电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 聚合物基复合封装材料导热性能的参数仿真

    王文志;郑鹏;周继军;郑梁;秦会斌;

    鉴于聚合物基复合封装材料导热性能传统研究方法的不足(效率低、预测模型不合理等),提出了一种基于VC++结合ANSYS和MATLAB联合编程的方法,对聚合物基复合材料的导热性能进行参数化有限元分析。用户只需要在由VC++开发出来的人机交互界面上输入复合材料的相关导热参数,即可由ANSYS与MATLAB相互协作完成导热模型的构建、模型导热率的数值仿真、结果输出的可视化处理等一系列工作。通过分析氮化铝填充环氧树脂复合材料的导热性能,检验了该方法的可靠性。研究结果表明,该方法不仅能够有效地预测实验结果,而且还方便易用。

    2015年04期 v.15;No.144 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 1752K]
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  • AuSn共晶焊接层空洞对陶瓷封装热阻的影响

    李良海;仝良玉;葛秋玲;

    共晶焊接装片以其稳定可靠的性能在微电子封装领域得到了越来越广泛的应用。在焊接过程中,由于界面氧化、沾污等原因产生的焊接层空洞对芯片的散热有较大的影响。研究了影响空洞率大小的因素,并采用有限元方法仿真分析了不同空洞对热阻的影响。根据仿真结果可以看出:空洞率在小于10%时,结壳热阻随着空洞率的增大没有显著的变化;当空洞率大于10%时,结壳热阻随着空洞率的增大而线性增加;当空洞率相同时,连续空洞的热阻几乎是分散空洞的热阻的两倍。实验结果表明利用等离子清洗机对焊接界面清洗能有效地降低焊接空洞率,芯片表面要有适当的压力来控制空洞率和焊接层厚度。

    2015年04期 v.15;No.144 5-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 1510K]
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  • CSOP型陶瓷小外形外壳工艺研究

    余咏梅;

    介绍了CSOP型陶瓷小外形外壳的结构特征及产品的关键工艺技术解决方案。对提高隔离电阻电压、降低水汽含量以提高气密性筛选合格率、外引线共面性、瓷体外观控制、印刷和穿孔注浆精度等5项专题进行了较深入的研究。研究成果能较好地指导CSOP型陶瓷小外形外壳的批量生产。

    2015年04期 v.15;No.144 9-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 1844K]
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电路设计

  • 基于DDS优化的双模式正余弦信号产生电路设计

    包生辉;强小燕;刘太广;

    直接式数字频率合成器(Direct Digital Frequency Synthesis,简称DDS)常用于产生正余弦信号,由于其结构简单,易实现,被广泛应用于信号处理和控制系统中。设计基于DDS的基本原理,提出了一种经过算法处理的ROM数据传输方式,支持两路0相差的互补正余弦信号同时输出。并且在DDS的基础上增加了软件模式,形成双模式结构,提高了电路功能的灵活性与可靠性。在200 MHz系统时钟与4.096 MHz采样频率下,该电路可产生1 k Hz~20 k Hz可调的正余弦信号,调节步长为250 Hz,并最终在NCverilog平台上完成了仿真验证。

    2015年04期 v.15;No.144 14-16+31页 [查看摘要][在线阅读][下载 1856K]
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  • 数字电路抗单粒子瞬态效应的最小尺寸设计

    田海燕;周晓彬;陈菊;

    随着体硅CMOS电路工艺的不断缩小,数字电路在空间中使用时受到的单粒子效应越发严重。特别是高频电路,单粒子瞬态效应会使电路功能完全失效。提出了一种基于电路尺寸计算的抗单粒子瞬态效应的设计方法,主要思想是通过辐射对电路造成的最坏特性,设计电路中MOS管的尺寸,使电路在系统开销和降低软错误率之间达到一个平衡。从单粒子效应电流模型入手,计算出单粒子效应在电路中产生的电荷数,得出为抵消单粒子效应产生的电荷需要多大的电容,再折算到器件电容上,最终得到器件的尺寸。此工作为以后研制抗辐射数字电路奠定了基础,提供了良好的借鉴。

    2015年04期 v.15;No.144 20-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 1517K]
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  • 高精度流水线模数转换器的全定制版图设计

    刘俐;

