电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 军用电子装备应用中的塑封微电路质量保证

    李润;

    近年来,塑封微电路凭借着其在性能、重量、尺寸、成本、采购周期以及可获得性等方面的优势,越来越多地应用在军工电子装备中,其可靠性低的问题就越来越突出。如何将这类塑封微电路更可靠地应用于不同领域的军工电子装备中,并使风险降低到可控的范围,是广大军工电子装备制造单位正在致力探索解决的问题。浅析了塑封微电路应用于军工电子装备中的优缺点,并介绍了某型塑封微电路在地面、航空这两个不同的领域应用所执行的一套质量保证方案。

    2015年07期 v.15;No.147 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 1767K]
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  • 热疲劳载荷作用下不同成分BGA焊点可靠性

    包诚;徐幸;程明生;

    针对微电子组装中常见的BGA封装形式,对比采用3种不同成分的BGA焊球和焊膏组合(锡铅共晶焊球和锡铅共晶焊膏Sn63Pb37、Sn3Ag0.5Cu焊球和锡铅共晶焊膏以及Sn3Ag0.5Cu焊球和Sn3Ag0.5Cu焊膏)焊接得到的BGA焊接界面。经过不同周期的热疲劳试验后,在金相显微镜和电子背散射衍射下观察,发现Sn3Ag0.5Cu焊球和锡铅共晶焊膏混装形成的BGA焊点中黑色的富锡相均匀弥散分布在焊球内,在热循环载荷作用下极难形成再结晶,抗热疲劳性能最好。

    2015年07期 v.15;No.147 5-9+13页 [查看摘要][在线阅读][下载 2015K]
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  • 基于ATE的FPGA配置文件生成方法

    赵桦;章慧彬;

    FPGA是在PAL、GAL、EPLD、CPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为ASIC领域中的一种半定制电路而出现的,既解决了定制电路的不足,又克服了原有可编程器件门电路有限的缺点。用Ultra Flex测试系统(ATE)测试FPGA的方法进行阐述,分析了不同电压模式的配置文件产生方法的差异。

    2015年07期 v.15;No.147 10-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 1284K]
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电路设计

  • D类功放输出功率调节电路设计

    只生武;

    D类音频功放具有高效率的优点,但是随着功率的不断提高,通常需要完善的保护及限制电路。设计介绍了一种用于高功率D类音频功率放大器的输出功率调节电路,可以通过芯片外部引脚输入电压或编程的方式动态调节功放的输出功率。控制方式采用了限制输入信号最大幅度的方法,分别介绍了电路的控制原理与电路实现。测试结果显示,该电路达到了较好的调节效果,具有好的调节线性度,提高了高功率放大器电路的可靠性。

    2015年07期 v.15;No.147 14-16+27页 [查看摘要][在线阅读][下载 1660K]
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  • 基于GaAs MMIC工艺的单片均衡器设计

    沈一鸣;张君直;

    幅度均衡器被广泛应用于各类微波组件,是其重要的组成部分。对定阻型的幅度均衡器设计进行分析,利用Ga As MMIC标准工艺制作了一款22~32 GHz单片幅度均衡器,该芯片尺寸为0.8 mm×0.7 mm×0.1 mm。经装架测试,在工作频段实现5 d B的负斜率幅度均衡量,驻波良好,插损2.53 d B@32 GHz,基本实现了设计目标。

    2015年07期 v.15;No.147 17-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 1132K]
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  • 0.8μm SOI CMOS抗辐射加固工艺辐射效应研究

    马慧红;顾爱军;

    采用抗辐射0.8μm SOI CMOS加固技术,研制了抗辐射SOI CMOS器件和电路。利用Co60γ射线源对器件和电路的总剂量辐射效应进行了研究。对比抗辐射加固工艺前后器件的Id-Vg曲线以及前栅、背栅阈值随辐射总剂量的变化关系,得到1 Mrad(Si)总剂量辐射下器件前栅阈值电压漂移小于0.15 V。最后对加固和非加固的电路静态电流、动态电流、功能随辐射总剂量的变化情况进行了研究,结果表明抗辐射加固工艺制造的电路抗总剂量辐射性能达到500 krad(Si)。

    2015年07期 v.15;No.147 20-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 1696K]
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  • 一种Divided RESURF高压互连结构研究

    张昕;乔明;

