电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • SOT23系列产品MSL1封装工艺研究

    周建国;王希有;

    近年来集成电路封装材料、设备及工艺技术研究进展迅速,尤其是封装材料及封装设备更是日趋完善。材料性能和设备能力已不再是SOT23系列产品达到MSL1要求的主要/关键限制因素。文章主要研究影响SOT23系列产品达到MSL1要求的工艺过程因素,寻求SOT23系列产品达到MSL1要求的工艺过程控制解决方案。通过对工艺过程中关键工序加工方法、工艺流程及工艺条件的试验,最终确定了可以稳定通过MSL1的方案,其主要做法是:在粘片后采用分段烘烤,在压焊和塑封前加等离子清洗以及对工序间间隔时间进行控制。

    2012年05期 v.12;No.109 1-4+10页 [查看摘要][在线阅读][下载 2986K]
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  • 电子封装用低膨胀高导热SiC_p/Al复合材料研究进展

    孙晓晔;汪涛;

    随着微电子技术及半导体技术的快速发展,高封装密度对材料提出了更高的要求。SiCp/Al复合材料具有低膨胀系数、高导热率、低密度等优异的综合性能,受到了广泛的关注。作为电子封装材料,SiCp/Al复合材料已经在航空航天、光学、仪表等现代技术领域取得了实际的应用。文章介绍了SiC颗粒增强铝基复合材料的研究现状,详细阐述并比较了几种常用的制备方法,包括粉末冶金法、喷射沉积法、搅拌铸造法、无压渗透法、压力铸造法等,进一步分析了各种方法的优缺点,并在此基础上展望了未来研究和发展的方向。

    2012年05期 v.12;No.109 5-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 3116K]
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  • 内嵌于DDS的DAC线性参数测试

    张凯虹;武新郑;武乾文;

    文章重点介绍了内嵌于DDS的DAC线性参数的一种测试方法。该测试方法的优点是开发周期短、测试成本低、可在多种测试机台上实现。解决了DDS中不能对DAC输入端直接操作的难题,同时不影响其他参数的测试。文章基于LabView软件,使用示波器或NI板卡,结合其他仪器对DAC的静态参数进行了研究并试验。其中示波器或NI板卡完成信号采集,其他仪器完成芯片配置,微机对整个流程进行控制并将测试结果按序输出,实现测试自动化。通过试验证明该方法可行,测试效率高,测试结果达标并稳定。

    2012年05期 v.12;No.109 11-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 1981K]
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  • TO-252晶体管全自动测试/打标分选机设计

    马利年;李伟民;

    文章对带有外观检验功能的TO-252晶体管全自动测试/打标分选机的工作原理、软件和硬件设计进行详细介绍。该设计中首次引入测试推管机构,以解决因TO-252管脚太短、产品管脚与金手指接触不良引起的产品电参数测试误测问题;同时,在生产流程中引入外观检验工位,对测试、打标后的产品打标内容和管脚外型尺寸进行自动检验,很好地避免了成品中出现外观不良的产品。实践证明,该机具有自动化程度高、运行高速可靠、操作安全方便、维护简单、性价比高等优点,客户使用后反映良好。

    2012年05期 v.12;No.109 14-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 2269K]
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电路设计

  • 一种新型高压输入开关电源的设计

    李江达;韩留军;曾正;

    大规模集成电路的出现,促进了电子设备的高功率密度化。这要求为之供电的直直变换器也随之高功率密度化。高频、高效开关变换是直直变换器实现高功率密度的基础。文章阐述了一种采用UC3844集成芯片实现的新型高压输入DC/DC反激开关电源,并给出了详细的电路参数及高频变压器的设计方法,该开关稳压电源采用双闭环电流控制模式,其输入、输出电路采用光耦隔离。

    2012年05期 v.12;No.109 18-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 2473K]
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  • Ka波段三路波导功分器/合路器

    任重;成海峰;徐建华;罗运生;

    文章设计了一种可以使用在固态合成发射机上的三路等分功率波导功分器/合路器。在波导分支定向耦合器的基础上,增加一路副线波导,构成了一个一路输入、一路直通、两路耦合、两路隔离的六端口网络;采用增加波导长度的方式解决了实际应用中的相位补偿问题。另外在功分器的三路输出端增加了微带部分以提高功分器的可调试性。实际测量数据基本符合仿真结果:在1GHz带宽内,功分器的一路插损小于6dB,输入驻波小于1.6;合路器的一路插损小于4.9dB,输出驻波小于1.3。其性能满足使用要求。文章最后对该类型的波导功分器/合路器的设计提出若干改进方案。

    2012年05期 v.12;No.109 22-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 4596K]
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微电子制造与可靠性

