电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 基于金属陶瓷贴片封装的数控衰减器设计

    沈宏昌;沈亚;

    衰减器作为幅度调制器件被广泛用于电子战、雷达、测试设备、通信等各种微波领域。随着信息革命的深入发展,通信、雷达、测试设备等各种微波领域的电子设备趋向于小型化、低成本,对元器件的体积、功耗、可靠性、使用方便性的要求越来越高。文章介绍了一款采用GaAsPHEMT工艺和金属陶瓷贴片封装制作的L波段高精度单片六位数控衰减器的设计方法和研制结果。测试结果表明在频率为DC~2GHz内,衰减步进0.5dB,衰减范围0~31.5dB,插入损耗IL<2.5dB,输入输出驻波比VSWR<1.4,衰减精度|△A_i|<(0.2+3%A_i)dB。附加相移|△φ|<3°,控制方式为TTL电平。

    2010年12期 v.10;No.92 1-4+19页 [查看摘要][在线阅读][下载 1039K]
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  • 凸台式PIN二极管失效分析和键合工艺改进

    肖诗满;李少平;

    PIN二极管在封装、试验过程中分别出现大量的失效,分析发现,这种PIN二极管考虑到频率和寄生电容的要求,采用一种"凸台"式结构,即结区和阳极在一个突出的凸台上,凸台直径仅有28μm。这种凸台边缘只要受到一个较小的机械应力的作用,就会造成凸台崩损、结被破坏,导致结漏电或在小电压下击穿。因此凸台对键合时产生的机械应力很敏感,普通的芯片键合技术也会对凸台造成机械损伤,严重影响器件良品率和长期可靠性。通过对劈刀的改进和重新选择键合丝以及精心调试的键合参数,有效防止了键合对二极管造成的损伤,提高了二极管的成品率和可靠性。

    2010年12期 v.10;No.92 5-7+11页 [查看摘要][在线阅读][下载 813K]
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  • QFP焊点可靠性研究

    邓小军;

    随着人们对健康和环境的要求越来越高,无铅焊料的研究倍受封装业的重视。塑性应变是影响电子封装焊点可靠性的主要因素,文章采用在多次温度循环条件下进行有限元数值模拟的方法,针对由不同元素(Sn,Pb,Ag,Cu)及配比构成的焊料,计算QFP焊点的塑性应变,定量评估其可靠性。给出焊料各参数对焊点可靠性的影响程度,仿真表明焊料激活能与气体常数的比值的变化对焊点可靠性影响最大,相应的焊点Y向塑性应变均值仅为优化前的11%。所得的结果可为今后QFP封装时的焊料选择提供新的理论依据。

    2010年12期 v.10;No.92 8-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 446K]
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  • 减少GaAs发光二极管键合陷坑的方法

    侯育增;张静;

    砷化镓(GaAs)发光二极管LED芯片既可作为发光器件,也可作为光电显示器件,并以其低能耗高亮度的优势被广泛应用,然而由于GaAs材料在机械性能上的不足,使其很容易在组装过程中产生键合陷坑,并对大批量生产造成影响。文章通过对比分析GaAs与Si的机械特性以及GaAs发光二极管的键合特殊性,较为系统地阐述了GaAs发光二极管产生键合陷坑的原因,并针对超声能量、键合压力、载片台温度等键合参数对GaAs发光二极管产生键合陷坑的影响,进行了充分的单项试验,根据试验结果制定了减少GaA s发光二极管键合陷坑的键合方法,极大提高了GaAs发光二极管的键合可靠性。

    2010年12期 v.10;No.92 12-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 560K]
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电路设计

  • 32bit定点定值小数乘法器的算法优化及实现

    刘诚;罗胜钦;

    小波理论和分析方法极大地促进了应用科学研究。应用领域包括:数学领域的许多学科;信号分析、图像处理;量子力学、理论物理;军事电子对抗与武器的智能化;计算机分类与识别;音乐与语言的人工合成;医学成像与诊断;地震勘探数据处理;大型机械的故障诊断等方面。CDF9/7小波更是图像编解码的首选变换核。它使用到了大量的小数乘法器,然而传统的滤波器结构都是把乘法器看成一个整体来设计,导致流水线不够深,以至于处理速度达不到很高的层次。文章首先对CDF9/7小波变换式进行变换,得到一个并行结构,并且对每一个乘法器使用Wallace Tree和CLA相结合的实现方法进行设计。最后通过仿真、功能验证和逻辑综合,证明该设计功能稳定,并且在速度上有很大的提升。

    2010年12期 v.10;No.92 16-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 304K]
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  • 一种应用于高速高精度模数转换器的比较器

