电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 铜丝球键合工艺及可靠性机理

    鲁凯;任春岭;高娜燕;丁荣峥;

    文章针对铜丝键合工艺在高密度及大电流集成电路封装应用中出现的一系列可靠性问题,对该领域目前相关的理论和研究成果进行了综述,介绍了铜丝球键合工艺、键合点组织结构及力学性能、IMC生长情况、可靠性机理及失效模式。针对铜丝球键合工艺中易氧化、硬度高等难点,对特定工艺进行了阐述,同时也从金属间化合物形成机理的角度重点阐述了铜丝球键合点可靠性优于金丝球键合点的原因。并对铜丝球键合及铜丝楔键合工艺前景进行了展望。

    2010年02期 v.10;No.82 1-6+10页 [查看摘要][在线阅读][下载 862K]
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  • 多芯片阵列组合白光LED封装研究

    黄春英;王晓军;

    文章阐述了LED器件的发光原理和芯片电极结构,围绕白光HB-LED的封装工艺,设计单个大功率芯片封装结构并对整个封装工艺进行研究,提出了多芯片阵列组合封装的创新理念,将其应用于多芯片阵列封装模块中。得出HB-LED封装中关键技术问题是提高外量子效率,采用高折射率硅胶减少折射率物理屏障带来的光子损失;采用高热导率的材料,减少由于封装工艺的缺陷带来的界面热阻。

    2010年02期 v.10;No.82 7-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 406K]
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  • 确好芯片商业化的关键问题

    龙乐;

    基于老化筛选技术的确好芯片KGD是现行多芯片封装结构中的关键芯片,具有封装成本低、可靠性高、体积小、易封装集成等优点,其应用前景广泛,如多芯片组件、多芯片封装、系统封装、功率系统封装、微系统封装、堆叠封装、混合集成电路等。文章对KGD技术做了分类总结,综述了近几年KGD技术的研发进展,指出KGD进一步发展的商业化关键问题。

    2010年02期 v.10;No.82 11-15+19页 [查看摘要][在线阅读][下载 721K]
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电路设计

  • EEPROM冗余纠错设计技术

    张国贤;王晓玲;周昕杰;

    随着CMOS工艺不断发展,芯片的集成度越来越高。存储器也向大容量、小体积发展。由于存储器容量的不断增加,存储器阵列在生产过程中出现缺陷的可能性将大大增加。为了提高产品的可靠性及经济利益,文章提出了利用硬件和软件冗余技术,将有误的数据及时发现并纠正。接下来分别介绍了硬件冗余和软件冗余的工作原理以及电路的实现方法,并验证了电路的正确性。此次工作,为目前的工作提供了技术基础,并为以后的EEPROM设计工作提供了良好的技术借鉴。

    2010年02期 v.10;No.82 16-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 671K]
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  • 一种SoC片上调试与可测性的整合设计

    虞致国;魏敬和;

    随着SoC的复杂度和规模的不断增长,SoC的片上调试与可测性变得越来越困难和重要。片上调试与可测性都是系统芯片设计的重要组成部分。文章针对某款32位SoC,充分利用CPU核原有的调试结构,提出一种可测试系统与调试系统的一体化结构设计,并针对不同的模块利用不同的测试策略。基于JTAG端口,该结构能够进行系统程序的调试、边界扫描的测试、扫描链的测试、嵌入式SRAM的内建自测试,同时有效地降低了电路逻辑规模,实现了在测试覆盖率和测试代价之间的一个有效折衷。

    2010年02期 v.10;No.82 20-22+34页 [查看摘要][在线阅读][下载 694K]
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微电子制造与可靠性

  • 车载IGBT器件封装装片工艺中空洞的失效研究

    施建根;孙伟锋;景伟平;孙海燕;高国华;

    IGBT芯片在TO-220封装装片时容易形成空洞,焊料层中空洞大小直接影响车载IGBT器件的热阻与散热性能,而这些性能的好坏将直接影响器件的可靠性。文章分析了IGBT器件在TO-220封装装片时所产生的空洞的形成机制,并就IGBT器件TO-220封装模型利用FEA方法建立其热学模型,模拟结果表明:在装片焊料层中空洞含量增加时,热阻会急剧增大而降低IGBT器件的散热性能,IGBT器件温度在单个空洞体积为10%时比没有空洞时高出28.6℃。同时借助工程样品失效分析结果,研究TO-220封装的IGBT器件在经过功率循环后空洞对于IGBT器件性能的影响,最后确立空洞体积单个小于2%,总数小于5%的装片工艺标准。

