电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 平行缝焊与盖板

    侯正军;宋备刚;丁鹏;

    在一些特殊环境条件下使用的各种电子元器件,需要进行密封封装,以防止器件中的电路因潮气、大气中的离子、腐蚀气氛的浸蚀等引起失效。另外在封装时可以充以保护气体来降低封装环境湿度,进行气密性封装以延长器件的使用时间。文章通过在SSEC(Solid State Equipment Company)M-2300型平行缝焊机上进行缝焊实验发现,盖板与平行缝焊的关系是相当重要的。在管座性能稳定的情况下,盖板质量的好坏直接影响着器件的气密性。

    2008年08期 No.64 1-4+8页 [查看摘要][在线阅读][下载 116K]
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  • 浅谈Sn-Ag-Cu无铅焊料的可靠性

    侯瑞田;

    随着电子组装技术的发展,电子产品在制造过程中使用的焊料也随之更新换代,由原来的使用锡铅焊料改为使用无铅焊料,特别是Sn-Ag-Cu焊料,以满足WEEE和RoHS指令以及其他方面的要求。然而,使用无铅焊料却带来了一系列的问题,这些问题自然影响到产品的可靠性和使用寿命,因此,成为业界最关注的热点问题。文章主要讨论了Sn-Ag-Cu焊料的可靠性等问题。

    2008年08期 No.64 5-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 92K]
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  • PBGA向FBGA转变过程中的挑战

    王廷青;

    文章论述了微电子封装技术的现状与发展趋势。介绍了两种高密度集成电路封装形式:PBGA和FBGA的特性和应用。论述了高密度产品由FBGA替代PBGA封装过程中遇到的主要问题,并从焊线、锡球和PCB的电路线设计三个方面给出了短路的解决方法。同时,通过实例,比较了PBGA和FBGA封装工艺流程、封装所用主要材料、基板布局设计和产品的外形尺寸等。最后,给出了FBGA与PBGA相比较带来的经济效益和技术优势,以及FBGA替代PBGA产品的封装合格率和测试合格率。

    2008年08期 No.64 9-12+17页 [查看摘要][在线阅读][下载 200K]
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  • V777测试系统DA/AD测试技术的研究

    陆强;孙晓丽;

    文章以V777测试系统为平台,用虚拟测试方法和DSP的思想来模拟数模混合测试仪的工作机制,包括激励的产生、响应的采集、数据处理和为DUT提供的测试波形的组合响应处理。利用V777测试系统PMU端口可并行测试的功能获取待测电路AD模块的8位输出,在误差允许范围内匹配其理论对应值。在低频下,利用PMU对DA端口模拟信号的输出进行采样,对采样得到的数据做数字信号算法处理,实现波形的判断。用上述方法以低成本来实现具有一定难度的电路的测试。

    2008年08期 No.64 13-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 141K]
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电路设计

  • 基于JTAG的SoC开发接口设计

    张猛华;张涛;张鹏;

    文章提出一种应用在SoC系统中的开发接口,用于边界扫描测试、调试、程序流跟踪等。在处理器、外设内核和开源(GDB)、商业的调试/仿真器或边界扫描测试设备之间提供支持。通过IEEE1149.1JTAG协议接口提供外部调试/仿真器、边界扫描测试设备与内核之间的连接。为了使设计具有实用价值和通用性,该设计重点实现了硬件调试功能中最基本最重要的部分,力求结构简洁、工作可靠。文中的设计通过仿真验证,证明其设计可靠、方案可行,具有很好的实用价值。

    2008年08期 No.64 18-21+27页 [查看摘要][在线阅读][下载 133K]
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  • 一种2-1-1型MASHΣ-Δ调制器的系统设计

    杨东泽;吴金;

    Σ-Δ调制器的结构日趋复杂,用行为级模型进行仿真对提高设计效率来说是十分必要的。首先,文章讨论了开关电容Σ-Δ调制器几种重要的非理想因素,例如时钟抖动、开关引起的非线性、开关热噪声、运放的非理想因素(等效输入噪声、有限直流增益、有限带宽、摆率和有限输出摆幅),并且相应给出了在MATLAB/SIMULINK环境下创建的行为级模型。然后,文章基于上述模型给出了一个2-1-1MASHΣ-Δ调制器行为级设计的例子。在给定过采样率为64的条件下,采样频率19.2MHz,调制器动态范围95dB,峰值信噪比94dB。

