电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 平行缝焊工艺的热效应研究

    李宗亚;陈陶;仝良玉;肖汉武;

    平行缝焊作为一种高可靠性的气密性密封方法,在陶瓷封装行业中有着愈发重要的应用。封焊过程中瞬间产生的高能量在完成密封的同时,会对陶瓷外壳造成很高的热应力残留,可能会对器件可靠性产生影响。介绍了平行缝焊的工作原理及工艺参数,并通过使用ANSYS软件对工艺过程中的各参数进行热仿真分析,研究平行缝焊工艺参数对陶瓷封装的热影响。

    2015年03期 v.15;No.143 1-4+17页 [查看摘要][在线阅读][下载 2393K]
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  • 陶瓷封装中贴片胶溶剂扩散的研究

    葛秋玲;陈陶;

    在微电子行业中,使用贴片胶粘接是一种常见的贴片方法。但该贴片工艺很容易发生溶剂扩散现象,严重的时候甚至会影响后续的组装工艺,该问题在陶瓷外壳上表现得更显著。研究并详细说明溶剂扩散的产生原因和影响关系,重点研究贴片胶在陶瓷外壳金属化表面上的溢出行为。最后,对于溶剂扩散问题给出了定义及相关的解决方法。

    2015年03期 v.15;No.143 5-8+34页 [查看摘要][在线阅读][下载 2097K]
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电路设计

  • PVT恒定高精度亚阈值CMOS电压基准源

    吴瑶;龚敏;高博;

    提出一种基于SMIC 65 nm标准CMOS工艺库的高精度电压参考源电路。对3种不同类型偏置于亚阈值区的NMOSFET进行了讨论,采用无电阻温度补偿对温度进行高阶补偿,可以减小对工艺、电压、温度的敏感性。仿真结果表明:在不同工艺角下,电源电压、温度使基准电压Vref的变化仅为±1.36%。电压参考源的温度系数大约为4.5×10-6℃-1,电源线性调制率为2.1%m V·V-1,最小工作电压仅为0.56 V。

    2015年03期 v.15;No.143 9-13+17页 [查看摘要][在线阅读][下载 2186K]
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  • 抗辐照标准单元库验证方法研究

    徐大为;姚进;胡永强;刘永灿;周晓彬;陈菊;

    对抗辐照单元库的验证方法进行研究。以0.5μm抗辐照单元库为例,研究抗辐射单元库的验证方法。设计了一款验证电路,对单元库进行验证,单元库功能和性能满足设计要求,抗辐射能力达到500 krad(Si)。

    2015年03期 v.15;No.143 14-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 2700K]
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  • 一种改进的RFID标签防碰撞算法

    王彬;李俊杰;张海鹏;陈紫菱;王利丹;

    在已有RFID标签防碰撞ALOHA算法基础上,提出了一种改进的带中断机制的动态帧时隙ALOHA(ⅡDFSA)算法,一方面通过优化设置系统效率临界因子和参考碰撞时空比,比较系统效率判断是否改变帧的大小;另一方面通过比较碰撞时空比来判断帧大小的改变方向,从而有效降低标签识别时间,提高识别效率。计算机仿真结果表明,与传统的动态帧时隙ALOHA算法相比,当标签数低于200和高于800时,采用ⅡDFSA算法可以有效降低系统总识别时间,提高系统效率。当标签数介于200~800之间时,与传统的动态帧时隙ALOHA算法相当。

    2015年03期 v.15;No.143 18-21+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 2817K]
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  • 一种CORDIC算法优化及32位浮点反正切函数FPGA实现

    鲍宜鹏;

    通过对反正切函数实现算法的研究,在传统CORDIC算法的基础上,提出了一种以超前进位加法器为基本单元的迭代结构,双时钟输入,完成了反正切函数的ASIC电路设计。该算法采用TSMC55 nm工艺,在Synopsys/syn10.12环境中综合实现。该算法的关键路径由原来的2.9 ns提升至1.3 ns,最高运算频率可以达到769 MHz,即优化后的CORDIC算法比优化前速率提高了2倍多。

