电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 键合线弧高度对键合拉力的影响分析

    沈海军;刘新宁;景为平;孙海燕;

    在集成电路封装的质量控制中,键合拉力的地位非常重要。作为键合质量好坏的主要判定基准之一,影响键合拉力的因素有很多,包括键合工艺参数、焊线材料类型、拉力测试吊钩的测试位置、焊线线径以及线弧的长度和高度等。主要讨论在键合线弧投影长度不变的情况下,线弧高度的变化对键合拉力产生的影响。通过对不同线弧高度条件下测得的拉力数据进行整理分析,结果表明:键合线弧越高,拉力就越大;反之,拉力则越小。这为集成电路组装的正常量产过程中,工程技术人员对于键合线弧整体高度的合理有效控制及键合拉力规范的合理定义提供了参考依据。

    2010年01期 v.10;No.81 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 291K]
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  • 3D MCM组件产品热分析技术研究

    徐英伟;

    三维多芯片组件(3D MCM-Three Dimension Multi-Chip Module)是近几年正在发展的一种电子封装技术。在3DMCM封装中,随着芯片封装密度的增加,对其热分析与热设计技术就显得越来越重要了。文章利用有限元方法,通过Ansys软件工具对某静态存储器组件(3DMCM模块)内部温度场进行了模拟仿真,并与实验数据进行了对比,获得了很好的分析效果,为3DMCM的可靠性设计提供了技术支持。

    2010年01期 v.10;No.81 4-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 469K]
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  • 有色环保塑封料的制备及其性能研究

    李进;王殿年;

    用有色颜料替代黑色颜料加入到基础配方中制备了有色环保塑封料。讨论了有色环保塑封料的基本特性及可靠性。结果表明当有色颜料的添加量小于1%(wt)时,制备的有色环保塑封料与黑色环保塑封料的基本特性相当,在客户端电镀印字无差异,常规电性能(Molding后良率99%,PMC后良率98%,PCT96h后良率90%)通过了HTRB、PCT、TST、TCT、THST、HTST、S/H等可靠性测试,全面的评估结果符合了客户认证需要,得到了客户的认可。并且有色环保塑封料的开发更有利于客户端的合理管控和环保需求,在市场上有很大的推广空间。

    2010年01期 v.10;No.81 8-10+16页 [查看摘要][在线阅读][下载 674K]
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  • 各向异性导电胶粘结工艺技术研究

    巫建华;李佳;王岩;

    分析了影响各向异性导电胶粘结可靠性的各因素,通过正交实验优化工艺参数,并在150℃高温贮存以及-65℃~150℃温度循环后对导电胶的剪切强度和接触电阻进行了可靠性实验。结果表明:影响ACA可靠性的主要因素导电粒子体积比例为15%,粘结温度200℃,时间10s,粘结压力为39.2N时,导电胶的剪切强度为286.2N,凸点的接触电阻为35mΩ。在可靠性试验后,导电胶的剪切强度满足GJB548B-2005的要求,接触电阻变化率小于5%。

    2010年01期 v.10;No.81 11-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 913K]
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  • 表面贴装声表器件封装失效及其分析

    杨建玲;马杰;金梅;高宁;

    随着声表面波器件日益广泛的应用,声表面波器件的封装尺寸越来越小,封装的难度越来越大,封装过程可能带来的失效问题也越来越多。文章简单介绍了声表面波器件封装形式的变化,论述了表面贴装声表面波器件的封装工艺过程和失效分析的基本概念,并对表面贴装声表面波器件的封装工艺过程中几种主要的失效模式展开分析,促使我们在表面贴装声表面波器件的封装工艺过程加强工序过程的控制,从而提高表面贴装声表面波器件的可靠性,更好地满足顾客的需要。

    2010年01期 v.10;No.81 17-20+42页 [查看摘要][在线阅读][下载 516K]
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信息报道

电路设计

  • 一种双核SoC调试系统的设计与验证

    虞致国;魏敬和;

    调试系统的设计和验证是多核SoC设计中的重要环节。基于某双核SoC的设计,提出一个片上硬件调试构架,利用FPGA构建该调试系统的硬件验证平台。双核SoC调试系统验证平台利用System Verilog DPI,将RealView调试器、Keil C51及目标芯片的验证testbench集成在一起,实现了双核SoC调试系统的RTL级调试验证。利用该平台,在RTL仿真验证阶段可方便地对ARM和8051核构成的双核SoC进行调试,解决仿真中出现的问题,从而有效缩短设计周期,并提高验证效率。该双核SoC调试系统验证平台的实现对其他系统芯片设计具有一定的参考价值。

    2010年01期 v.10;No.81 21-23+34页 [查看摘要][在线阅读][下载 435K]
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  • 一种共源共栅自偏置带隙基准源设计

