电子与封装

Electronics & Packaging


信息报道

  • 信息报道

    本刊通讯员;

    <正>SEMI中国LED委员会于2011年12月12日在上海成立SEMI中国宣布成立SEMI中国LED委员会(以下简称"委员会"),并于2011年12月12日举行了首次会议。该委员会由LED制造产业链上多家公司组成,涵盖全球蓝宝石衬底生产、MOCVD制程、高亮度LED制造及关键设

    2012年01期 v.12;No.105 6+44-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 1321K]
    [下载次数:10 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:30 ]

封装、组装与测试

  • 绿色环保无卤阻燃环氧塑封料的研究与发展

    宋涛;李志生;封其立;王超;刘金刚;杨士勇;

    随着先进集成电路封装技术的快速发展以及全球环境保护呼声的日益高涨,绿色环保无卤阻燃环氧塑封料得到了越来越广泛的重视。文章综述了近年来国内外在绿色无卤阻燃环保塑封料研究与开发领域内的最新进展。分别介绍了均聚型、共聚型以及含氟苯酚-芳烷基型酚醛树脂固化剂、环氧树脂以及塑封料的阻燃机制、研究现状以及发展趋势。同时介绍了中国科学院化学研究所在相关领域内的研究进展情况,最后对我国绿色环保塑封料产业的发展前景进行了展望。

    2012年01期 v.12;No.105 1-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 2167K]
    [下载次数:346 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:5 ] |[阅读次数:29 ]
  • 芯片叠层封装工艺技术研究

    李丙旺;徐春叶;欧阳径桥;

    随着大量电子产品朝着小型化、高密度化、高可靠性、低功耗方向发展,将多种芯片封装于同一腔体内的芯片叠层封装工艺技术将得到更为广泛的应用,其封装产品的特点就是更小、更轻盈、更可靠、低功耗。芯片叠层封装是把多个芯片在垂直方向上堆叠起来,利用传统的引线封装结构,然后再进行封装。芯片叠层封装是一种三维封装技术,叠层封装不但提高了封装密度,降低了封装成本,同时也提高了器件的运行速度,且可以实现器件的多功能化。随着叠层封装工艺技术的进步及成本的降低,多芯片封装的产品将更为广泛地应用于各个领域,覆盖尖端科技产品和应用广大的消费类产品。

    2012年01期 v.12;No.105 7-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 1447K]
    [下载次数:463 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:12 ] |[阅读次数:32 ]
  • 陶瓷外壳内部气氛和多余物对产品性能的影响

    余咏梅;

    陶瓷外壳内部气氛、多余物对器件会造成致命的影响。陶瓷外壳封装芯片后,其内部残余气氛的状况对元器件的性能、寿命和可靠性影响很大,很容易造成元器件的性能低劣和早期失效。陶瓷外壳多余物,即便是非导电多余物,对元器件也会造成影响,可导致光电器件信号传递和继电器触点的不导通。文章通过分析陶瓷外壳内部残余气氛对元器件的影响及影响因素,陶瓷外壳烧结过程、电镀过程造成的水汽及解决办法,陶瓷外壳多余物对元器件的影响等,指出了解决问题的方向和办法,对提高产品质量有一定的意义。

    2012年01期 v.12;No.105 11-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 1930K]
    [下载次数:93 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:24 ]
  • 长波InAsSb材料的结构特性研究

    杜传兴;高玉竹;龚秀英;方维政;

    用熔体外延(ME)法在InAs衬底上生长了InAsSb外延层,用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的横截面,并测量出外延层的厚度达到100μm,用X-射线衍射(XRD)谱研究了InAsSb外延层的结构性质。测量结果表明,InAs/InAs0.023Sb0.977单晶具有相当完美的晶体取向结构及良好的结晶质量,这可能得益于100μm的外延层厚度基本消除了外延层与衬底之间晶格失配的影响。电子探针微分析(EPMA)测量的元素分布图像显示,Sb(锑)元素在外延层中的分布相当均匀。

    2012年01期 v.12;No.105 14-16+24页 [查看摘要][在线阅读][下载 1900K]
    [下载次数:68 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:21 ]

电路设计

  • 测试系统电路板维修探讨

    姚锐;徐超;

    学习电路板维修并不只是单一的了解集成电路,而是要深入研究维修方法及各个功能模块。维修方法只是实现目的的一种手段,要想维修好电路板就必须要了解其功能模块。功能模块是由集成电路和相关元器件组合而成,通过研究集成电路的前后关系,便能知道此功能模块的作用。文章首先总结电路板的维修方法及故障分类,然后对测试系统电路板(DPS)的故障检修进行深入的研究,包括:绘制DPS板结构图,了解DPS板工作原理,深入研究DPS板各功能模块,其中包括逻辑控制单元、数模转换、电流采样、电流箝位,并对DPS板各功能模块的相应故障进行了详细的分析。

    2012年01期 v.12;No.105 17-20+24页 [查看摘要][在线阅读][下载 2254K]
    [下载次数:56 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:32 ]

微电子制造与可靠性

  • 大功率集成功放模块工艺研究

    刘笛;刘洪涛;贺玲;