    2008年08期 No.64 22-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 459K]
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  • 一种12位25MS/s采样保持电路设计

    钟涛;李影;陈珍海;

    在流水线结构的A/D转换电路中,采样保持电路是整个电路的核心模块。同时采样保持电路通常是整个电路中功耗最大的模块,其性能直接决定了整个A/D转换器的性能。文章介绍了一种12位25MS/s采样保持电路。该采样保持电路采用SMIC0.25μm标准数字CMOS工艺进行设计。基于BSIM3V3Spice模型,采用Hspice对整个电路进行仿真。仿真的结果表明,电路在工作于25MS/s、输入信号频率为2.56MHz时,输出信号的SFDR为75.6dB,而整个电路的功耗仅为10.41mW。

    2008年08期 No.64 28-30+34页 [查看摘要][在线阅读][下载 130K]
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  • I~2C总线接口逻辑分析

    阮园;李静;

    I~2C总线由飞利浦公司在20世纪80年代早期提出,最初目的是为了能提供一个简单的方法使CPU和电视中的多种芯片相连接。今天,I~2C总线已被应用于视听设备以外的多种领域,它已作为技术规范在工业中被广泛采用。I~2C总线物理结构为两根信号线和地线,信号线称为SDA和SCL,都是双向的。SDA是串行数据线,SCL是串行时钟线。文章介绍了I~2C总线的硬件结构、I~2C总线的数据传送协议、总线接口的逻辑分析和总线器件Verilog仿真应用等方面。

    2008年08期 No.64 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 128K]
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微电子制造与可靠性

  • 铁电存储器工作原理和器件结构

    马良;

    铁电存储器与传统的非易失性存储器相比,具有功耗小、读写速度快、抗辐照能力强等优点,因此在一些特殊应用领域具有很好的市场。文章介绍了铁电存储器的基本工作原理,并介绍了两种主流的铁电材料。文章还介绍了铁电存储器的电路结构,包括2T2C、1T1C、1T2C以及链式结构,并说明了铁电存储器的读写过程。铁电存储器的器件结构主要有Planar结构和Stacked结构两种。Planar结构制作工艺相对简单,但是集成度不高。Stacked结构的集成度更高,对工艺的要求也更高。

    2008年08期 No.64 35-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 102K]
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  • 亚微米BiCMOS电路纵向NPN管的ESD保护研究

    王德进;聂卫东;张炜;李冰;

    文章以0.6μmN外延BiCMOS工艺为基础,研究了纵向NPN管的ESD保护行为,并对不同版图结构的纵向NPN管进行了ESD行为研究。实验表明,由于基区的内在电阻不一样,在该工艺条件下,CEB、CEBE结构比CBE、CBEB结构SNAPBACK效应明显,机器模式下ESD保护能力强。此外,还研究了兼容低压Vz工艺,单级保护NMOS输出管的纵向NPN器件的ESD行为,流片显示采用EB结齐纳击穿的纵向NPN能有效单级保护CMOS的输出级。

    2008年08期 No.64 39-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 130K]
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产品、应用与市场

  • 可编程逻辑器件的历程与发展

    潘锐捷;陈彪;刘西安;

    可编程逻辑器件逐渐成为微电子技术发展的主要方向,文章概述了可编程逻辑器件(PLD)的分类、发展历史与发展现状。现场可编程门阵列(FPGA)和复杂可编程逻辑器件(CPLD)是可编程逻辑器件技术按其内部结构不同延伸出的两个分支,文中讨论了它们各自的优缺点,并对它们作了比较。文中特别介绍了FPGA产品的主要生产厂家,以及四大厂家各自产品的应用领域,分别给出了Xilinx公司和ALTERA公司FPGA产品的谱图,最后展望了FPGA产品的未来发展趋势。

    2008年08期 No.64 44-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 97K]
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