  • 厚多晶硅膜饱和掺杂工艺研究

    林丽;聂圆燕;吴晓鸫;

    文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式,其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中,需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响,一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的,要制作低阻值多晶电阻,需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式,进行低阻值的多晶硅薄膜制作,并通过实验,证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。

    2012年05期 v.12;No.109 28-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 1777K]
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  • BST薄膜对GaN衬底的传输特性影响

    叶育红;周骏;沈亚;李辉;

    钛酸锶钡(BST)薄膜是一种重要的铁电薄膜,应用广泛,是高新技术研究的前沿和热点之一。文章重点讨论了不同结构的BST薄膜对GaN传输线的传输特性影响,分析了不同的BST薄膜材料参数对传输性能的影响。实验证明,未电镀的传输线空洞较多,直流电阻变大,生长了BST薄膜的传输线插损约为0.32dB/mm,不同的薄膜材料参数对传输特性的影响也很明显,随着介电常数、膜厚以及损耗角的增大,传输线有效介电常数变大,特性阻抗减小。为基于磁电效应的GaN功率放大器设计提供了一定的借鉴。

    2012年05期 v.12;No.109 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 2890K]
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  • 采用DOE方法优化非晶硅溅射工艺

    张明;周都成;陈海峰;王栩;

    文中通过使用DOE实验设计方法对磁控溅射设备a-Si靶工艺特性进行能力研究,给出了该设备工艺随功率、压力、温度的设定条件下a-Si介质生长速率与均匀性的变化关系。结果表明,功率和压力是主要决定速率和均匀性的关键因素,基片温度从室温到300℃,a-Si淀积速率基本不变。降低工艺压力对改善均匀性最为明显;工艺温度和功率的降低虽也可以起到改善均匀性的作用,但效果不明显,且三者的变动同时会导致速率的变化,为今后的生产、开发应用提供了参考意见。

    2012年05期 v.12;No.109 35-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 1880K]
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  • 多品种小批量元器件的统计过程控制

    康蜜;赵金丹;

    针对国内许多元器件生产企业普遍存在的多品种小批量订货情况,如何使小批量产品保持大批量产品同样的质量和可靠性成为要研究的问题。文章介绍了统计过程控制技术原理及评价流程,分析了多品种小批量元器件生产存在的数据量不足和工艺参数嵌套性的统计问题,并给出了解决方法,依据嵌套回归的数学统计原理,以元器件生产中广泛采用的电镀工序为例,应用嵌套回归控制图对镀层厚度参数进行数据分析处理,以判断工序过程是否处于统计受控状态。

    2012年05期 v.12;No.109 38-41+44页 [查看摘要][在线阅读][下载 2444K]
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  • 浅谈对集成电路加速寿命试验的认识

    颜燕;帅喆;

    老炼、稳态寿命等加速寿命试验是衡量集成电路使用寿命的主要手段。文中简要介绍了集成电路的主要可靠性指标——FIT,呈现集成电路失效特征的"浴盆曲线",以及不同失效阶段的主要影响因素、失效率与时间相关的统计分布特征。在此基础上,文章对老炼和稳态寿命的试验目的进行了说明,并列出稳态寿命试验的等效试验条件表以及通过该试验的集成电路使用寿命的一些参考数据。

    2012年05期 v.12;No.109 42-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 2180K]
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产品应用与市场

  • 半导体设备AMAT P5000死机故障分析及处理

    郭晶磊;顾吉;

    著名半导体设备厂商美国应用材料公司生产了半导体制程设备P5000,该设备在实际使用过程中经常出现各种类型的死机现象。文章重点介绍了通过查询P5000设备的死机报告界面,对该界面进行分析,找出其中最关键的死机代码,并对常见的的死机代码进行原因分析,找出相应的死机原因。针对不同的死机原因提出相对应的可行性解决方案,最终快速、正确地解决常见的死机问题。

    2012年05期 v.12;No.109 45-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 2540K]
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信息报道

  • 无锡市半导体行业协会成立大会在锡举行

    本刊通讯员;

    <正>无锡市半导体业界同仁于2012年4月19日下午汇聚在无锡锡州花园酒店,隆重召开无锡市半导体行业协会成立大会。无锡市副市长曹佳中到会并作讲话。出席会议的领导有:国家工信部科技委常务副主任、中国半导体行业协会名誉理事长俞忠钰先生,中国半导体行业协会执行副理事长徐小田先生,江苏省经信委副主任龚怀进先生,中国工程院院士许居衍先生,国家01专项总体组组长魏少军先

    2012年05期 v.12;No.109 48页 [查看摘要][在线阅读][下载 1416K]
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