电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 倒装焊器件的密封技术

    李欣燕;李秀林;丁荣峥;

    倒装焊的底部填充属非气密性封装,并且受倒装焊凸点焊料熔点、底部填充有机材料耐温限制,使得倒装焊器件的密封结构设计和工艺设计受限。文章结合气密性器件使用要求,设计了两种不改变现行倒装焊器件制造工艺、器件总体结构[3]的密封技术,经过分析论证以及工艺实验,确认其是可行的。密封的器件能够满足MIL-883G中有关气密性、内部水汽含量、耐腐蚀(盐雾)、耐湿以及机械试验等[6~7],密封结构、密封工艺均是在现有封装工艺条件基础上进行,具有非常强的可行性。

    2010年09期 v.10;No.89 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 582K]
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  • Ka波段100W固态功率合成器

    徐建华;蔡昱;汪珍胜;钱兴成;

    随着科技发展,对大功率的需求越来越高,但是单个固态功率放大器输出功率有限,功率合成技术应运而生。文章介绍了一种利用波导实现Ka波段芯片级功率合成的方法。首先介绍了两路波导功率合成器的模型,分析了影响功率合成效率的因素,推导出合成效率最大化的条件。然后借助HFSS软件进行仿真优化,依托精密机加工技术制作出来的波导功率合成器可以在4GHz带宽内VSWR<1.5,LOSS<0.5dB。合成的基本单元3W模块由两个1.8W的MMIC通过Lange桥合成,在装入壳体合成之前单独调试,确保功率相等,相位一致。最后采用该合路器在35GHz~35.4GHz的工作频率内成功获得100W的合成功率,合成效率达85%以上,测试数据和模拟数据基本吻合。

    2010年09期 v.10;No.89 5-7+37页 [查看摘要][在线阅读][下载 1256K]
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信息报道

  • SEMICON Taiwan2010推出50场产业技术论坛与发布会

    本刊通讯员;

    <正>9月8日在台湾开幕的"SEMICON Taiwan国际半导体展"今年一次推出50场技术论坛及产品发表会,主题涵盖产业最热门的MEMS微机电技术、3DIC及先进封测技术发展,和LED制程、绿色制程及厂务管理、二手设备、平坦化技术、自动化光学检测、化合物半导体等等。

    2010年09期 v.10;No.89 4页 [查看摘要][在线阅读][下载 124K]
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  • 2010电子封装技术与高密度封装国际会议在西安召开

    本刊通讯员;

    <正>在中国电子学会、中华人民共和国教育部、中华人民共和国工业和信息化部、中国国际文化交流中心、陕西省工业和信息化厅的指导下,经中国科协批准,由中国电子学会电子制造与封装技术分会(EMPT)

    2010年09期 v.10;No.89 23页 [查看摘要][在线阅读][下载 225K]
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  • SiGe半导体推出采用小型QFN封装的更高效第二代WiMAX功率放大器

    本刊通讯员;

    <正>全球领先的硅基射频(RF)功率放大器和前端模块(FEM)供应商SiGe半导体公司进一步扩展其功率放大器产品系列,推出能够覆盖2.3GHz~2.4GHz和2.5GHz~2.7GHz两个WiMAX频段的单一大功率PA产品SE7271T,该器件能够减少材料清单(BOM)数目,降低成本,适用于USB适配器(dongle)、数据卡、移动互联网设备和具有WiMAX功能的手机。

    2010年09期 v.10;No.89 45页 [查看摘要][在线阅读][下载 206K]
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电路设计

  • 一种DSP用数模混合型锁相环设计

    王澧;王一竹;