    2010年02期 v.10;No.82 23-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 1427K]
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  • 射频晶体管3DG2714基极电阻R_(bb’)的分析与研究

    吴振江;

    射频晶体管具有高的特征频率fT,高的功率增益GP。为此在工程上多采用浓硼扩散形成嫁接基区。尽可能减少基极电阻Rbb’,同时采用梳状结构电极,浅结扩散,小的结面积等工艺,提高fT,从而双方面提高功率增益GP。文章以该公司生产的射频晶体管3DG2714为例,分析了发射结下基区部分电流流动状态,合理计算了这部分的基极电阻Rb1,分析了发射极与基极之间淡硼扩散区的电流流动状态,合理计算了这部分的基极电阻Rb2,忽略了两个影响极小的电阻,计算了总的基极电阻Rbb’。为减小基极电阻提高功率增益的射频晶体管设计制造提供了依据。

    2010年02期 v.10;No.82 28-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 1093K]
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  • 浅谈电子制造过程中的静电及静电防护

    鲜飞;

    静电释放(ESD)就是一定数量的电荷从一个物体(例如人体)传送到另外一个物体(例如芯片)的过程。这个过程能导致在极短的时间内有一个非常高的电流通过芯片,35%以上的芯片损坏都可以归咎于此。因此,在电子制造行业里保护芯片免受静电释放的损害是非常重要的。实际上,很多公司在各种不同电子应用中都遇到了如何应对急速增长的静电防护需求的问题。文章针对ESD机制和防护做了一个较全面的介绍,包括ESD原理、电流产生、危害、防静电工艺要求等。

    2010年02期 v.10;No.82 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 1005K]
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产品、应用与市场

  • 变频式超声波发生器的高速锁相研究

    严勇文;隆志力;何将三;杨岳峰;

    用于超声键合工艺的超声波发生器是引线键合封装设备的主要装置,其核心与关键是频率自动跟踪与锁相速度。文中构建了一种变频式超声波发生器,并对其中的高速锁相进行分析。通过换能器的电流反馈,采用基于嵌入式的数字式真有效值试探算法,超声波发生器锁相速度比传统速度提高数十倍,达到高速锁相的要求,满足了换能系统工作时的高速谐振需求。

    2010年02期 v.10;No.82 35-37+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 1190K]
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  • PDLC膜黑白显示原理及其光电性能研究

    刘国柱;林丽;杨文君;王春栋;黄子强;

    文章阐述了基于正交偏正片实现PDLC膜的黑白显示机理,并基于正交偏振片研究了PDLC膜的电光特性,实现PDLC膜黑白显示。研究发现,PDLC膜的阈值电压Vth和对比度CR(0°)随膜厚、单体含量增加呈减小的趋势,与无正交偏振片下的PDLC膜相关特性相反;而饱和驱动电压Vdr随膜厚、单体含量增加而增大,且可视视角宽度随膜厚增加而减小,与无正交偏振片下PDLC膜相关特性变化趋势基本一致;透射光强与视角之间存在M型特性。

    2010年02期 v.10;No.82 38-42+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 1539K]
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信息报道

  • 惠瑞捷荣膺VLSI Research五星级客户满意度大奖

    本刊通讯员;

    <正>首屈一指的半导体测试公司惠瑞捷半导体科技有限公司凭借在客户满意度方面的出色表现,首次荣获市场研究和分析公司VLSI Research颁发的五星级大奖。在今年荣获这一殊荣的13家公司中,惠瑞捷是唯一的测试设备制造商。

    2010年02期 v.10;No.82 43页 [查看摘要][在线阅读][下载 10K]
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  • TSMC协助美商巨积公司降低下一世代产品百分之二十五的漏电功耗

    本刊通讯员;

    <正>全球最大的专业集成电路制造服务公司台积电(TSMC)1月6日宣布,客户美商巨积公司(LSI Corporation)使用TSMC65纳米低功耗工艺的降低功耗(PowerTrim)技术,有效减少下一世代产品的总漏电耗能达百分之二十五以

