电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • Low K芯片引线键合工艺计算机仿真与参数优化

    黄卫东;

    Low K材料具有较高的脆性,在芯片封装测试过程中容易被损坏,因而Cu/low-K的结构的引入对芯片的封装工艺提出了很大的挑战。文章中提出引线键合工艺中冲击阶段的近似数学模型,由计算机仿真结果证实该理论模型的合理性。通过对计算机仿真结果的分析得到优化的Low K芯片引线键合工艺参数设置范围,实验设计的优化结果表明本研究提出的计算机仿真优化方法是有效的。

    2008年02期 No.58 1-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 1350K]
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  • 倒装芯片下填充工艺的新进展(二)

    郭大琪;黄强;

    为了增加在有机基板上倒装芯片安装的可靠性,在芯片安装后,通常都要进行下填充。下填充的目的是为了重新分配由于硅芯片和有机衬底间热膨胀系数失配产生的热应力。然而,仅仅依靠填充树脂毛细管流动的传统下填充工艺存在一些缺点。为了克服这些缺点,人们研究出了一些新的材料和开发出了一些新的工艺。

    2008年02期 No.58 6-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 256K]
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  • 本土IC封测业面临的挑战

    翁寿松;

    2006年中国大陆封测业销售额496.6亿元,比2005年增长了44%,占2006年中国IC产业销售额的50.8%,未达到国际公认的设计业∶制造业∶封测业=30%∶40%∶30%的要求。目前大陆IC封装以中低端DIP、SOP(SSOP、TSOP)、QFP(LQFP、TQFP)为主,正在向高附加值、多引脚数QFP、MCM(MCP)、BGA、CSP、SiP、PiP、PoP等中高端封装过渡。近年来,本土封装在技术上的某些领域有所突破,如江阴长电FBP、南通富士通MCM(MCP)、BGA、中电科技第13所CBGA等,但是仍面临着全球IC大厂、IC封测厂、产能、技术和人才等多方面的挑战,只有正视这些挑战,采取积极措施,克服弊端,才能进步。文章最后得出结论,未来5年,中国IC封测业有可能成为全球最大的半导体封测基地。

    2008年02期 No.58 9-11+28页 [查看摘要][在线阅读][下载 1115K]
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  • ANSYS在多芯片组件仿真设计中的最新应用进展

    李兵;陈雪峰;赵大伟;何正嘉;

    多芯片组件MCM(Multi Chip Module)是近年来迅速发展的一种电子封装技术。随着芯片封装密度的增加,计算机辅助设计CAE技术对其可靠性进行仿真分析显得越来越重要。文章综合介绍了ANSYS软件在MCM器件仿真设计中的最新应用进展,然后详细介绍了ANSYS软件在MCM封装、焊点疲劳和跌落分析中的应用情况。

    2008年02期 No.58 12-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 45K]
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  • 大功率白光LED封装技术面临的挑战

    田大垒;王杏;关荣锋;

    发光二极管(LED)是一类可直接将电能转化为可见光和热等辐射能的发光器件,具有一系列优异特性,被认为是最有可能进入普通照明领域的一种"绿色照明光源"。目前市场上功率型LED还远达不到家庭日常照明的要求。封装技术是决定LED进入普通照明领域的关键技术之一。文章对LED芯片的最新研究成果以及封装的作用做了简单介绍,重点论述了封装的关键技术,包括共晶焊接、倒装焊接以及散热技术,最后指出了未来LED封装技术的发展趋势及面临的挑战。

    2008年02期 No.58 16-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 113K]
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电路设计

  • 一种32位DSP cache存储器设计

    杨向峰;陶建中;

    在一种DSP指令cache的设计中,采用全定制的设计方法,利用0.25μm的CMOS库设计了cache存储器。利用逻辑努力和分支努力的概念优化设计了译码电路,一方面保证了译码器的速度,另一方面减小系统的功耗。并且根据正反馈原理设计了一种差分灵敏放大器,有效地减小了存储器的功耗。电路工作在100MHz的时钟频率下,读写周期的平均动态功耗为25mW。