    提出了一种用于DSP的高性能低噪声高速电荷泵锁相环电路。其鉴频鉴相器模块具有高速、无死区等特点;电荷泵模块在提高开关速度的基础上改进了拓扑结构,使充放电电流的路径深度相同,更好地实现了匹配。为了达到宽调谐范围的目的,电荷泵模块采用1.8V电源电压,而压控振荡器模块采用3.3V,这样可充分利用电荷泵的输出电压范围实现宽调谐。电路设计基于0.18μm1P6MCMOS工艺,结果表明,锁相环电路功耗为34mW,中心频率100MHz,频率输出范围50MHz~400MHz,各项性能满足设计指标要求,并使芯片噪声、速度和功耗最优。各模块电路可应用于其他相应的功能电路,对相关领域的设计具有一定的参考意义。

    2010年09期 v.10;No.89 8-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 2082K]
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  • 降压型转换器的下功率管过流保护电路设计

    包维佳;龚敏;陈昶;

    基于降压型DC-DC转换器结构,设计了一个在下功率管导通时预防过流情况发生的保护电路。首先阐述了下功率管过流保护电路设计的必要性,并从降压型DC-DC的电路原理上分析了针对下功率管的过流保护机制。接着详细介绍了该电路的工作原理和实现方式,在此基础上重点论述了一个运用在保护电路中的结构简单、检测准确的采样电路的设计。利用CSMC0.6μmBCD工艺,对该过流保护电路进行了仿真,在设置的仿真条件下,电路的采样误差不超过10%,响应时间约为280ns。仿真结果显示,整个电路设计具有响应快速、保护范围可灵活设置等特点。

    2010年09期 v.10;No.89 14-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 1658K]
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  • UART波特率发生电路设计

    赵琳娜;赵煌;李红征;

    设计了一种基于"ATD+迭代法"的UART波特率发生电路。波特率发生电路中的ATD电路用于监测串行数据的变化,并在串行数据的边沿(上升沿或下降沿)输出低电平信号。波特率探测电路对ATD电路的输出信号的低电平和高电平分别进行计数,该计数值和保持寄存器中存储的最小值比较,若前者小于后者,则保存寄存器中的最小值被该计数值取代,若前者大于后者,则保存寄存器中的最小值不变。经过一段时间比较迭代,最终得到设计需要的最小值,从而通过波特率发生器正确地输出串行数据的波特率。

    2010年09期 v.10;No.89 19-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 567K]
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  • 基于CPLD的ARINC429总线接口系统设计

    屈凌翔;单悦尔;杨兵;

    文章首先简单介绍了ARINC429航空总线的应用背景和总线传输协议的基本内容。然后根据ARINC429航空总线标准的要求,提出一种基于ACTEL公司CPLD的透明数据传输系统方案。在QUARTUSⅡ和MODELSIM的设计平台上,该系统成功实现12路ARINC429信号接收和4路ARINC429信号发送的功能,每个通道都包括32×8的数据FIFO,ARINC429字长为32位,主机接口采用16位,429数据速率支持12.5kbps与100kbps,数据传输实时可靠,能较好地满足ARINC429通信系统的要求。该电路系统采用正向设计,VerilogHDL硬件语言描述,ACTEL公司A3P250VQG100I实现,规模十四万门左右,采用VQFP100封装,双电源设计,功耗低至0.4W,能较好地满足工业级电路系统低功耗的设计要求。

    2010年09期 v.10;No.89 24-27+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 967K]
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  • CMOS集成电路闩锁效应抑制技术

    董丽凤;李艳丽;王吉源;

    闩锁效应是CMOS集成电路在实际应用中失效的主要原因之一,而且随着器件特征尺寸越来越小,使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。文章以P阱CMOS反相器为例,从CMOS集成电路的工艺结构出发,采用可控硅等效电路模型,较为详细地分析了闩锁效应的形成机理,给出了闩锁效应产生的三个基本条件,并从版图设计和工艺设计两方面总结了几种抑制闩锁效应的关键技术。

    2010年09期 v.10;No.89 28-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 290K]
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  • GaAs单片二极管双平衡混频器

    陈坤;彭龙新;李建平;