    高压互连是功率集成电路中的重要技术,随着PIC在结构功能上的发展和应用范围上的增大,人们对功率集成电路中的高压互连技术的要求也与日俱增。围绕高压互连技术进行研究,使用Divided RESURF技术设计一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管,通过进行二维仿真,优化其结构和掺杂浓度等参数,器件的击穿耐压达到903 V,可用于600 V高压集成电路中。

    2015年07期 v.15;No.147 24-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 1550K]
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  • 一种基于DALI通信电路的设计

    万清;胡南中;

    介绍目前用于智能照明系统的数字可寻址照明接口(DALI)协议,重点介绍了该协议的通信电路组成及软件设计方法。针对智能照明控制系统,提出一种采用单片机设计的DALI协议通信电路,给出了具体通信电路的硬件设计,以及一种高可靠的DALI协议通信的软件设计方法。通过对整体通信电路的常温、高温测试验证,结果达到了设计要求。该电路设计思想可以应用在符合DALI通信协议标准的各种主从控单元中,程序设计思想可以方便移植到其他单片机上。该方案简单实用,可以进一步推广应用,是一种实现低成本、高可靠的DALI协议通信解决方案。

    2015年07期 v.15;No.147 28-32+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 2460K]
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微电子制造与可靠性

  • 分离栅式快闪存储器抗编程干扰性能的工艺优化

    周儒领;张庆勇;

    随着电子产品的普及,分离栅式快闪存储器作为闪存的一种,因其具有高效的编程速度以及能够完全避免过擦除的能力,无论是在单体还是嵌入式产品方面都得到了人们更多的关注。但由于快闪存储器产品规则的阵列排列方式,高速的编程能力也带来了容易出现编程干扰的问题,成为了制约其实际应用的关键因素。从工艺优化方面探讨在编程过程中,如何有效提高分离栅式快闪存储器的抗编程干扰性能。通过实验发现通过整合改进工艺流程中调节字线阈值电压的离子注入方式的方法,可以显著改进分离栅式工艺快闪存储器的抗编程干扰性能。

    2015年07期 v.15;No.147 33-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 2286K]
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  • 基于体硅MEMS技术的悬浮微结构加工工艺研究

    刘晓兰;朱政强;党元兰;徐亚新;

    针对体硅MEMS加工技术的特点,确定了悬浮微结构的加工工艺流程,并对加工过程中的硅基深槽腐蚀工艺和ICP刻蚀工艺这两项关键技术及其中的重要影响因素进行了研究,得到了硅基深槽腐蚀的溶液类型、浓度和温度等工艺参数,以及ICP刻蚀工艺的功率、气体流量等工艺参数。根据优化的工艺参数,采用厚度为400μm的N型<100>硅片加工了外形尺寸为3 mm×3 mm、线宽尺寸为100±2μm、硅槽深度为390±2μm的悬浮微结构样件。

    2015年07期 v.15;No.147 37-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 1381K]
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  • 基于FerroA6M的T/R组件L波段工艺技术研究

    黄旭兰;贾少雄;田亮;

    根据目前市场对T/R组件高可靠性的要求,采用Ferro材料制作T/R组件。根据产品要达到的各方面性能,研究适合它的LTCC工艺。首先对T/R组件工艺技术的研究分成两轮实验,分别采用金浆和银浆浆料系统,每道工序做细致的实验。实验结果显示层压后出现分层,烧结完后产品翘曲,效果不佳。然后通过改进工艺技术,尤其是叠片工艺的改进,得到了良好的效果,各方面指标达到产品要求,找到了适合Ferro材料的LTCC工艺。

    2015年07期 v.15;No.147 41-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 1517K]
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产品、应用与市场

  • 大电流电动汽车电池充电电流电压反馈系统设计

    章旦旸;秦会斌;

    针对电动汽车厂家研发了电动汽车电池充电系统,设计了一种大电流低电压电池充电系统。系统采用了PIC16F877A单片机作为电子控制单元核心,对规格为50 A、3.7 V的电池组进行充电。重点对电流电压采样电路进行了设计和研究。通过建立采样电路的仿真模型。并用实际电压电流数据对本采样系统进行了验证。实验证明,系统提出的电流电压采样具有较高的精度、线性度,且能满足长期稳定运行的实际需求。

    2015年07期 v.15;No.147 44-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 1698K]
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