    2010年02期 v.10;No.82 43页 [查看摘要][在线阅读][下载 10K]
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  • 高通公司与TSMC在28nm工艺技术上携手合作

    本刊通讯员;

    <正>先进无线通讯技术产品及服务创新领导公司——美商高通公司与其专业集成电路制造服务伙伴——TSMC于1月7日共同宣布,双方正在28nm工艺技术进行密切合作。此先进工艺世代可以更具成本效益地将更多功能整合在更小的芯片

    2010年02期 v.10;No.82 43-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 15K]
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  • 飞兆半导体推出新型视频滤波器配合四通道机顶盒和DVD播放器市场趋势

    本刊通讯员;

    <正>飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)针对现今许多视频产品平台逐步淘汰S-video以及四通道正在成为标准输出配置之市场趋势,推出支持机顶盒和DVD播放器市场的四通道集成式视频滤波器产品FMS6144A,帮助设计人员

    2010年02期 v.10;No.82 44页 [查看摘要][在线阅读][下载 9K]
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  • 2010安捷伦测试测量大会在成都拉开帷幕

    本刊通讯员;

    <正>安捷伦科技宣布,2010年"安捷伦测试测量大会"于1月20日~21日在西部蓉城——成都拉开帷幕。此次大会是继一年一度的"安捷伦电子测量仪器展暨专题研讨会"之后,安捷伦为广大用户精心准备的又一次汇聚领先技术的饕餮盛

    2010年02期 v.10;No.82 44页 [查看摘要][在线阅读][下载 9K]
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  • 台积电晶圆十二厂第五期厂房完成上梁预计今年第三季开始量产

    本刊通讯员;

    <正>台积电于1月19日表示,该公司位于台湾新竹科学园区的晶圆十二厂第五期厂房于当日上午完成上梁典礼,并预计于今年第三季开始量产。19日的上梁典礼由TSMC营运资深副总经理刘德音主持。他表示,一直以来,TSMC不断努力提升"先进技术"、

    2010年02期 v.10;No.82 44-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 50K]
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  • “万元奖金,回馈产业”献礼中国电子社群

    本刊通讯员;

    <正>为答谢中国电子社群自2002年起对慕尼黑上海电子展的关注与支持,在2010年展会正值9周年之际,展会主办方特别推出了"万元奖金,回馈产业"的抽奖活动进行观众预登记。慕尼黑上海电子展是中国被动元件、集成电路、线束加

    2010年02期 v.10;No.82 45页 [查看摘要][在线阅读][下载 44K]
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  • 安捷伦宣布推出新型钳形表并在手持式仪器上采用更具安全警示意义的配色方案

    本刊通讯员;

    <正>1月14日,安捷伦科技公司隆重召开主题为"安全便捷,橙动中国"的工业电子测量仪器中国经销商年会暨新闻发布会,宣布推出具有优秀移动性、高精度和良好经济性的安捷伦工业电子测量仪器系列产品。安捷伦同时还宣布,部

    2010年02期 v.10;No.82 45页 [查看摘要][在线阅读][下载 44K]
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  • 欧胜推出世界领先的高性能音频解决方案

    本刊通讯员;

    <正>1月14日,欧胜微电子宣布推出一款世界领先的多通道音频编码解码器(CODEC)产品WM8595,它采用了在一个超薄封装内提供完整的高性能音频解决方案的特殊设计,适用于包括高清数字电视、DVD刻录机和蓝光播放机在内

    2010年02期 v.10;No.82 45-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 50K]
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  • 从“向上垂直整合”看中国制造业转型与科技创新

    刘朝晖;

    <正>不久前看到TCL集团宣布建设总投资达245亿元的8.5代薄膜晶体管液晶显示器件(TFT-LCD)生产线的消息,使我联想到与TCL集团高层的一次会面。一项面向上游核心技术的数十亿美元的投资,足可以改变一家企业的命运,更有

    2010年02期 v.10;No.82 46-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 221K]
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  • 《电子与封装》杂志征稿启事

    <正>《电子与封装》杂志是目前国内唯一一本全面报道封装与测试技术、半导体器件和IC设计与制造技术、产品与应用以及前沿技术、市场信息等的技术性刊物,是中国电子学会生产技术学分会(电子封装专业)会

    2010年02期 v.10;No.82 48页 [查看摘要][在线阅读][下载 7K]
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