    2008年02期 No.58 20-22+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 1123K]
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微电子制造与可靠性

  • 与5V CMOS标准工艺兼容的20V N-CDMOS器件研究

    杨万青;李冰;韩广涛;

    文章主要介绍了在0.5μm5V CMOS标准制造工艺的基础上,不改变其工艺制造流程及其掺杂浓度,借助Synopsys模拟软件详细分析讨论了高压N-CDMOS器件的漂移区长度、沟道长度与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟和实验设计,最终获得20V高压N-CDMOS最优化的器件结构与工艺参数。其制造工艺与现有5V低压工艺完全兼容,工艺简单、集成度高,可广泛应用于功率器件的芯片上。

    2008年02期 No.58 23-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 1060K]
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  • 大马士革铜阻挡氮化硅薄膜沉积工艺优化研究

    邱振宇;程秀兰;

    在铜大马士革(Damascene)工艺中,为避免由于铜向FSG中扩散所致电迁移的问题,需要在铜表面沉积一层氮化硅作为隔离铜和随后的介电材料的直接接触,通常人们使用HDP-CVD来沉积该氮化硅层。但针对HDP-CVD沉积速率快和工艺设备成本高等问题,文中研究了一种优化了的PECVD氮化硅沉积工艺来取代HDP-CVD氮化硅工艺。优化主要包含硬件改进和工艺参数调整。硬件改进主要通过引入锥形阴极盘面代替传统的直通形阴极盘面,以实现气体分子的更有效电离。在工艺参数上从RF功率、SiH4流量等方面也有所调整。优化后形成的氮化硅薄膜与HDP-CVD氮化硅薄膜性能非常接近,完全符合大马士革工艺的要求。同时氮化硅薄膜的沉积速率也有明显提高,工艺成本随之降低。

    2008年02期 No.58 29-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 331K]
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  • 半导体电浆制程的危害及防治

    周庆萍;黄琪煜;陆峰;

    随着半导体制造技术推进到更加先进的深亚微米技术,电浆已被越来越广泛的应用在半导体的制造过程中。由于电浆环境充斥着高能量的粒子和带电的离子及电子,所以对半导体元件结构有潜在性的破坏效应。而这种破坏效应主要是对栅极氧化层的电性损伤,进而影响器件的良率及可靠性。因此我们必须要了解电浆损伤的成因及科学的侦侧方法,并在此基础上试图找到一些方法防止电浆损伤的发生。文章讨论了半导体电浆制程对器件的危害及防治措施。

    2008年02期 No.58 33-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 614K]
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  • 深槽TVS研究

    倪凯彬;

    以静电放电(ESD)以及其他一些电压浪涌形式随机出现的瞬态电压,通常存在于各种电子器件中。随着半导体器件日益趋向小型化、高密度和多功能,电子器件越来越容易受到电压浪涌的影响,甚至导致致命的伤害。从静电放电到闪电等各种电压浪涌都能诱导瞬态电流尖峰,瞬态电压抑制器(TVS)通常用来保护敏感电路受到浪涌的冲击。基于不同的应用,瞬态电压抑制器可以通过改变浪涌放电通路和自身的箝位电压来起到电路保护作用。为了节省芯片面积,并且获得更高的抗浪涌能力,深槽TVS的概念已经被提出和研究。深槽TVS的结面形成于纵向的深槽的侧壁,这样,在相同的芯片面积下,它有更多的有效结面积,即更强的放电能力。我们也可以预见,深槽TVS的小封装尺寸对应用于保护高端IC非常关键。

    2008年02期 No.58 37-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 466K]
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信息报道

  • 欧胜增强型soundware技术可提供更好的耳塞式耳机性能

    本刊通讯员;

