电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 毫米波射频互连微组装工艺优化研究

    任榕;卢绍英;赵丹;解启林;邱颖霞;

    在毫米波产品的装配中,射频互连微组装工艺是影响产品性能的一个重要因素。采用三维电磁仿真软件对毫米波频段的组装缝隙宽度、金丝热超声楔焊跨距及拱高进行了建模仿真,分析了上述因素对驻波的影响。针对模拟仿真优化结果,给出了毫米波射频互连装配精度控制、接地焊接效果优化、金丝热超声楔焊线型及键合参数优化等相应的工艺优化措施,从而达到毫米波射频互连微组装工艺优化的目的。

    2013年10期 v.13;No.126 1-4+9页 [查看摘要][在线阅读][下载 2219K]
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  • 基于封装工艺识别翻新塑封集成电路

    杨城;张吉;马清桃;潘凌宇;

    塑封集成电路在高可靠性领域应用越来越广泛,国内已有相当数量的塑封集成电路应用于国防领域。但是,目前大部分关键塑封集成电路依赖进口,采购渠道不是很通畅,市场中存在大量的翻新件。文章基于塑封集成电路封装工艺,简要介绍如何识别翻新塑封集成电路。

    2013年10期 v.13;No.126 5-9页 [查看摘要][在线阅读][下载 5297K]
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  • 基于LTCC技术的无源器件设计方法

    秦舒;

    作为一种新型的集成封装技术,低温共烧陶瓷(LTCC)技术以其优良的高频和高速传输特性,小型化、高可靠性而备受关注。由此可见研究如何利用LTCC技术开发高性能的小型化无源器件对于无线通信产品的发展是有实际意义的。LTCC技术能充分利用三维空间发展多层基板技术,其产品在封装和小型化方面具有明显优势;LTCC技术具有损耗小、高频性能稳定、温度特性良好等特点。同时介绍了国内外LTCC元器件发展现状和趋势,以及基于LTCC技术的无源器件的设计和应用。

    2013年10期 v.13;No.126 10-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 1340K]
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  • 平面零收缩LTCC基板制作工艺研究

    何中伟;高鹏;

    LTCC基板的共烧收缩均匀性受到材料和加工工艺的影响较大,使烧成基板的平面尺寸难以精确控制,成为LTCC基板实现高性能应用的一大障碍,需要重点突破。文章在简要介绍了常见平面零收缩LTCC基板制作工艺技术的基础上,通过精选LTCC生瓷带并设计10层和20层LTCC互连实验基板,提出评价指标,根据自有条件开展了自约束烧结平面零收缩LTCC基板的制作工艺研究,重点突破了层压与共烧工艺,将LTCC基板平面尺寸的烧结收缩率不均匀度由通常的±0.3%~±0.4%减小到小于±0.04%,可以较好地满足高密度高频MCM研制的需要。

    2013年10期 v.13;No.126 14-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 1895K]
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电路设计

  • 一种用于电源芯片的双极型LDO电路设计

    何颖;屠莉敏;

    论文主要介绍一种用于DC/DC电源芯片内部LDO电路,电路采用双极工艺设计,主要为芯片内部提供稳定电压,同时也可以向外部输出。首先论述了线性稳压电源的基本原理,以此为基础对系统设计进行整体考虑,构建了系统整体架构,并制定了电路的设计指标。然后,利用小信号分析的方法对系统稳定性进行了分析讨论,根据系统稳定性原理,采用电容反馈补偿措施以确保系统稳定可靠。最后,借助Cadence Spectre仿真软件完成仿真验证。实验结果表明,该系统在正常工作时,能得到9 V和6 V两种稳定的输出电压。

    2013年10期 v.13;No.126 19-22+26页 [查看摘要][在线阅读][下载 2195K]
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  • 基于L6563的高功率因数校正电路设计

    陈萍;郑爱莲;

    大多数现代电子设备使用了开关式电源,它们会产生不希望出现的电流谐波,这些谐波对供电品质和与该电源系统连接的其他设备造成了不良影响。文章介绍了有源功率因数校正的工作原理,提出了基于L6563芯片的一种高功率因数校正电路方案。试验结果表明,该Boost功率因数校正电路设计合理,性能可靠,功率因数可达0.99,可有效改善电源品质。

    2013年10期 v.13;No.126 23-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 2530K]
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  • S波段10W LDMOS功率管匹配电路设计

    王涛;潘建华;徐政;

