电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 电子制造中的引线键合工艺(三)(英文)

    宗飞;王志杰;徐艳博;叶德洪;舒爱鹏;陈泉;

    文章通过总结众多相关文献的研究成果和实际引线键合工艺中的经验心得,为读者呈现较全面的有关引线键合的介绍,包括键合时序、机台动作、关键键合参数、键合材料特性、键合工具的设计、键合机理等方面。在对一些常见的工艺问题(如不烧球、高尔夫焊点、短线尾、焊点不粘等)分析的基础上,讨论其解决方案和最近研究进展;同时也关注了铜引线键合技术发展中存在的一些问题。由于作者能力及文章篇幅的限制,仅对关键工艺及因素进行了探讨,希望能帮助读者深入了解引线键合工艺,并对实际工艺问题的解决和键合理论机理的研究有所益处。

    2013年03期 v.13;No.119 1-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 4151K]
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  • 声学扫描显微镜检查在塑封器件检测中的应用

    陈章涛;潘凌宇;

    随着塑封器件在武器系统中的使用越来越广泛,塑封器件在使用中也暴露出了一些问题,如塑封器件易打磨、翻新,内部易进入水汽产生爆米花效应或内部界面分层等。作者总结近几年塑封器件DPA试验中出现的各种失效,重点对塑封器件内部界面分层以及分层产生的原因、危害进行了论述。同时,论述了声学扫描显微镜检查对内部界面分层的辨别、原理及其相关试验标准等,提出了塑封器件在型号产品中的使用建议。

    2013年03期 v.13;No.119 9-12页 [查看摘要][在线阅读][下载 1876K]
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  • LTCC表面金属化的可焊性研究

    刘炳龙;闵志先;

    采用还原气氛焊接,研究了LTCC基板的表面金属化工艺对In-Sn、Pb-Sn和Au-Sn焊料可焊性的影响。结果表明厚膜烧结的PdAg导体可焊性较差,In-Sn和Pb-Sn焊料在其表面分别出现了不润湿和溶蚀现象。通过对LTCC基板表面导体进行电镀改性,Cu/Ni/Au镀层提高了Pb-Sn和Au-Sn焊料的可焊性,而Cu/Ni/Sn镀层则提高了In-Sn和Pb-Sn焊料的可焊性。最后,对提高可焊性的因素进行了讨论。

    2013年03期 v.13;No.119 13-15+23页 [查看摘要][在线阅读][下载 2476K]
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  • 一种串并结合的多Site熔丝编程算法

    张亚军;陶雪峰;

    随着集成电路产业的迅猛发展,熔丝修调越来越广泛地应用于集成电路测试工序,熔丝段数目随着需要修调参数的增多而逐步增长,传统的串行熔丝编程方案程序存在代码长、可维护性差、执行时间长等缺点,为了改进代码的可读性和可维护性,文章引进了改进型算法,但对测试执行时间没有任何改善。随着测试代工市场竞争日益激烈,多Site测试方案被广泛使用,但是熔丝编程还继续着串行编程的老算法,Site数目越多,熔丝编程时间越长。针对以上,文章提出了一种串并结合的多Site熔丝编程算法,将多Site熔丝编程时间控制在和单Site熔丝串行编程时间几乎一致。

    2013年03期 v.13;No.119 16-19+27页 [查看摘要][在线阅读][下载 1757K]
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电路设计

  • 高精度正弦波三相发生器电路的研制

    王怀荣;

    信号发生器电路虽然是应用最基础最广泛的电子器件,它的各项指标要求和性能对整个电子系统的稳定工作及精度至关重要,传统的模拟信号源在输出频率、波形幅度、相位及稳定度等指标已很难满足目前的使用要求。中国电科47所根据数字频率合成(DDS)技术研制的LM47112三相正弦波电路,没有采用成本高、工艺繁杂的线性电路及目前流行的PAG等器件,实现了器件的高精度和高稳定性。文章较为详细地介绍了其设计思路及对所选用的器件的实验分析和计算,同时还给出了该电路的试验结果和专用电路,以满足不同使用者的要求。

    2013年03期 v.13;No.119 20-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 2095K]
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  • 一种夹层电阻结构及其应用

    吴海宏;张勇;陈钟鹏;朱琪;

