正常针痕偏移进行分析与研究。

    2007年09期 No.53 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 1596K]
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  • 一种新型低峰值功耗的BIST设计研究

    刘建军;刘伟;康跃明;

    随着手持设备的兴起和芯片对晶片测试的要求越来越高,内建自测试的功耗问题引起了越来越多人的关注。文章对目前内建自测试的可测性设计技术进行了分析,并提出了折叠种子优化降低节点峰值功耗的模型,通过调整种子结构和测试向量的相关性的办法来避免过高的SoC测试峰值功耗。采取了屏蔽无效测试模式生成、提高应用测试向量之间的相关性以及并行加载向量等综合手段来控制测试应用,使得测试时测试向量的输入跳变显著降低,从而大幅度降低节点的峰值功耗。实验结果表明,该方案可以有效地避免BIST并行执行可能带来的过高峰值功耗。

    2007年09期 No.53 4-7+33页 [查看摘要][在线阅读][下载 3063K]
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信息报道

  • 集成背光、闪光和LDO的单片多功能LED驱动器简化照明电路设计

    本刊通讯员;

    <正>专为移动消费电子设备提供电源管理半导体器件的开发商研诺逻辑科技有限公司,日前宣布推出两款最新高性能电荷泵产品,它们可帮助设计人员设计出体积大幅度缩小、功能更多的移动手机。这两款编号AAT2846和AAT2856的器件在4mm×4mm封装内,集成了背光驱动器、强电流闪光驱动器和两个通用低压差线性稳压器(LDOs)。为避免在饱受空间限制的便携应用中采用多枚芯片,这两款新器件通过独立的单线数字接口提供背光和闪光电流驱动的单独控制功能,实现了设计灵活性的最大化。

    2007年09期 No.53 3页 [查看摘要][在线阅读][下载 529K]
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  • 奇梦达扩展与中芯国际技术合作协议

    本刊通讯员;

    <正>全球领先的存储产品供货商奇梦达公司与中芯国际集成电路制造有限公司——世界领先的集成电路芯片代工公司之一,于8月21日宣布签署协议,扩大双方于标准内存芯片(DRAM)的技术合作。

    2007年09期 No.53 11页 [查看摘要][在线阅读][下载 199K]
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  • 欧胜收购Sonaptic有限公司

    本刊通讯员;

    <正>欧胜微电子有限公司日前宣布:欧胜通过获得世界一流的声学技术,将为消费电子设备赋予令人兴奋的全新用户体验,进一步巩固了公司在混合信号音频领域内的领导地位。

    2007年09期 No.53 39页 [查看摘要][在线阅读][下载 512K]
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  • 信息报道

    <正>环球仪器提出"创造优势、提高技术、快速反应"为中国EMS企业致胜之道环球仪器亚洲区市场经理朱英新先生日前在出席由《SMT China》杂志社主办、励展博览集团支持的论坛上指出,中国的EMS及SMT企业要以"创造优势、提高技术、快速反应"为发展策略,方能在竞争越来越激烈的市场中胜出。

    2007年09期 No.53 43-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 31K]
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电路设计

  • 基于FPGA的4k点基-16 FFT模块的实现

    苏彦鹏;张汉富;韩磊;

    针对高速实时处理的要求,提出了4096点快速傅立叶变换(FFT)模块在现场可编程门阵列(FPGA)中的设计和实现。在运算模块中,基于按频率抽取基-4算法提出了一种新型的基-16蝶型算法,并采用八级流水结构和四路转换器来实现。本文采用块浮点和循环存储结构,避免了溢出和节省了大量的硬件资源。实验结果表明,该方法在保证了运算精度和实现复杂度的同时,使运算速度相对于基-4算法提高了1倍。

    2007年09期 No.53 8-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 2752K]
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  • 基于改进的混合压缩结构的Wallace树设计

    邵磊;张树丹;于宗光;

    文章针对典型的32位浮点乘法器,对Booth算法产生的部分积重新分组,采用CSA和4-2压缩器的混合电路结构,对传统的Wallace树型乘法器进行改进,并提出一种高速的树型乘法器阵列结构。该结构与传统的Wallace树型相比,具有更小的延时、更规整的布局布线,使其更易于VLSI实现。

    2007年09期 No.53 12-14+18页 [查看摘要][在线阅读][下载 2871K]
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  • 锁相环频率合成器中的电荷泵设计

    薛红;李智群;王志功;

    用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一种电荷泵电路。传统的电荷泵电路中充放电电流有较大的电流失配,文章采用与电源无关的基准电流源电路,运用运算放大器和自偏置高摆幅共源共栅电流镜电路实现了充放电电流的高度匹配。仿真结果表明:电源电压1.8V时,电荷泵电流为0.5mA;在0.3V~1.6V输出电压范围内电流失配小于1μA,功耗为6.8mW。