    RF LDMOS功率管具有高输出功率、高增益、高线性、良好的热稳定性等优点,广泛应用于移动通信基站、数字广播电视发射以及射频通信领域、微波雷达系统。阻抗匹配是LDMOS功率管应用电路设计的关键任务,LDMOS功率管匹配电路的主要任务是实现功率管的最大功率传输。文中选择中国电子科技集团公司第58研究所研制的S波段10 W LDMOS功率管,利用微波仿真工具ADS设计外匹配电路。经过精心调试后,S波段LDMOS功率管输入回波损耗、增益、输出功率、效率、谐波等技术指标达到设计要求。完成匹配电路设计的S波段LDMOS功率管在3.1~3.4 GHz频率范围内,输出功率大于13.8 W,功率增益大于12.4 dB,效率大于37.9%。

    2013年10期 v.13;No.126 27-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 2503K]
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  • 基于FPGA的DDS实现

    章宇杰;支敏;

    文中所设计的正弦信号发生器电路是采用现场可编程门阵列(FPGA)实现的一个数字频率合成器。其主要由相位累加器、加法器、波形存储器等组成。实验所设计出的DDS具有变频范围广、频率步进小和频率精度高、频率和相位可调等特点,而且其最后输出的正弦信号频率高,可以达到12.5 MHz。

    2013年10期 v.13;No.126 31-32+43页 [查看摘要][在线阅读][下载 1747K]
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微电子制造与可靠性

  • 硅化钛场板的工艺条件与特性研究

    许帅;徐政;吴晓鸫;

    场板的制备工艺与特性研究对提高RF LDMOS大功率器件的可靠性与耐高压性有重要意义。文中制备了一种"Si衬底-SiO2-多晶-硅化钛-金属"结构的场板,分析了其工艺条件对特性的影响,并优化其工艺条件。实验表明:PESiO2加200 nm的多晶介质层具有较好的BT CV稳定性,多晶注入后退火温度与硅化钛退火温度的提高不利于场板电阻与平带电压的稳定性。优化后的工艺条件下,该场板结构具有较好的可靠性与耐高压性。

    2013年10期 v.13;No.126 33-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 2218K]
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  • 高压BiCMOS工艺及其在驱动芯片设计上的应用

    王炜;陆晓敏;

    随着高压BiCMOS技术越来越多地应用于驱动等集成电路芯片设计中,所存在的问题也越来越突出。如何使一个具有竞争力的高压BiCMOS工艺能在设计中得到灵活方便的使用将成为一个新的课题。与通常的CMOS器件不同的是,高压器件在工艺和版图上有特定的考量,是否能形成灵活可调的PDK对一款成功的设计而言至关重要。其次,更丰富、性能更优良的器件可以进一步提升设计的竞争力,这需要工艺端提供更多的创新。另外,晶圆厂和设计的紧密合作也很重要,通过量身定做的方式可以帮助高压工艺走出现有的驱动芯片设计需求瓶颈。

    2013年10期 v.13;No.126 36-39+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 2207K]
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  • 一种MEMS热驱动可变电容的分析模拟

    陈立军;沈娇艳;雷鸣;陈杰;唐剑平;

    文中设计并分析了一个MEMS热驱动可变电容,它的下极板固定于衬底,上极板通过热致动器驱动。热致动器由冷臂和热臂组成,一端通过锚点固定于衬底,一端连接在电容器上极板。热驱动器通过电压驱动使MEMS电容器上极板上下运动。文中作者使用有限元方法模拟了150~300μm加热臂长在0~4 V电压条件下的电容变化值和温度变化,有限元模拟结果表明其电容变化率最大可达10倍。

    2013年10期 v.13;No.126 40-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 2118K]
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  • 堆叠式内存制造中炉管非选择性半球状多晶硅片数效应

    范建国;季峰强;蔡丹华;

    随着动态随机存取存储器(内存)线宽的缩小,需要半球状多晶硅等新技术来增大电容。当前对选择性半球状多晶硅论述较多,非选择性半球状多晶硅则较少提到。文中讲述的是炉管非选择性半球状多晶硅在0.13μm堆叠式内存上的实际应用,侧重于解决片数效应。炉管非选择性半球状多晶硅的下电极阻值具有非常严重的片数效应,电容的下极板电阻从炉管底部向上增高,并随着产品片数的增加而增高,导致上部产品良率偏低,一个制程只能生产一批产品。通过对非选择性半球状多晶硅的制程原理及硬件构造进行分析,发现片数效应是由于籽晶沉积阶段的硅烷流量通常非常小,只有10~15标准毫升,它在硅片上的分布密度会随着产品的增多而沿气流方向减少,沿气流方向的硅片只好通过增加籽晶和迁移步骤的温度来拉起更多的基体硅进入半球体,相应的剩余基体硅就会变薄,这就导致了下电极阻值的增高。文章根据该发现,提出了炉管非选择性半球状多晶硅片数效应的解决方法。

    2013年10期 v.13;No.126 44-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 2289K]
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  • 《电子与封装》编辑部声明

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    2013年10期 v.13;No.126 49页 [查看摘要][在线阅读][下载 307K]
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