电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 压力传感器封装中的波纹膜片结构研究

    王俊杰;秦会斌;

    针对压力传感器隔离式封装中的波纹膜片这一关键部件,采用有限元分析的方法研究了波纹膜片的厚度、波纹深度和波纹数目分别对最大压力约0.1 MPa下的压力传感器输出信号的影响,优化了波纹膜片结构的参数选择。通过对封装了不同波纹膜片的样品的测试与比较表明,较小的膜厚与波纹深度、较多的波纹数目有助于提高压力传感器的性能,从而验证了波纹膜片结构优化的正确性。

    2015年05期 v.15;No.145 1-3+20页 [查看摘要][在线阅读][下载 1575K]
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  • SRAM存储器动态参数测试向量分析

    张吉;罗喜明;王军;唐力;张一波;

    半导体存储器一般由存储体、地址译码驱动器、读/写放大器和控制电路组成,是一种能存储大量信息的器件,它是由许多存储单元组成的。半导体存储器的测试有功能测试、直流参数测试、交流参数测试,而功能测试和交流参数测试对存储器来说是至关重要的。SRAM(静态随机存储器)的功能测试是通过算法图形发生器产生不同的测试图形,对被测器件各个不同存储单位进行读写操作,以检查其功能。主要讲述了SRAM交流参数测试原理及其测试关键技术,介绍了SRAM交流参数测试的故障模型。通过研究SRAM交流参数测试图形向量,给出了SRAM交流参数测试图形向量的优化方法。

    2015年05期 v.15;No.145 4-6+32页 [查看摘要][在线阅读][下载 1564K]
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电路设计

  • LTCC微波元件设计数据库技术

    项玮;李建辉;李天成;

    微波元件是构成微波电路的基础。LTCC微波元件品种多,每种又有很多类型和结构,设计灵活。设计了LTCC微波电容、电感和滤波器的不同结构模型,采用Agilent ADS微波电磁场仿真软件或Ansoft HFSS电磁场模拟仿真软件对每种结构模型进行模拟仿真,得出不同结构形式电容、电感和滤波器的仿真结果,并与试验样品的测试结果进行对比和讨论。通过提取LTCC微波电容、电感和滤波器的设计、仿真及试验的主要参数,进行总体设计及表单、菜单等设计,创建了方便组织、维护和使用的LTCC微波元件设计数据库系统。

    2015年05期 v.15;No.145 7-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 3077K]
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  • 宇航用静态随机存储器验证方法研究与应用

    肖爱斌;王斐尧;王文炎;隽扬;张雷浩;张皓源;

    在研究静态随机存储器故障模型以及常用功能验证方法的基础上,提出采用March SOF算法结合故障注入的EDAC测试程序作为宇航用带EDAC功能SRAM存储器的验证方法。该方法将March SOF算法扩展为32位字定向算法,同时增加数据保持故障以及EDAC功能的测试,可以对宇航用SRAM进行全方位功能验证。采用实际电路,对该方法进行实现和验证,验证结果表明了方法的可行性和有效性。

    2015年05期 v.15;No.145 14-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 2150K]
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  • 基于CAN总线的TMS320F2812程序更新技术

    蒋炯炜;钱浩;于鹏;

    介绍了TI公司数字信号处理器TMS320F2812的引导方式、Flash编程方法、Flash启动流程。在此基础上提出了一种基于CAN总线的TMS320F2812程序的远程加载方案,并详细阐述了详细的实现过程。该方案摆脱了Flash编程时对JTAG接口、RS232接口的依赖,非常适用于军用领域,具有较大的实用价值。

    2015年05期 v.15;No.145 21-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 1250K]
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  • 宽动态可变增益放大器的设计

    郭安强;刘倩倩;金亚梅;王志伟;

