电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 铜丝键合工艺研究

    常红军;王晓春;费智霞;慕蔚;李习周;冯学贵;鲁明朕;

    键合铜丝作为微电子工业的新型研发材料,已经成功替代键合金丝应用于IC后道封装中。随着IC封装键合工艺技术及设备的改进,铜丝应用从低端产品如DIP、SOP向中高端QFP、QFN、多层线、小间距焊盘产品领域扩展。因封装制程对键合铜丝的性能要求逐步提高,促进了铜丝生产商对铜丝工艺性能向趋近于金丝工艺性能发展,成为替代金丝封装的新型材料。文章首先讲述了铜丝键合的优点,指出铜丝在键合工艺中制约制程的瓶颈因素有两个方面:一是铜丝储存条件对环境要求高,使用过程保护措施不当易氧化;二是铜丝材料特性选择、制具选择、设备键合参数设置不当在生产制造中易造成芯片焊盘铝挤出、破裂、弹坑等现象发生,最终导致产品电性能及可靠性问题而失效。文章通过对铜丝键合机理分析,提出解决、预防及管控措施,制定了具体的生产管控工艺方案,对实现铜丝键合工艺有很好的指导意义。

    2009年08期 v.9;No.v.9 1-4+15页 [查看摘要][在线阅读][下载 593K]
    [下载次数:270 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:8 ] |[阅读次数:27 ]
  • 焊盘尺寸对FC-PBGA焊点可靠性的影响

    杨建生;

    影响封装可靠性的因素很多,其中对封装及供货厂商相关的封装设计方面的各种变量应该给予足够的重视。焊盘尺寸是影响焊点可靠性的关键因素之一,不同供货厂商的各种工艺造成焊盘尺寸方面的差异,对可靠性造成了极大的影响。有限元应力分析、波纹干涉测量试验及可靠性试验表明,基板厚度影响封装可靠性。文章采用有限元模拟来定量分析焊盘尺寸对PBGA封装可靠性的影响,把空气对空气热循环试验结果与FEM预测进行比较,讨论最佳焊盘尺寸,并预测对焊点可靠性的影响。

    2009年08期 v.9;No.v.9 5-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 506K]
    [下载次数:135 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:3 ] |[阅读次数:32 ]
  • FT中的OS失效及应对措施

    张亚军;陈利新;

    科学技术的进步促使集成电路产业迅猛发展,"摩尔定律"还在继续着它的预言,集成电路变得日益"娇小",但单块硅芯片上所集成的晶体管数目却数量惊人,实现的功能更为强大,如何判断功能复杂的芯片是否实现预期的效果成为IC产业中非常重要的步骤。作为集成电路产业链中重要的一环:测试也是机遇和风险并存。FinalTest是集成电路投入市场前的重要环节,测试结果的真实性、可靠性将直接影响到供应商的销售利润及公司声誉。文章抛开那些复杂的测试项目,分析了FinalTest中常见的OS(Open/Short)失效案例及其应对措施。

    2009年08期 v.9;No.v.9 9-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 281K]
    [下载次数:19 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:29 ]

电路设计

  • 0.18μm直接式数字频率合成器全定制版图设计

    张甘英;王丽秀;陈珍海;

    文章采用0.18μm混合信号1P6M1.8V/3.3VCMOS工艺,介绍了一种高速直接式数字频率合成器的全定制版图设计。该芯片为数模混合信号IC,电路内部时钟频率达到1GHz。版图设计过程中采用了集成无源金属-绝缘体-金属(MIM)结构电容及深N阱技术,使用了合适的版图布局和电源、地线、时钟网络拓扑结构,最后还对芯片各模块作了版图优化设计。芯片测试结果表明芯片功能全部实现、性能良好,版图设计较好地实现了电路功能。

    2009年08期 v.9;No.v.9 12-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 328K]
    [下载次数:117 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:32 ]
  • 一种16位delta-sigma调制器的设计与实现

    刘秋良;李文渊;

    文章介绍了一个应用于低频信号测量,3.3V单电源供电,信噪比达到96.7dB的低功耗的开关电容delta-sigma调制器的设计。根据delta-sigma结构理论以及实际应用范围,论证了采用cas-cade2-1结构3阶delta-sigma调制器的可行性,使得整个三阶结构的稳定输入范围等效于二阶调制器。文章采用自顶向下的设计方法,用simulink对3阶cascade2-1模型进行了系统级仿真,系统仿真加入了白噪声、闪烁噪声等各种低频噪声模型作为约束条件,通过精心调试仿真得到了各模块的指标。采用CSMC0.5μm双多晶三层金属工艺。主要模块包括积分器、比较器,并进行仿真验证,并与预定要求进行比较对照。文章在过采样率为256,采样频率为100kHz情况下对整个调制器电路进行了仿真,与系统仿真进行对照,能够达到16位的精度。整个调制器的静态功耗为1.7mW。

    2009年08期 v.9;No.v.9 16-19+33页 [查看摘要][在线阅读][下载 704K]
    [下载次数:142 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:20 ]
  • 高速PCB中的过孔设计研究

    侯莹莹;关丹丹;

    传输线的不连续问题已成为当今高速数字设计研究的重点,尤其是高速多层板中的过孔结构。随着频率的增长和信号上升沿的变陡,过孔带来的阻抗不连续会引起信号的反射,严重影响系统的性能和信号完整性。文章运用全波电磁仿真软件HFSS,对多种过孔结构进行了全面的研究。通过建立三维物理模型,分析了过孔直径、过孔长度和多余的过孔短柱几种关键设计参数对高速电路的信号完整性的影响。