    李亮;陈珍海;

    在分析带隙基准理论的基础上,针对SoC芯片的1.2V数字电路供电,设计一个低功耗低温度系数、高电源抑制比的带隙基准源。电路由一个与绝对温度成正比(PTAT)电流源和一个绝对温度相补(CTAT)电流源叠加构成,采用低压共源共栅自偏置结构来减少镜像失配和工艺误差对电路的影响。在SMIC0.13μm混合信号CMOS工艺下,电源电压为2.5V时,使用Cadence Spectre对电路进行模拟,结果表明可实现1.2V输出电压,电源抑制比在低频段为-86dB、高频段为-53dB,温度系数为12×10-6/℃、功耗为0.57mW。带隙电压基准源的版图面积为75μm×86μm。

    2010年01期 v.10;No.81 24-27+31页 [查看摘要][在线阅读][下载 2008K]
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微电子制造与可靠性

  • 双极器件EB结击穿测试对HFE的影响

    戴昌梅;郑若成;

    三极管测试发现,发射极和基极EB结击穿测试会降低三极管放大倍数HFE。理论表明,HFE和注入效率γ、基区输运系数αT、复合系数δ相关。文章模拟EB结击穿应力,同时设计三种测试方法,测试应力前后三极管HFE、IC、IB等参数的变化,认为HFE降低是由于IB的增大造成。同时根据上面三个系数对应的物理区域分析认为,电流应力造成了缺陷,缺陷引起的EB结复合电流和基区传输复合电流的增大是IB增大的原因,但EB结复合电流是主要的,是HFE降低的原因。最后指出流片工艺过程中的损伤也会造成类似HFE降低的问题。

    2010年01期 v.10;No.81 28-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 1146K]
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  • 芯片制造过程中的电化学侵蚀控制

    聂圆燕;郭晶磊;陈海峰;

    芯片金属键合孔上的电化学侵蚀会引起封装时键合接触不好等问题,因此在芯片加工时消除电化学侵蚀非常重要。文章通过一个解决侵蚀斑问题的案例,找到了引起侵蚀斑的根本原因和有效的解决方法,阐述了电化学侵蚀反应的理论模型。通过严控冲水后和甩干工艺间的间隔时间可以彻底解决由于湿法清洗工艺引起的电化学腐蚀。

    2010年01期 v.10;No.81 32-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 628K]
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  • 加速浸润方法在塑封可靠性分析中的应用

    袁华;钱敏;

    在对塑封集成电路进行封装可靠性评估中,预处理过程(precondition)是必经的步骤。其中的浸润测试(soak)通常在非加速条件下进行,其耗时较长。在市场竞争日趋激烈的环境下,企业迫切需要缩短新产品的可靠性验证时间。文章针对JEDEC(电子器件工程联合委员会)和JEITA(日本电子信息技术协会)标准中涉及到的三种加速浸润条件,以组件在非加速条件下(JEDEC Level 3和JEITA Rank E)潮气的穿透力、吸收量及由此产生的失效为参照,确定在加速条件下,组件达到同样的潮气吸收量并产生相类似的失效所需的时间。同时应用有限元分析的方法进行建模和计算,并与实际的测量结果比较验证。

    2010年01期 v.10;No.81 35-38+42页 [查看摘要][在线阅读][下载 869K]
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产品、应用与市场

  • 基于LED照明灯具的散热片设计与分析

    杨广华;李玉兰;王彩凤;高铁成;

    新一代大功率白光LED光源具有很多优点,如节能、环保、寿命长等,但大功率LED的散热也是一个至关重要的问题。如果LED散热问题解决不好,LED灯具工作一段时间后就会输出光功率减小,芯片加速老化,工作寿命缩短。文章从LED散热问题着手,详细介绍了目前广泛商用的大功率LED器件结构及导热途径、所用散热基片的特点,以及LED所用的散热片设计和计算方法。另外介绍了一种大功率LED在散热片上不同位置温度变化的测试结果,并推导出用于计算LED器件散热的有效公式。

    2010年01期 v.10;No.81 39-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 365K]
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  • 新春寄语

    陶建中;

    <正>亲爱的朋友:风雨送春归,飞雪迎春到。新的一年又开始了,感谢您在过去的一年里对《电子与封装》的支持与关注。《电子与封装》

    2010年01期 v.10;No.81 1页 [查看摘要][在线阅读][下载 140K]
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  • 《电子与封装》杂志征稿启事

    <正>《电子与封装》杂志是目前国内唯一一本全面报道封装与测试技术、半导体器件和IC设计与制造技术、产品与应用以及前沿技术、市场信息等的技术性刊物,是中国电子学会生产技术学分会(电子封装专业)会

    2010年01期 v.10;No.81 48页 [查看摘要][在线阅读][下载 9K]
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