电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 半导体封装行业中铜线键合工艺的应用

    毕向东;

    文章介绍了半导体封装行业中铜线键合工艺下,各材料及工艺参数(如框架、劈刀、设备参数、芯片铝层与铜材的匹配选择)对键合质量的影响,并总结提出如何更好地使用铜线这一新材料的规范要求。应用表明芯片铝层厚度应选择在0.025mm以上;劈刀应使用表面较粗糙的;铜线在键合工艺中使用体积比为95:5的氢、氮气混合保护气体;引线框架镀银层厚度应控制在0.03mm~0.06mm。

    2010年08期 v.10;No.88 1-4+13页 [查看摘要][在线阅读][下载 1127K]
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  • 倒装焊陶瓷封装失效模式分析及失效机理研究

    任春岭;高娜燕;丁荣峥;

    随着封装技术的发展,倒装焊技术得到广泛的应用,倒装焊的研究也越来越广泛深入。文章阐述了倒装焊封装的失效模式,主要有焊点疲劳失效、填充胶分层开裂失效、电迁移失效、腐蚀失效、机械应力失效等。并分析了陶瓷基板倒装焊温度循环试验后的失效模式,陶瓷倒装焊封装失效的机理主要是倒装芯片焊点与UBM界面金属间化合物应力开裂失效。根据失效机理分析,进行陶瓷倒装焊工艺优化改进,试验达到了JESD22-A104C标准规定的温度循环:-65℃~+150℃、500次循环、3只样品无失效的要求。

    2010年08期 v.10;No.88 5-9页 [查看摘要][在线阅读][下载 648K]
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  • 确保SOD系列产品在编带中无侧翻的方法

    陈菊华;

    随着微电子技术的飞速发展,芯片特征尺寸的缩小,对微电子封装技术的要求也越来越高,同样对产品测试打印编带的要求也越来越高。而SOD系列小器件产品在编带中一直存在侧翻的问题,经常会引起客户的投诉。文章针对产品编带中存在的侧翻现象,在印章检的基础上再加上对管脚侧翻检的功能,从而能有效确保编带产品无侧翻现象,提高产品的编带质量,降低客户的投诉,大大减少外观检的工作量,减少因编带产品有严重侧翻带来的返工量。

    2010年08期 v.10;No.88 10-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 800K]
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电路设计

  • 几种功能电路的BIT测试方案设计及其仿真

    郭汉桥;褚丽丽;

    BIT技术是当今最重要的在线故障诊断技术之一,已经被广泛应用于航空电子设备中,在航空领域以外的应用虽然还比较少,但也已经起步。随着电子设备维修性要求的提高以及设备本身要求具备检测隔离故障的能力以缩短维修时间,BIT在测试领域研究中将越来越重要。功能电路BIT系统是电子设备整机BIT系统的重要组成部分,因此从解决实际问题出发,对几种典型的功能电路进行BIT策略方案设计,并使用Multisim软件对所设计的BIT监测电路进行仿真,仿真结果表明,所设计的BIT电路是可靠及有效的。

    2010年08期 v.10;No.88 14-16+20页 [查看摘要][在线阅读][下载 825K]
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  • CMOS超宽带低噪声放大器的设计

    徐国明;

    由于超宽带技术能够在短距离内传输几百兆的数据,帮助人们摆脱对导线的依赖,因此使得大带宽数据的无线传输从几乎不可能变为现实。尽管目前超宽带技术的标准还没有统一,但是低噪声放大器终归是其接收机中一个不可或缺的重要模块。文章介绍了一种基于0.18μmCMOS工艺、适用于超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。结合计算机辅助设计,该超宽带低噪声放大器输入、输出均实现良好的阻抗匹配,在3GHz~10GHz的频带范围内实现了增益G=29±1dB,噪声系数小于4dB。在1.8V工作电压下放大器的直流功耗约为35mW。

    2010年08期 v.10;No.88 17-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 1276K]
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  • 一种低功耗64倍降采样多级数字抽取滤波器设计

    梅海军;吴金;聂卫东;张怡;李晓蒙;

    经典多级结构的数字抽取滤波器占用系统大量的功耗与面积资源,文章设计的改进型64倍降采样数字抽取滤波器采用由级联积分梳状滤波器、补偿FIR滤波器和半带滤波器组成,在保持Σ-ΔADC转换精度的约束下,实现了最大程度降低系统功耗与面积的设计目标。在多级级联积分梳状(CIC)滤波器的设计中,充分运用置换原则以优化各级级数并采用非递归结构实现方式,同时将多相结构运用到补偿滤波器与半带滤波器中,获得电路功耗与面积的明显降低。将Σ-Δ调制器输出信号作为测试激励,通过Matlab系统仿真、FPGA验证与FFT信号分析,得到的输出数据信噪比达到15bit有效位数精度,且系统速度满足要求。

    2010年08期 v.10;No.88 21-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 1026K]
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  • CMOS数控振荡器设计

    周国飞;龚敏;邬齐荣;