    2009年08期 v.9;No.v.9 20-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 517K]
    [下载次数:311 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:18 ] |[阅读次数:24 ]

信息报道

  • 德路中国实验室启用

    本刊通讯员;

    <正>近日全球领先的工业胶粘剂制造商德路公司中国实验室正式启用。据此德路上海代表处将更快更好地服务中国客户。

    2009年08期 v.9;No.v.9 23页 [查看摘要][在线阅读][下载 157K]
    [下载次数:9 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:20 ]
  • 得可将在欧洲太阳能光伏展展示突破性的正面导线改进方案

    本刊通讯员;

    <正>得可太阳能将利用今年的欧洲太阳能光伏展,展示标准印刷工艺如何开发以产生明显的能效优势。9月21~25日在德国汉堡举行的展会上,得可的资深工艺开发专家Tom Falcon将发表关于硅太阳能电池正面导线印刷面积比改进的新论文。

    2009年08期 v.9;No.v.9 42页 [查看摘要][在线阅读][下载 229K]
    [下载次数:16 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:21 ]
  • 大连海事大学与安捷伦科技“天线与射频电路仿真联合实验室”正式成立

    本刊通讯员;

    <正>安捷伦科技公司日前宣布,在信息科学技术学院会议室举行了大连海事大学-安捷伦"天线与射频电路仿真联合实验室"揭牌仪式。大连海事大学副校长刘正江教授、信息科学技术学院院长张淑芳教授、副院长王国峰教授、联合实验室常务副主任房少军教授、安捷伦EEsof亚太地区总经理

    2009年08期 v.9;No.v.9 48页 [查看摘要][在线阅读][下载 422K]
    [下载次数:24 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:22 ]

微电子制造与可靠性

  • SONOS非易失性存储器件研究进展

    曾俊;傅仁利;宋秀峰;张绍东;钱凤娇;

    随着半导体存储器件的小型化、微型化,传统多晶硅浮栅存储因为叠层厚度过大,对隧穿氧化层绝缘性要求过高而难以适应未来存储器的发展要求。最近,基于绝缘性能优异的氮化硅的SONOS非易失性存储器件,以其相对于传统多晶硅浮栅存储器更强的电荷存储能力、易于实现小型化和工艺简单等特性而重新受到重视。文章论述了SONOS非易失性存储器件的存储原理和存储性能的影响因素研究进展,并在材料、工艺与结构设计等方面对SONOS存储器件性能改进的研究进展情况进行了分析和讨论。

    2009年08期 v.9;No.v.9 24-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 339K]
    [下载次数:280 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:23 ]
  • SOI单元库版图优化研究

    徐大为;戴昌梅;陈慧蓉;张雍蓉;

    文章对版图优化方法进行了研究,给出了几种版图优化的方法。通过研究发现,对于体硅而言要提高单元速度主要是通过减小源漏面积来实现;而对于SOI单元要提高速度只能通过减小单元的源漏周长来实现。通过仿真对比普通结构栅、叉指结构栅和环形结构栅的组成的反向器环振周期,可以发现采用叉指结构和环形栅结构不仅能有效减小单元面积,并且能通过减小源漏周长提高单元速度。

    2009年08期 v.9;No.v.9 31-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 473K]
    [下载次数:103 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:2 ] |[阅读次数:24 ]
  • 密封元器件中氢气的产生及控制

    吴文章;白桦;刘燕芳;孙旭朋;宋岩;

    文章通过研究表明,密封元器件内部气氛中的氢气对镓、砷化物或硅器件的可靠性有长期的影响,钛氢化合物的形成可以造成GaAs器件物理变形,进而导致器件失效。试验分析表明,密封元器件内部氢气主要来自封装金属基底中吸附的气体,这些气体在热应力条件下扩散到腔体内部。试验证明在元器件封装前对封装材料进行排气处理,可以有效地将材料中的氢气释放。通过对可伐合金在不同条件排放的氢气含量的测量与分析,进一步验证了腔体内部氢气的来源,并得出随着热应力时间的延长,氢气的排放量有增长趋势的结论。

    2009年08期 v.9;No.v.9 34-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 431K]
    [下载次数:186 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:11 ] |[阅读次数:22 ]
  • 提高多晶电阻工艺稳定性

    吴建伟;江月艳;贺琪;王传博;

    文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究,剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况,并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论。同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析,证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力,以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控。最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾,说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性。

    2009年08期 v.9;No.v.9 38-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 877K]
    [下载次数:87 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:24 ]

产品、应用与市场

  • 空间辐射环境与光器件抗辐射加固技术进展

    罗雁横;张瑞君;

    随着光器件在空间环境和辐射环境中的广泛应用,在国际上对光器件抗辐射性能的研究越来越多。为了提高光器件的抗辐射性能,满足空间应用的各种需要,文章介绍了空间辐射环境,空间辐射对光器件的影响和辐射损伤机理,主要是光纤、激光器、光探测器、光纤陀螺的辐射效应和损伤机理。同时,概述了航天用光器件的抗辐射加固技术及其最新进展。通过采用抗辐射加固技术,大大提高了空间应用的超辐射发光二极管(SLD)、超荧光光纤(SFS)光源、1310nm波长的InGaAsP/InP半导体激光器、电荷耦合器件(CCD)、互补性金属氧化物半导体(CMOS)器件的抗辐射性能和可靠性。

    2009年08期 v.9;No.v.9 43-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 647K]
    [下载次数:1127 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:14 ] |[阅读次数:40 ]
  • 下载本期数据