    潘小敏;范晓婕;陈玉皎;

    文中设计了一种基于CMOS工艺的高速高精度时钟控制比较器。该比较器包含一个全差分开关电容采样级、一级预放大器、动态锁存器及时钟控制反相器。预放大器采用正反馈放大技术保证了增益和速度,锁存器采用两个正反馈锁存器和额外的反馈环路提高了锁存的速度。基于0.18μm 1.8V CMOS工艺进行了设计和仿真,结果表明该比较器可以应用于500 MSPS高精度流水线模数转换器。

    2010年12期 v.10;No.92 20-22+31页 [查看摘要][在线阅读][下载 451K]
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  • 基于TL494的直流变换器

    张波;

    文章介绍了开关电源的基本原理,DC/DC变换主电路分类,对开关电源的控制方式进行了比较,给出了专用集成控制器的优点。给出了专用集成控制器TL494的内部结构、管脚功能,详细分析了其工作原理、应用和优点,列举了TL494的应用实例。设计了一款由TL494控制的Buck型开关电源,给出了所用元器件,对整个电路工作原理进行了分析,分析了其产生PWM信号的原理,接收反馈实现稳压的原理及实现过流保护原理,测试其关键点的工作波形,并对此电路做了些改进,基于此对TL494进行了测试,该电路是TL494的典型应用,可以体现出TL494的大部分功能,电路具有采用元件少、性能稳定、效率高的优点。

    2010年12期 v.10;No.92 23-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 379K]
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微电子制造与可靠性

  • 关于VDMOS栅源漏电问题的研究

    陆宁;

    文章从VDMOS器件结构及工作原理入手,对VDMOS芯片生产的工艺控制难题——栅源漏电问题作了较全面的分析,描述了栅源漏电对器件的影响、常用的测试方法及问题发生的机理。以详实的理论依据和实际生产中的实验数据,归纳了影响VDMOS栅源漏电的因素及对应的工艺控制要点,总结了解决这一问题的思路及方法,供VDMOS技术工作者或其他各方面对VDMOS有一定了解的半导体技术工作者参考。

    2010年12期 v.10;No.92 27-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 593K]
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  • SONOS结构EEPROM单元辐射效应分析

    吕纯;蒋婷;周昕杰;

    随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了满足应用的需要,文章比较了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响,分析了FLOTOX和SONOS单元抗辐射性能的优劣,得出:SONOS结构的EEPROM单元,其抗辐射性能优于FLOTOX结构。并分析了在辐射条件下,SONOS结构受辐射影响的数学模型。文章的研究不但满足了目前的工作需要,还为以后抗辐射EEPROM研究提供了理论基础。

    2010年12期 v.10;No.92 32-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 341K]
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  • 三极管器件结构研究

    郑若成;陈姜;

    文章对三极管版图结构和器件特性关系进行了研究,设计了5种常规的纵向NPN管结构,从电流能力和寄生电阻两方面讨论了不同结构的差异和优劣。认为单基极接触结构比双基极接触结构具有更优的电流能力;集电极电流和发射极面积AE并不是按照比例线性增大,尤其在大注入时,集电极电流增大明显低于AE的增大;相同面积的马蹄形结构发射区放置在周围具有更大的AE和电流能力;这些结构在寄生电阻表现上各有优劣。讨论了基极和集电极接触方式差异对三极管电流性能的影响,对电路版图设计提出建议。讨论了EB隔离方式对三极管放大倍数HFE的影响,指出多晶隔离EB结构具有更大的HFE,尤其在小注入时表现显著。通过对这些结构的分析,还提出电流能力更优的梳状结构的版图布局。

    2010年12期 v.10;No.92 36-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 386K]
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产品、应用与市场

  • 基于Multisim的电路分析课程改革研究

    李若琼;

    文章针对《电路分析》课程概念多、理论性强、实践性强、比较抽象的特点,以及教学中的现状和存在的问题,提出了用Multisim仿真技术改革传统的教学模式。即将Multisim仿真技术融入到课堂教学中,通过仿真演示,使课堂教学和仿真技术相结合,使学生加深对课堂内容的理解和掌握,实现理论与实践教学的一体化。实践证明,这种教学模式大大调动了学生的学习积极性和主动性,对于帮助树立理论联系实际的工程观点,提高分析问题、解决问题的能力和自主探究精神都起着非常重要的作用。

    2010年12期 v.10;No.92 41-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 282K]
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信息报道

  • 中芯国际和灿芯半导体携手合作

    本刊通讯员;