    2015年03期 v.15;No.143 22-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 1925K]
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  • 一种滞回比较器设计

    薛腾飞;朱江;乔明;

    比较器广泛应用于模拟信号到数字信号的转换过程中,在模-数转换过程中,对输入进行采样后的信号通过比较器以决定模拟信号的数字量。滞回比较器也叫迟滞比较器,以其优越的抗噪声能力在比较器中占有重要地位。描述一种滞回比较器,使用少量元件节省成本,滞回电压阈值设计灵活,同时用P管作差分输入管,有较高的共模输入范围,转换速率快。使用0.18μm CMOS工艺分别对转折点压差为200 m V的设计进行仿真,仿真结果与设计预期相符合。

    2015年03期 v.15;No.143 26-28+43页 [查看摘要][在线阅读][下载 1735K]
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微电子制造与可靠性

  • 一种900V超结VDMOSFET器件的设计与仿真

    杨永念;

    功率MOSFET在现代电子工业中已经得到了广泛的运用,然而在高压功率MOSFET器件中,如何平衡功率MOSFET的击穿电压与导通电阻的冲突一直是研究热点。结合超结理论和传统功率VDMOSFET的生产工艺设计了一款高压超结VDMOSFET器件,运用半导体器件仿真软件对器件结构进行优化,得到P柱区和N柱区掺杂浓度和厚度的最优值和工艺参数。仿真结果表明,设计的超结VDMOSFET器件击穿电压和导通电阻分别为946 V和0.83Ω,很好地平衡了功率MOSFET击穿电压与导通电阻的冲突。

    2015年03期 v.15;No.143 29-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 2393K]
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  • MTM反熔丝单元编程特性研究

    王印权;刘国柱;徐海铭;郑若成;洪根深;

    主要研究了编程参数对MTM反熔丝单元编程特性的影响,包括编程电压、编程电流、编程次数等。结果表明在满足最低编程电压条件下,编程电压的增大对反熔丝编程电阻无显著影响。编程电流对编程电阻的影响较大,编程电流越大,反熔丝编程电阻越小。编程次数的增多可减小编程电阻,但离散性增大。

    2015年03期 v.15;No.143 35-37+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 1744K]
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  • 势阱势垒宽度对GaAs/AlGaAs对称DBS RTD NDR特性的影响

    孟晓;张海鹏;林弥;余育新;宁祥;吕伟锋;李阜骄;王利丹;余厉阳;王彬;

    目前共振隧穿二极管(RTD)多值逻辑电路研究采用多个MOSFETs组合,以逼近RTD特性,这是现有逻辑功能验证的不足。针对该问题,通过建立对称双势垒RTD电子输运的解析模型,进而采用SILVACO TCAD对Ga As/Al Ga As基对称DBS RTD器件的电学特性进行仿真实验研究。根据仿真实验的结果分析总结了势阱和势垒宽度对Ga As/Al Ga As基对称DBS RTD负阻特性影响的规律,并根据MVL电路设计应用的低压、低功耗、适当峰谷电流比和工艺可实现性等要求,通过大量的仿真优化实验提出采用Ga As/Al Ga As基对称DBS RTD实现多值逻辑电路设计所需的对称DBS RTD器件设计参数窗口。

    2015年03期 v.15;No.143 38-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 2219K]
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产品、应用与市场

  • 基于ZigBee的智能家居设备设计

    李琪;秦会斌;张雄;

    针对传统智能家居存在布线困难、移动性差、维护成本高等缺点,提出了一种基于Zig Bee无线传感网技术的智能家居方案。整个系统以S3C2440作为服务器,结合Zig Bee组网技术,实现了通过协调器控制子节点终端。具体的子节点终端设备由STM32单片机控制,设备包括家居环境信息实时显示、十级调光和模拟窗帘。经测试验证,系统在液晶屏上实时显示当前日期(包括阴历和星期)、时间以及室内温度;通过在智能手机终端界面发送指令,灯光亮度和窗帘闭合度实现0~100%可调。

    2015年03期 v.15;No.143 44-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 2114K]
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