    采用0.25μm的GaAs工艺制作了一款单片二极管双平衡混频器。基于环形二极管双平衡混频器的基本工作原理,提出了LO巴伦与RF巴伦的区别所在,并以Marchand巴伦为LO巴伦,以triformer巴伦作为RF巴伦。在优化了局部电路后,再与环形二极管组成整体电路,并对整体电路进行了优化。最后对版图进行EM仿真,并稍作调整以改善EM仿真结果。当本振功率在13dBm时,实测得转换损耗在低本振和高本振下约为11.5dB和10.5dB,LO端口到IF端口和RF端口隔离度分别为30dB和35dB,LO端口和RF端口驻波分别小于2和3.5,实测结果与仿真结果基本一致。

    2010年09期 v.10;No.89 31-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 549K]
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微电子制造与可靠性

  • 工艺过程中生瓷带收缩问题研究

    胡进;司建文;李华新;

    HTCC/LTCC的工艺过程中经常会出现生瓷带收缩现象,由此现象引起的系列工艺问题众多,尤其对于多层互连结构的产品影响很大,而一些工艺环节会加重生瓷带收缩现象出现的频率、收缩的程度。文章对于生瓷带收缩现象的产生原因进行了较为详细的分析与阐述,同时针对生瓷带收缩问题采用生瓷带预处理工艺,并着重对不同的预处理工艺进行试验对比。不同的生瓷带预处理工艺各有利弊,可以根据产品的各自特点综合考虑,采用合适的工艺方法对生瓷带收缩问题加以解决。

    2010年09期 v.10;No.89 34-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 1103K]
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  • 0.5μm有源区腐蚀工艺的正交优化

    秦永伟;赵金茹;王春栋;李俊;

    文章基于Precision5000等离子刻蚀技术,运用正交优化实验法,控制由LPCVD制备的Si3N4膜层对SiO2的选择比,对0.5μm有源区腐蚀工艺进行优化。运用minitab软件获得选择比的主效应图、效应的Pareto图、正态概率图,并讨论O2、Ar、CHF3气体对选择比的影响,最终获得各气体成分的最佳配比。实验结果表明有源区腐蚀中通过提高过腐蚀中Si3N4对SiO2的选择比来减少SiO2的损失,可以成功地将SiO2的损失控制在合理范围内,且腐蚀后平面、剖面形貌等各种参数符合产品要求。

    2010年09期 v.10;No.89 38-40+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 900K]
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  • 先进相移掩模(PSM)工艺技术

    彭力;陈友篷;尤春;周家万;

    先进相移掩模(PSM)制造是极大规模集成电路生产中的关键工艺之一,当设计尺寸(CD)为0.18μm时,就必须在掩模关键层采用OPC(光学邻近校正)和PSM(相移技术),一般二元掩模由于图形边缘散射会降低整体的对比度,无法得到所需要的图形。通过相位移掩模(PSM)技术可以显著改善图形的对比度,提高图形分辨率。相移掩模是在一般二元掩模中增加了一层相移材料,通过数据处理、电子束曝光、制作二次曝光对准用的可识别标记、二次曝光、显影、刻蚀,并对相移、缺陷等进行分析和检测,确保能达到设计要求。

    2010年09期 v.10;No.89 41-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 494K]
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产品、应用与市场

  • 基于FPGA的OFDM调制解调系统设计与实现

    崔丽珍;王慧琴;马勇;

    正交频分复用(OFDM)是第四代移动通信的核心技术,该技术在高速数据传输中得到了广泛的应用。文章给出了正交频分复用系统的基本模型和该系统所采用的调制与解调方法;根据OFMD的特点,本设计提出了一种基于IFFT/FFT的OFDM调制解调器的低成本FPGA的实现方法。在ISE环境下完成对OFDM无线通信系统中快速傅里叶变换算法的仿真,仿真结果表明快速傅里叶变换在OFDM技术中具有一定的使用价值。实践证明,该方法具有设计简单、快速、高效和实时性等特点。

    2010年09期 v.10;No.89 46-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 575K]
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