    <正>中芯国际集成电路制造有限公司11月15日宣布即将投资灿芯半导体——一家上海ASIC设计以及Turnkey服务公司。该协议允许灿芯为客户提供基于中芯国际领先的代工制造和IP技术的完整的设计以及制造方案。具体的增值服务包括:特定应用架构和RTL设计,领先的物理设计,以及包括测试和包装等完整的产品化服务。该合作整合了IC设

    2010年12期 v.10;No.92 43页 [查看摘要][在线阅读][下载 83K]
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  • TSMC举办“供应链管理论坛”表扬优良供应商

    本刊通讯员;

    <正>TSMC 12月3日举办第十届供应链管理论坛,会中感谢所有供应商伙伴于过去一年对TSMC的支持与杰出贡献,并颁奖给九家优良设备、原材料及厂务供应商。此次论坛也因应未来技术演进的上下游配合、供应链的可持续与双赢的伙伴关系,邀请年度最佳合作厂商分享成功案例,共同探讨绿色环保议题的政策及具体作法,确保达成经济发展过程中极需重视的环境保护与可持续发展目标。今

    2010年12期 v.10;No.92 43页 [查看摘要][在线阅读][下载 83K]
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  • 立足先进技术 打造国际领先封装企业

    本刊通讯员;

    <正>江苏长电科技股份有限公司(简称长电科技)是集成电路封测产业链技术创新战略联盟理事长单位,中国领先的半导体封装测试生产基地,为客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案,荣获国家重点高新技术企业、中国电子百强企业、中国半导体十大领军企业等称号,拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站和我国第一家高密度

    2010年12期 v.10;No.92 44页 [查看摘要][在线阅读][下载 70K]
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  • 得可推出应用于阶梯印刷的VectorGuard~3D钢网

    本刊通讯员;

    <正>得可宣布正式推出VectorGuard~3D钢网,成为广受赞誉的VectorGuard~钢网系列的又一成员。这种新型的钢网为需要进行阶梯印刷的专业应用而设计,可以在有凹陷和凸起的不同平面上实现焊膏印刷。

    2010年12期 v.10;No.92 44页 [查看摘要][在线阅读][下载 70K]
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  • SiGe半导体跻身全球半导体联盟“最受尊敬的私营半导体企业奖”候选名单

    本刊通讯员;

    <正>全球领先的硅基射频(RF)前端模块(FEM)和功率放大器(PA)供应商SiGe半导体公司已获全球半导体联盟提名为2010年度"最受尊敬的私营半导体企业奖"之候选者,优胜者将于12月9日在硅谷圣克拉拉会议中心举办的颁奖晚宴上宣布。GSA指出,"最受尊敬的私营半导体企业奖"旨在表彰在产品、愿景和未来机会方面最为业界尊崇的私营半导体企

    2010年12期 v.10;No.92 44-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 146K]
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  • 飞兆半导体积极扩展手机应用市场

    本刊通讯员;

    <正>飞兆半导体公司宣布,该公司业已增强对于移动手机市场的投入,在公司成功的半导体解决方案上,提供新的功能性水平,以帮助客户实现便携设计差异化。飞兆半导体创建出可与移动设备中芯片组相辅相成的专用功能半导体产品,并进一步增加目标系列的模拟和功率知识产权(IP)产品的投资和开发,以满足手机制造商特定的信号路径需求,包括音频、视频、USB、信号、感测和定时,

    2010年12期 v.10;No.92 45页 [查看摘要][在线阅读][下载 76K]
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  • Synopsys和中芯国际合作推出65nm~40nm的SoC设计解决方案

    本刊通讯员;

    <正>全球领先的半导体设计、验证和制造软件及知识产权(IP)的供应商新思科技有限公司和中芯国际集成电路制造有限公司11月15日宣布已正式提供用于中芯国际先进65nm工艺的系统级芯片(SoC)综合设计解决方案。该解决方案将Synopsys丰富的Design Ware(?)接口、模拟IP产品组合和

    2010年12期 v.10;No.92 45页 [查看摘要][在线阅读][下载 76K]
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  • 埃派克森第三次荣获全球半导体联盟年度嘉奖

    本刊通讯员;

    <正>全球半导体联盟日前宣布,埃派克森被授予GSA 2010"私营公司年度业绩杰出成长奖"。埃派克森今年第三次荣获GSA的年度荣誉,成为继联发科之后的第二家获得三届全球半导体联盟年度奖项的亚太公司。作为全球半导体工业的权威机构,GSA扮演着全球半导体产业的代言者,它的年度奖项是全球半导体领域最权威和含金量最高的荣誉。众多知名企业当年作为新兴公司