    在模拟电路的设计中,经常会用到一种特殊的夹层电阻,但是关于该电阻的相关介绍较少。文章提出了一种夹层电阻的结构,对其原理进行了详细的分析,在此基础上,利用该夹层电阻,设计了一款支持宽工作电压范围的振荡器。最后,又对该振荡器进行优化改进,使其能适应3~30 V的宽工作电压,并且在5.5~30 V范围内保持输出频率不变,进一步阐述了该夹层电阻的原理和特性。

    2013年03期 v.13;No.119 24-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 1773K]
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  • 小型化LTCC低通滤波器设计与制造工艺研究

    王颖麟;薛耀平;

    设计了一种小型化的LTCC低通滤波器,采用LC集总元件完成原理图的设计与仿真,使用HFSS完成滤波器结构的三维电磁场仿真,最终在LTCC工艺线上完成加工制作。LTCC滤波器使用介电常数7.8、损耗角为0.006的生瓷片,内部导体电路印刷使用配套的银浆料,最终尺寸为3.2 mm×1.6 mm,厚度为1.4 mm,达到小型化的目的,可应用于移动通信等领域。

    2013年03期 v.13;No.119 28-31+35页 [查看摘要][在线阅读][下载 2911K]
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微电子制造与可靠性

  • SiGeC薄膜表征对于光刻对准性能的影响研究

    王霞珑;

    Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性,器件和制程又可与Si工艺兼容,采用Si1-x-yGexC及其Si1-x-yGexCy/Si异质结所制作出来的器件如异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor,HBT),其电性能几乎可达到GaAs等化合物半导体制作的同类器件的水平,而且在成本上低于GaAs HBT。因此Si1-x-yGexCy可能是未来微电子发展进程中必不可少、并起着关键作用的一种材料。文章对Si1-x-yGexCy薄膜的表征进行了探索,在总结大量数据的基础上,验证了利用Si1-x-yGexCy薄膜的反射率进行光学表征的方法的可行性。同时,文章系统研究了Si1-x-yGexCy薄膜的工艺条件、薄膜成份、薄膜厚度等参数对光刻对准性能的影响。

    2013年03期 v.13;No.119 32-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 1954K]
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  • 基于PD SOI工艺的高压NMOS器件工艺研究

    徐静;廖聪湘;陈正才;

    由于PD SOI工艺平台的特殊性,P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的,需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂,这在工艺上是不容易实现的。文章针对常规高压NMOS器件做了仿真,发现漂移区必须采用能量高达180 KeV、剂量6×1013以上的P注入才能将P阱反型,形成高压NMOS器件,这在工艺实现上不太容易。而采用漂移区在N阱里的新结构,可以避免将P阱上漂移区反型的注入工艺,在工艺上容易实现。通过工艺流片验证,器件特性良好。

    2013年03期 v.13;No.119 36-38+42页 [查看摘要][在线阅读][下载 2662K]
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  • 电子封装净化间的静电防护及监控

    夏林胜;陈该青;朱春临;程明生;

    随着电子产品集成度越来越高,器件对静电也越来越敏感,容易受静电放电导致损伤或损坏。文章介绍了静电的产生机理,阐述在生产制造过程中静电产生的来源以及危害。介绍了净化间内部抑制静电产生的三大措施:防止静电荷积聚,建立安全的静电泄放通路,以及采取静电监控设备进行静电监控。提出采用镀锡铜排环绕厂房内部的形式来消除静电防护死角,并重点描述了防静电门禁系统和静电在线监控系统的工作原理及功能实现,结合电子封装厂房结构特点,首次提出防静电门禁系统与风淋门联动控制,有效控制封装厂房的静电来源。

    2013年03期 v.13;No.119 39-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 2490K]
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产品、应用与市场

  • GDB RSP协议与USB通信在嵌入式调试系统中的应用

    盛建忠;王胜;张庆文;

    对于嵌入式系统开发来说,远程调试器非常重要,而GDB RSP协议与USB通信一般在嵌入式调试系统中占有重要位置。文章在研究GDB RSP协议与USB通信的基础上,针对ZW100 DSP处理器的体系架构,给出了一种基于RSP命令交互与USB数据通信实现硬件仿真器与PC端调试软件进行调试信息交互的开发与实现方法。该设计实现了GDB通过硬件仿真器下载程序到目标板进行开发调试的功能,使得开发简洁便利,缩短了研发周期。

    2013年03期 v.13;No.119 43-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 3664K]
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