    设计并讨论了一种新颖的完全基于CMOS静态逻辑反相器设计的数字控制振荡器DCO结构(Digitally-Controlled Oscillator),这种数字控制振荡器采用全数字电路构成,较之LC振荡器更加易于设计和制造,适合于高频高性能数字锁相环的应用。电路结构的仿真采用Spectre仿真器,基于STMicroelectronics CMOS 90nm工艺,在1.2V电源电压下实现了1GHz~6GHz的数控振荡频率变化范围,功耗为0.1mW~3mW,10MHz的频率偏移处的相位噪音约为-114dBc/Hz。

    2010年08期 v.10;No.88 27-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 443K]
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微电子制造与可靠性

  • 辐射效应对半导体器件的影响及加固技术

    赵力;杨晓花;

    与其他半导体器件相比,CMOS集成电路具有功耗小、噪声容限大等优点,对于对重量、体积、能源消耗都有严格要求的卫星和宇宙飞船来说,CMOS集成电路是优先选择的器件种类。随着半导体器件的等比例缩小,辐射效应对器件的影响也在跟着变化。这些影响包括:栅氧化层厚度、栅长的减小、横向非均匀损伤、栅感应漏电流等方面。对于微电子器件的抗辐射加固,文章就微电子器件的应用场合、辐射环境的辐射因素和强度等,从微电子器件的制作材料、电路设计、器件结构、工艺等多方面进行加固考虑,针对各种应用环境提出加固方案。

    2010年08期 v.10;No.88 31-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 273K]
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  • 0.8μm多晶栅等离子刻蚀研究

    王春栋;李幸和;顾爱军;赵金茹;刘国柱;

    文章基于Mintab软件,运用Precision 5000等离子刻蚀技术研究0.8μm多晶栅刻蚀中功率、压力、HBr流量、Cl2流量对刻蚀效果的影响。获得了四个因素对刻蚀效果影响的主次关系,同时由Mintab软件分析获得了各因子效应的pareto图,各因素对多晶条倾斜角度影响的主效应图,各因子对刻蚀效果的正态分布图,并拟合获得了多晶栅刻蚀的最优化条件。运用最优化条件刻蚀多晶栅,其结果表明剖面倾斜角度及表面形貌均能达到MOS器件的工艺制造要求。

    2010年08期 v.10;No.88 37-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 319K]
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  • 孔腐湿法去胶金属沾污可靠性评估

    陈培仓;郑若成;徐政;

    在半导体制造工业中,参数测试作为有效的对在线制品的监控手段,一方面反映了工艺线的工艺水平状况,另一方面它也是制造公司与设计公司之间进行沟通的主要依据。而对于新工艺研发来说,参数测量及分析更是整个研发过程中极其重要的一部分,及时准确的参数测量结果是产品工程师快速作出工艺研发方向的判断依据。因此,芯片参数测量分析的主要作用在于:在工业生产中得到大量的测量数据,用于评价工艺设备、半导体材料和电路结构,监视和控制工艺和器件参数的均匀性、重复性、协调性,分析工艺中存在的缺陷,诊断电路性能失常规律,预测成品率,预报可靠性信息等等。文章主要介绍了运用参数测试对在线工艺异常进行可靠性评估的方法。

    2010年08期 v.10;No.88 41-43+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 625K]
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产品、应用与市场

  • 市电频率实时监测器的设计与实现

    张学群;

    文章实现了市电频率实时监测器的设计。该监视器设计以单片机AT89C2051为核心,应用单片机的算术运算和控制功能并采用LED数码管实时地显示所测频率。使用高效的快速转换算法和用来测量信号多倍周期的分频电路计算信号频率,由单片机将数据送到显示部分电路,数据处理后给出电网电压的频率,大约250ms完成一次更新,测试精度达到0.01Hz,保证了系统的测频精度和实时性。

    2010年08期 v.10;No.88 44-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 292K]
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信息报道

  • 长电科技跻身全球半导体封测企业十强

    本刊通讯员;

    <正>经历多年的打拼与苦心经营,有着自己越来越鲜明风格的江苏长电科技股份有限公司,在全球最具权威的IT研究与顾问咨询公司Gartner2010年2月公布的《2009年全球半导体封装测试企业收入排行榜》名单中金榜题名,以3.42亿美元的收入排名跃升全球第八位,宣告中国内地封测企业正式跻身全球十强,长电科技此次排名与前一年相比,上升了3个名次。

    2010年08期 v.10;No.88 48页 [查看摘要][在线阅读][下载 11K]
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  • ASM Pacific Technology并购西门子电子装配系统有限公司

    本刊通讯员;

    <正>西门子决定出售旗下的SIPLACE贴装设备业务部门给ASM Pacific Technology Ltd. Hong Kong(ASMPT)。双方公司已经就此项交易签署了一项协议。如果协议得到相关部门及ASMPT股东的批准,该协议最迟将会在2011年初的时候生效。

    2010年08期 v.10;No.88 48页 [查看摘要][在线阅读][下载 11K]
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  • 中芯国际和Virage Logic拓展伙伴关系至40nm低漏电工艺

    本刊通讯员;

    <正>7月22日,Virage Logic公司和中芯国际集成电路有限公司共同宣布其长期合作伙伴关系扩展到40nm的低漏电工艺技术。Virage Logic公司和中芯国际从最初的130nm工艺合作起便为双方共同的客户提供具高度差异的IP,涵盖的工艺广泛还包含90nm以及65nm。

    2010年08期 v.10;No.88 48页 [查看摘要][在线阅读][下载 11K]
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