    在通信接收机中,当接收的信号强度变化很大时,要求接收机前端的增益随接收信号强度在很宽的范围内自动变化,以输出稳定信号,因此高性能接收机对可变增益放大器提出了更高的要求。设计基于Bi CMOS工艺,采用差分输入共射级结构,对宽动态可变增益放大器进行了研究与设计,通过MOS开关改变集电极和发射极电阻以及延迟控制技术,达到宽动态增益的效果。仿真结果表明,三级放大器的增益动态范围为0~65 d B,频率范围为20~90 MHz。

    2015年05期 v.15;No.145 24-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 1202K]
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微电子制造与可靠性

  • IGBT单粒子烧毁效应的二维仿真

    王珣阳;潘建华;陈万军;

    通过二维TCAD仿真,对IGBT的单粒子入射作用过程做了原理性的分析,据此在理论上将单粒子对器件的作用进行了分类。针对阻断态、贯通烧毁的情况,给出了IGBT加固的一般思路,提出并仿真验证了多种具体的加固方法,与文献测试结果相符。

    2015年05期 v.15;No.145 28-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 1440K]
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  • 多晶电阻工艺监控与影响因素研究

    张世权;马慧红;吴晓鸫;

    首先介绍了多晶电阻在线监控和工艺控制模块(PCM)监控的两种方法:四探针法和范德堡法,并解决了四探针法在线监控方法多晶电阻波动大的问题;针对生产过程中遇到的多晶电阻偏小问题,通过扫描电镜分析发现多晶晶粒明显偏大,通过对多晶淀积速率的分析确定多晶速率越小,多晶淀积晶粒越大,根据多晶导电理论可知多晶晶粒大,晶粒间界变小,晶粒间界杂质俘获变少,多晶掺杂浓度转化为载流子的比例变高,因此多晶电阻变小。最后根据工程实践列举了影响多晶淀积速率的两大主要因素为多晶淀积温度和多晶炉管维护次数,为保证多晶淀积速率稳定,多晶炉管维护次数尽量少于6次,同时需要对多晶淀积温度进行控制。

    2015年05期 v.15;No.145 33-35+40页 [查看摘要][在线阅读][下载 1298K]
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  • 一种基于总剂量效应的SOI器件模型快速提取方法

    李艳艳;顾祥;潘滨;朱少立;吴建伟;

    从工程应用的角度介绍了一种基于总剂量效应的SOI器件模型参数的快速提取方法。首先,提取0 krad(Si)时器件的模型参数,然后针对总剂量敏感参数,对100 krad(Si)总辐射试验后的同种器件进行模型参数优化,并对得到的模型参数进行验证。结果表明,该方法所提取的模型参数准确有效,解决了国内目前在抗辐照SOI工艺中因采用标准SOI工艺SPICE模型(如BSIMSOI等)导致不能反映辐照效应对器件特性的影响且无法给出经过不同辐照剂量之后的器件特性的缺点,可用于评估辐射对SOI电路的影响。

    2015年05期 v.15;No.145 36-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 1828K]
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  • 雷达精密电子自动化制造面临的挑战

    倪靖伟;

    现代雷达中配备了上万个功能模块组成阵列,给自动化微组装大规模制造精密的电子组件带来了机遇。中国电科38所在引进自动化微组装生产线后,从遇到的实际问题中获得了一些经验:雷达精密电子自动化制造需要工艺师与设计人员更多的沟通和合作;设备维护需要专机专人负责;物料采购需要满足自动化制造的需求。

    2015年05期 v.15;No.145 41-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 936K]
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产品、应用与市场

  • WBS-RBS矩阵在芯片研发项目风险识别中的应用

    孙华;黄伟;

    芯片研发企业对项目的管理,目前仍以进度流程和经费被动管理为主,未建立项目风险管理体系,往往出现预算超支、工期延长等问题。项目风险管理中最重要最基本的是风险识别。通过某国家重大专项风险识别的案例,说明如何在芯片研发项目中运用WBS-RBS矩阵进行风险识别的全过程。

    2015年05期 v.15;No.145 45-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 2873K]
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