    在各类电子产品集成度越来越高的前提下,大功率集成功放模块也同样面临着集成度不断提高的要求,如何使其效率更高、体积更小、重量更轻、成本更低、更加可靠耐用已成为大功率集成功放模块工艺研究的主要方向。文章介绍了一种大功率集成功放模块的封装结构设计及组装工艺,功率半导体模块是把若干分立器件及内部电路进行组装,然后用环氧树脂灌封而成的新型器件。它具有体积小、外壳与电极绝缘、可靠性高、安装方便等优点。在研制过程中借鉴了国外知名企业产品的工艺技术,同时也充分利用了现有成熟的半导体集成电路的封装技术。

    2012年01期 v.12;No.105 21-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 1516K]
    [下载次数:74 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:19 ]
  • 天线效应对LPNP管输出曲线的影响

    郑若成;汤赛楠;

    天线结构是监控半导体工艺过程中等离子体损伤的一种典型结构,一般主要用来监控MOS器件栅氧的损伤。文中,该结构用来监控横向PNP(LPNP)管工艺过程中的发射极结损伤。实验发现,带天线结构的LPNP管的输出曲线容易出现翘曲现象,分析认为该异常不是由于发射极结损伤造成的,因为发射极结工艺过程中并没有受到损伤。同时发现该翘曲现象在LPNP管保护环接低电位时会消失,该低电位在很大范围内变化时,输出曲线基本一致,且输出曲线电流较保护环悬空时的电流整体偏大,在集电极电压较大时,输出电流和保护环悬空时的电流一致。

    2012年01期 v.12;No.105 25-27+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 2832K]
    [下载次数:19 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:22 ]
  • PD SOI BTSNMOS器件的三维SEU仿真

    徐静;陈正才;洪根深;

    采用silvaco软件对抗辐射PD SOI BTSNMOS器件进行了三维SEU仿真。器件建模采用devedit软件,工艺参考标准0.8μm PD SOI工艺平台。器件基于SIMOX SOI材料,其埋氧层厚度为375nm,顶层硅膜厚度为205nm。三维SEU仿真的入射粒子轨迹垂直于器件表面,主要选取了垂直于沟道方向(DS)和平行于沟道方向(PDS)。对比了不同入射粒子轨迹下器件关断状态下漏端电流随粒子入射时间的变化,确定了器件的敏感区域在漏体PN结处,并且越远离体接触的地方,对SEU效应越敏感。

    2012年01期 v.12;No.105 28-30+36页 [查看摘要][在线阅读][下载 2521K]
    [下载次数:82 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:24 ]
  • 应变硅技术在纳米CMOS中的应用

    刘国柱;姚飞;王树杰;林丽;

    应变硅技术具有迁移率高、能带结构可调的优点,且与传统的体硅工艺相兼容,在CMOS工艺中得到广泛地应用,尤其是MOS器件的尺寸进入纳米节点。文章综述了应变硅技术对载流子迁移率影响的机理,并从全局应变和局部应变两个方面介绍了应变硅在CMOS器件中的应用。同时,将多种应变硅技术整合在一起提升MOS器件的性能是未来发展的趋势。

    2012年01期 v.12;No.105 31-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 1927K]
    [下载次数:442 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:5 ] |[阅读次数:34 ]

产品应用与市场

  • 采购产品的验证

    杨锦南;谭剑梁;

    在采购产品的验证中结合采购产品的采购要求、关注采购产品在工艺过程中受到的影响以及采购产品对最终产品的影响。根据设计输出和不同采购产品的重要程度制定验证方案。此外,还列举了一些采购产品验证相关的典型案例,分析了其中验证不足的原因,以供参考。

    2012年01期 v.12;No.105 37-38+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 1350K]
    [下载次数:34 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:19 ]
  • 电子封装技术发展现状及趋势

    龙乐;

    现今集成电路晶圆的特征线宽进入微纳电子时代,而电子产品和电子系统的微小型化依赖先进电子封装技术的进步,封装技术已成为半导体行业关注的焦点之一。主要介绍了近年来国内外出现的有市场价值的封装技术,详细描述了一些典型封装的基本结构和组装工艺,并指出了其发展现状及趋势。各种封装方法近年来层出不穷,实现了更高层次的封装集成,因而封装具有更高的密度、更强的功能、更优的性能、更小的体积、更低的功耗、更快的速度、更小的延迟、成本不断降低等优势,其技术研究和生产工艺不可忽视,在今后的一段时间内将拥有巨大的市场潜力与发展空间,推动半导体行业进入后摩尔时代。

    2012年01期 v.12;No.105 39-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 1320K]
    [下载次数:3184 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:70 ] |[阅读次数:84 ]

  • 新春寄语

    陶建中;

    <正>亲爱的朋友:您好!感谢您对《电子与封装》杂志长期以来的支持和关注。《电子与封装》是中国半导体行业协会封装分会会刊、中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊,为CNKI中国期刊全文数据库收录期刊、中国学术期刊综合评价数据库统计源期刊、《中国核心期刊(磷选)数据库》收

    2012年01期 v.12;No.105 3页 [查看摘要][在线阅读][下载 212K]
    [下载次数:10 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:15 ]
  • 下载本期数据