    2010年12期 v.10;No.92 45-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 141K]
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  • TSMC接受美国国际贸易委员会调查37nm及以下工艺案已终结

    本刊通讯员;

    <正>TSMC于11月16日宣布,就美国国际贸易委员会(USITC)针对TSMC被指控28nm工艺技术有侵权之虞的调查案,得以有利于TSMC的方式终结。TSMC与请求USITC调查此案的美国新墨西哥大学专利授权机构STC.UNM均已向法院提出终止调查申请,内容可参阅USITC网站,案件编号:337-TA-729、标题:In the Matter of Certain SemiconductorProducts Made by Advanced Lithography Techniques and

    2010年12期 v.10;No.92 46页 [查看摘要][在线阅读][下载 64K]
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  • 泰科电子推出业界首款可回流焊热保护(RTP)器件,帮助节省电路板空间和组装时间

    本刊通讯员;

    <正>泰科电子(Tyco Electronics)日前宣布推出一项突破性技术,可使制造商们将表面贴装的热保护器件纳入到他们符合RoHS规范的标准回流焊组装工艺中。制造商们将因由手工装配过渡到具有高性价比的表面贴装器件(SMD)工艺而节省了大量费用。此款可回流焊热保护(Reflowable ThermalProtection,RTP)器件采用业界标准的元件贴装和无铅回流

    2010年12期 v.10;No.92 46页 [查看摘要][在线阅读][下载 64K]
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  • Achronix将采用英特尔22nm工艺技术来打造世界上最先进的现场可编程门阵列(FPGA)产品

    本刊通讯员;

    <正>Achronix半导体公司日前宣布:该公司已经战略性地获得了英特尔公司22nm工艺技术的使用权,并计划开发最先进的现场可编程门阵列(FPGA)产品。Achronix公司的Speedster22i FPGA产品系列将打破现有FPGA的各种极限,能以高性价比实现各种高性能器件的生成,这些器件在规模上将超过250万个查找表(LUT),相当于一个具有2000万门的专用集成电路(ASIC)。

    2010年12期 v.10;No.92 46页 [查看摘要][在线阅读][下载 64K]
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  • Microsemi发布65nm嵌入式快闪平台

    本刊通讯员;

    <正>致力于实现智能化的安全互连世界的半导体技术领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布,旗下SoC产品部门(原为爱特公司Actel Corporation)发布全新65nm嵌入式快闪平台,以用于构建公司下一代基于快闪的可定制系统级芯片(system-on-chip,SoC)。美高森美的低功耗智能

    2010年12期 v.10;No.92 46-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 140K]
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  • 英特尔获授权使用CEVA面向下一代4G无线产品的CEVA-XC DSP内核

    本刊通讯员;

    <正>全球领先的硅产品知识产权(SIP)平台解决方案和数字信号处理器(DSP)内核授权厂商CEVA公司宣布,英特尔公司已获授权使用CEVA-XC通信DSP内核。CEVA公司首席执行官Gideon Wertheizer称:"我们很荣幸英特尔选择CEVA旗舰产品CEVA-XC DSP。通过使用CEVA的技术,英特尔等业界领导厂商能够立即支持最先进和性能要求最严苛的无线标准。"CEVA-XC是专为4G终端和无线基础设施而设计的高

    2010年12期 v.10;No.92 47页 [查看摘要][在线阅读][下载 75K]
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  • Dialog半导体推出首款2D到3D视频转换芯片

    本刊通讯员;

    <正>Dialog半导体股份有限公司日前宣布推出全球首款2D/3D影像转换实时处理芯片:DA8223。该芯片为包括智能手机和平板电脑等在内的各种便携式设备提供了2D/3D视频影像实时转换处理的功能。该器件同时也集成了一个视差栅栏(parallax barrier)屏幕驱动器,允许用户在不需要眼镜的情况下观看3D内容。该芯片对每一帧2D视频图像进行分析,通过分离前景图像和背景图像,创造出一个分层的深度映射图(Z-depth)。

    2010年12期 v.10;No.92 47页 [查看摘要][在线阅读][下载 75K]
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  • 《电子与封装》杂志征稿启事

    <正>《电子与封装》杂志是目前国内唯一一本全面报道封装与测试技术、半导体器件和IC设计与制造技术、产品与应用以及前沿技术、市场信息等的技术性刊物,是中国电子学会生产技术学分会(电子封装专业)会刊、中国半导体行业协会封装分会会刊。为促进我国封装测试专业技术水平的提高和生产技术的发展,加

    2010年12期 v.10;No.92 48页 [查看摘要][在线阅读][下载 62K]
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