    <正>欧胜微电子近日宣布,Audio-Technica已经为其最新的耳机系列QuietPoint ATH-ANC3选用了欧胜的全新主动噪音消除(ANC)技术。欧胜独创的ANC技术可有效地降低环境噪音,允许用户在噪音环境下欣赏音乐,而无需将音量调至过大。与传统的ANC解决方案相比,欧胜的新技

    2008年02期 No.58 32页 [查看摘要][在线阅读][下载 78K]
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  • iNEMI上海代表处开幕增强在中国的合作规划业内专家关注环境法规、元件小型化、可靠性和质量问题

    本刊通讯员;

    <正>2008年1月16日,超过100名电子工业业内精英参加了国际电子生产商联盟(iNEMI)的上海代表处开幕活动。iNEIMI是由行业领导的全球性组织,致力推动电子制造业的发展,总部位于美国,由70多家国际电子生产商、供应商、行业协会和组织、政府和大学组成。

    2008年02期 No.58 47页 [查看摘要][在线阅读][下载 13K]
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  • ProtoDesign公司选择得可ELAi平台

    本刊通讯员;

    <正>成立于1991年美国纽约州的尤蒂卡,位于密歇根的ProtoDesign公司是一家精于个性化设计和生产方法、拥有卓越产品质量和关注细节完美的设计和电子服务公司。为包括医药、工业、安全和公用事业的多元市场提供设计和制造服务的ProtoDesign,是一家专营短期产品设计和生产原型的中型制造公司。ProtoDesign自动生产线的ELAi增添,将

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  • FSI国际宣布在硅化物形成步骤中的金属剥离技术取得突破

    本刊通讯员;

    <正>FSI国际有限公司近日宣布,公司已成功地采用FSIViPRTM技术在自对准多晶硅化物形成后去除了未反应的金属薄膜。通过实现这一新的工艺,IC制造商可以在钴、镍和镍铂硅化物集成过程中,大幅度减少化学品的使用和降低对资金的要求。新订购的FSI ZETA Spray Cleaning System喷雾式清洗系统中已经采用了FSI ViPRTM技术,并将用于升级最近已经在生产现场安装的系统。

    2008年02期 No.58 47页 [查看摘要][在线阅读][下载 13K]
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  • 《电子与封装》杂志征稿启事

    <正>《电子与封装》杂志是目前国内唯一一本全面报道封装与测试技术、半导体器件和IC的设计与制造技术、产品与应用以及前沿技术、市场信息等的技术性刊物,是中国电子学会生产技术学分会(电子封装专业)会刊、中国半导体行业协会封装分会会刊。为促进我国封装测试专业技术水平的提高和生产技术的发展,加强技术交流和信息沟通,特向广大读者和有关专业人员诚征下列内容稿件:

    2008年02期 No.58 48页 [查看摘要][在线阅读][下载 7K]
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产品、应用与市场

  • 纳米二氧化硅对镀银铜粉导电性能的影响研究

    李雅;秦会斌;徐军明;

    文章研究了纳米SiO2作为涂料添加剂对丙烯酸树脂导电涂料导电性能的影响,测试了加入不同量纳米SiO2时涂层的体积电阻;用扫描电镜观察了导电涂层的表面及截面形貌,用XRD研究了镀银铜粉的结构特性。结果表明在镀银铜粉涂料中加入适量的纳米SiO2可以提高其导电性能,同时还观察到纳米SiO2可以加快涂料的固化速度,增加膜层与基板的结合度。

    2008年02期 No.58 40-42+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 630K]
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  • 基于FPGA伪随机码发生器的实现

    章潋;秦会斌;

    文章讨论了在FPGA上利用线性反馈移位寄存器实现伪随机码发生器的方法,运用VHDL语言描述各部分的设计,这样不但利于随时修改而且还节省了设计的周期和简化了整个设计。此设计以Altera公司的QuartusII为开发平台,经逻辑综合、布局布线后,适配到FPGA芯片中,给出了仿真结果,最后还给出了在示波器上显示的波形及其相关的分析。

    2008年02期 No.58 43-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 985K]
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