    采用0.18μm混合信号1P6M CMOS工艺,介绍了一种高精度流水线模数转换器的全定制版图设计。该芯片为数模混合信号IC,工作电压1.8 V/3.3 V,具有12位的采样精度和25 MHz的工作频率。版图设计过程中使用了合适的版图布局和电源、地线网络结构,重点介绍了采样保持模块设计上的一些结构和技巧。芯片测试结果表明芯片功能全部实现、性能良好,版图设计较好地实现了电路功能。

    2015年04期 v.15;No.144 23-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 2427K]
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  • EDMA数据传输方式在视频图像处理系统中的应用

    陈振娇;徐新宇;张猛华;

    为解决视频图像处理系统中图像数据量大且对实时性要求高的问题,设计以TMS320C6713为核心的实时视频图像处理系统,利用EDMA控制器实现图像数据的高速传输。着重阐述了EDMA的实现方法及其软件的设计,采用乒乓缓冲技术协调数据搬移与CPU数据处理的节奏,从而满足了视频图像处理系统的高速实时性要求。

    2015年04期 v.15;No.144 28-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 1941K]
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微电子制造与可靠性

  • 多元素共掺YAG荧光粉的制备研究

    尤亚军;关荣锋;

    YAG荧光粉作为荧光粉领域的主要类型之一,其工业制备技术成熟,性能优良,应用广泛。稀土荧光粉主要用于现代照明光源、交通信号灯、汽车状态指示、液晶显示(LCD)的背光源和大屏幕显示等方面。要想获得优异性能的荧光粉,对制备工艺的研究是关键。综述了多元素共掺YAG荧光粉的制备研究进展,包括高温固相法、溶胶-凝胶法、共沉淀法、燃烧法、水热法等,并对其优缺点进行了比较,最后对荧光粉合成方法的发展前景及今后的研究趋势进行了展望。

    2015年04期 v.15;No.144 32-35+40页 [查看摘要][在线阅读][下载 1501K]
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  • ZnO对BaSm_2Ti_4O_(12)陶瓷性能的影响

    于轩;谢广超;秦旺洋;贾路方;陈波;

    讨论了Zn O对Ba Sm2Ti4O12介质陶瓷烧结机制和微波介电性能的影响。结果表明:Zn O添加能推动Ba Sm2Ti4O12微波介质陶瓷的烧结,可至少将其烧结温度降低至1 280℃。当添加过多的Zn O时,Zn2+会进入晶格,可能导致晶格畸变,由此造成颗粒间产生微小孔隙及晶格内形成许多缺陷,降低了材料的εr和Q×f值。含0.5 wt%Zn O的Ba Sm2Ti4O12试样在1 280℃烧结时,综合介电性能最好:εr=76.46,Q×f=6 334 GHz。

    2015年04期 v.15;No.144 36-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 2237K]
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  • 总剂量辐射对0.5μm部分耗尽SOI CMOS器件的影响

    谢儒彬;吴建伟;洪根深;罗静;陈海波;

    介绍了基于SIMOX SOI晶圆的0.5μm PD SOI CMOS器件的抗总剂量辐射性能。通过CMOS晶体管的阈值电压漂移,泄漏电流和32位DSP电路静态电流随总剂量辐射从0增加到500 krad(Si)的变化来表现该工艺技术的抗电离总剂量辐射能力。对于H型(无场区边缘)NMOS晶体管,前栅阈值电压漂移小于0.1 V;对于H型PMOS晶体管,前栅阈值电压漂移小于0.15 V;未发现由辐射引起的显著漏电。32位DSP电路在500 krad(Si)范围内,静态电流小于1 m A。通过实验数据表明,在较高剂量辐射条件下,利用该工艺制造的ASIC电路拥有良好的抗总剂量辐射性能。

    2015年04期 v.15;No.144 41-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 2381K]
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产品、应用与市场

  • 氨水、双氧水转国产化应用

    马慧红;吴晓鸫;顾爱军;

    化学试剂是微电子制造工艺中清洗工艺的重要材料。由于微电子制造对化学试剂的各项要求极高,在该制造业发展初期,国内中高端生产线以进口化学试剂为主。随着国内原材料厂商工艺能力的提高,各种国产化学试剂正逐步取代进口试剂。由于微电子制造对质量的要求,化学试剂国产化需要一个较长的过程。通过国产与进口氨水及双氧水在试剂纯度、单项工艺指标及能力、使用后的产品性能等方面作对比,得到了国产试剂可以取代进口试剂的结论。

    2015年04期 v.15;No.144 46-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 1489K]
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