    2007年09期 No.53 15-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 3556K]
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  • TMS320F240 DSP控制器的串行通信设计

    徐新宇;张猛华;

    TMS320F240是TI公司的TMS320C2x型16位定点数字信号处理器的DSP控制器,其外设异步串行通信接口因其结构简洁、使用方便,因而在DSP通讯中获得广泛的应用。文章简要介绍了TMS320F240的SCI电路的结构与工作原理,论述了一种通过DSP软件编程实现PC机与DSP间通讯的方法,并设计了通讯结果显示电路,实时监控数据的收发。此设计已通过实践检验,证明其方案可靠,具有很好的参考价值。

    2007年09期 No.53 19-21+29页 [查看摘要][在线阅读][下载 2918K]
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微电子制造与可靠性

  • 基于0.5μm CMOS集成电路高低压兼容技术研究

    刘允;赵文彬;

    将高压MOSFETs器件集成到低压CMOS数字和模拟电路中的应用越来越频繁。文章参考了Parpia提出结构,将高压NMOS、PMOS器件制作在商用3.3V/5V 0.5μmN-阱CMOS工艺中,没有增加任何工艺步骤,也没有较复杂BiCMOS工艺中用到的P-阱、P+、N+埋层,使用了PT注入。通过对设计结构的PCM测试,可以得到高压大电流的NMOS管BVdssn>23V~25V,P管击穿BVdssp>19V。同时,文章也提供了高压器件的设计思路和结果描述。

    2007年09期 No.53 22-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 3524K]
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  • EEPROM电路中的等离子体损伤分析

    肖纯烨;徐政;

    文章讨论了等离子体损伤造成的EEPROM电路失效,从隧道氧化层质量、器件结构、PECVD、等离子体腐蚀几方面分析了工艺中造成等离子体损伤的原因。分析结论得出金属腐蚀工艺中存在的天线效应和电子阴影效应对隧道氧化层质量有决定性影响。

    2007年09期 No.53 26-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 1493K]
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  • 负偏压不稳定性的危害及防治

    任佳栋;汪辉;陆峰;

    负偏压不稳定性(NBTI)已成为现代集成电路制造的巨大挑战。文章将讨论负偏压不稳定性对器件及电路的影响,并对影响负偏压不稳定性的集成电路制造步骤进行分析。最后,我们找到一些对现有工艺进行改进的方法来减小负偏压不稳定性。

    2007年09期 No.53 30-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 324K]
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  • 漏率公式与判据和内部气体含量的分析研究(一)

    王庚林;王莉研;董立军;

    在对氦质谱细检漏漏率公式的分析和对密封腔体内外气体交换过程公式的推演中,以氦气标准漏率LHe代替等效标准漏率L,引用了氦气交换时间常数τHe,使公式更为真实和简单直观。通过漏率偏差的分析和内部气体含量的计算表明,能够应用文中的公式对密封腔体内外气体的交换过程进行工程计算。计算分析了现行某些标准中各种试验条件漏率判据所对应的τHe,着重指出漏率符合接收判据并不能有效保证内部水汽含量要求。讨论了这些标准中进行的改进、存在的密封性等级及进一步改进的必要,并提出了建议进行研究的内容。

    2007年09期 No.53 34-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 5793K]
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产品、应用与市场

  • 简析影响PIP制程中良品率的主要因素及后果

    牟淑贤;石启军;

    PIP制程逐渐成为电子行业焊接不规则零件的主流.但PIP制程仍然会发生大量的制程的不良现象,从而降低了产品的良品率.本文列举了PIP生产过程中引起的多种与质量有关的不良现象及产生的原因,并对这些不良因素产生后果进行简单的分析,同时以生产中实例图片来补充说明PIP制程中的不良因素对良品率的影响。

    2007年09期 No.53 40-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 559K]
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  • 关于召开中国电子学会第十三届青年学术年会暨中国国际集成电路创意与应用产业论坛通知

    <正>各有关单位:中国电子学会青年学术年会是业内青年一年一度学术交流、沟通、合作、创新的盛会,在总会和分会的正确领导下,在业界各兄弟单位和有关学者专家的大力支持下,中国电子学会青年学术年会已经成功地举办了十二届,其规模一年比一年盛大,水平一年比一年居高,每届都吸引了大批的国内外高校、研究所、电子制造企业、材料设备生产企业踊跃参加,为我国电子领域的青年科研技术人员共同探讨新技术、新思想提供了交流与合作的新平台,成为业界知名品牌。

    2007年09期 No.53 47-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 3042K]
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