电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 键合强度试验能力验证的研究

    杨城;王伯淳;谭晨;张吉;马清桃;潘凌宇;

    电子元器件在进行鉴定检验、质量一致性检验和DPA(破坏性物理分析)试验时,均要求进行键合强度试验,但键合强度试验属于破坏性试验,每一根键合丝只能进行一次键合强度测试。基于此,通过研究制定了合适的键合强度试验能力验证方案,组织开展了键合强度的能力验证试验。然后统计分析不同实验室的键合强度试验结果,按CNAS-GL02:2006《能力验证结果的统计处理和能力评价指南》和《能力验证指南》规定的方法对各个实验室的键合强度试验结果进行满意度评价,同时验证了该实验室在键合强度试验项目上的能力。

    2015年11期 v.15;No.151 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 1174K]
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  • 大腔体陶瓷封装外壳断裂强度分析与提高

    张金利;

    大尺寸多腔体陶瓷封装外壳,多用于高密度集成电路芯片封装,对结构可靠性提出了严格要求。在恒定加速度实验中,陶瓷封装外壳的腔体圆角处易形成断裂破坏。在有限元计算应力集中分布的基础上,通过分析激光划切、模具落腔和热切切腔加工工艺过程中产生缺陷的状态以及对陶瓷抗弯强度的影响,给出提高陶瓷封装外壳腔体断裂强度的方法。

    2015年11期 v.15;No.151 5-9+13页 [查看摘要][在线阅读][下载 4164K]
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  • 一种基于PNA-X的脉冲功率放大器效率快速测试方法

    陈金远;李智群;钱峰;焦芳;

    效率是功率放大器的关键参数之一,有着多种成熟的相关测试技术。讨论了几种常见功率放大器效率测试的方法,针对脉冲功率放大器在片生产应用测试技术要求,分析了各测试方法的优缺点,并在综合各测试方法的基础上引出一种新的功率放大器效率测试方法。提出基于PNA-X的脉冲放大器效率快速测试方法,实现脉冲放大器效率的快速测试,实现单次连接测试放大器的S参数、功率参数和效率,实现250个频点的扫描测试耗时不超过15 s,测试结果经过典型器件验证,其测试结果误差不超过2%,该测试方法可适用于功率放大器的在片测试典型应用。

    2015年11期 v.15;No.151 10-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 1766K]
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  • 基于电机驱动芯片的扫描测试实现

    陈真;张凯虹;王建超;

    详细介绍了电机驱动芯片的基本构成及工作原理,通过原理图的设计和PCB的绘制,实现了对电机驱动芯片的扫描测试。讨论了电机驱动芯片扫描测试中的难点,针对调试过程中遇到的问题,给出了解决办法并得到良好的效果。电机驱动芯片的扫描测试是保证芯片功能正常的有效方法。

    2015年11期 v.15;No.151 14-16+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 1587K]
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  • 基于VIRTEX架构的FPGA布线资源测试技术

    王建超;陆锋;张凯虹;

    FPGA内部可编程布线资源所占的晶体管数量是所有模块中最多的,其故障发生率也最高,因此布线资源的测试是一个重要的研究领域,也是FPGA测试中的一个难点。通过对基于VIRTEX架构的FPGA布线资源的六长线、长线、单长线的测试技术研究,采用通用方法的组合进行测试,测试程序可读性好、可复用性高,实现了对布线资源测试故障覆盖率高、故障定位准确。

    2015年11期 v.15;No.151 17-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 1835K]
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电路设计

  • 一种用于开关电源的高性能误差放大器设计

    潘福跃;李现坤;

    设计了一种用于开关电源的高性能误差放大器。该误差放大器的核心是一个三级放大结构,其中第二级放大是基于传统折叠式共源共栅放大器,增加了"交叉耦合结构",以此实现高增益设计。另外,高低电平钳位设计增强了误差放大器在不同工作条件下的性能。为提高电路在开关电源中的实用性,还设计了补偿选择电路。设计的误差放大器采用TSMC 0.35μm BCD工艺流片,电路达到设计要求,性能良好,在46XX电源模块中得到实际应用。

    2015年11期 v.15;No.151 21-25+38页 [查看摘要][在线阅读][下载 1975K]
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  • 一种高性能带隙基准电压源设计

    杨霄垒;张沁枫;蒋颖丹;

    对比分析传统的CMOS带隙基准电压源电路结构,基于一阶温度补偿设计一种高性能带隙基准电压源。电路采用基本差分放大器作为电路负反馈运放,运放输出用作PMOS电流源偏置,提高共模抑制比。Spectre仿真结果显示在-55~125℃温度范围内温度系数为4.18×10-6/℃,低频下电源抑制比达到-94 d B。在SMIC 65 nm CMOS工艺下,芯片面积为0.5×0.1 mm2,功耗为0.56 m W。

    2015年11期 v.15;No.151 26-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 1865K]
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  • C波段无线电高度表的温补调频电路设计

    夏牟;夏永平;魏斌;杨兵;

    介绍了在一款C波段无线电高度表的设计和研制过程中,温补调频电路的实现方法。通过分析VCO温度特性,设计了合适的补偿电路,实现该C波段无线电高度表在高低温(-45℃~65℃)情况下的工作频率稳定性。通过最终的测试结果,验证了该温补调频电路的实用性。

    2015年11期 v.15;No.151 30-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 2569K]
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  • 基于NOC技术的多核研究

    赵宝功;徐玉洁;屈凌翔;

    随着半导体工艺的进步和多核技术的发展,产生了借鉴并行计算和计算机网络设计思想的NOC概念。片上网络技术(NOC)越来越受到人们的关注,片上网络(NOC)是继SOC后全新的设计架构,为了解决SOC内部组件之间的通信问题而提出。主要讨论了NOC中的关键问题和技术,包括拓扑结构、路由器与交换协议、网络接口等,实现了片上计算单元之间的数据通讯。采用2D MESH 3×3拓扑结构实现多核架构。

    2015年11期 v.15;No.151 34-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 1427K]
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微电子制造与可靠性

  • 一种改善由隧穿氧化层氮化技术引起栅氧化层衰退的方法

    李绍彬;

    隧穿氧化层在闪存器件中占有关键的地位,它极大地影响着闪存器件的循环擦写以及保持电子的能力。在形成隧穿氧化层的制程中,通常会通过加入氮化技术去提高隧穿氧化层的可靠性,但是这种工艺会给外围器件的栅氧化层带来负面影响。通过工艺方面的优化提出了一种较为简易的方法去消除由于氮化技术带来的对外围器件栅氧化层的影响。通过实验发现用过量湿法蚀刻可以很好地消除隧穿氧化层氮化技术的影响,提高了外围器件栅氧化层的可靠性。

    2015年11期 v.15;No.151 39-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 1847K]
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  • SRAM中器件参数的设计方法

    徐政;李红征;赵文彬;

    为了解决含有SRAM产品转线时器件参数匹配的问题,首先对晶圆制造厂提供的SPICE模型,使用BSIMPROPLUS软件提取出SRAM单元中器件的阈值、饱和电流、漏电等参数,然后使用提取出的器件参数计算出SRAM单元在不同工艺角的翻转电压、功耗、读写裕度,比较得到最优工艺角。以0.13μm技术节点[1]单端口SRAM和双端口SRAM为例,计算了SRAM单元在不同工艺角下的翻转电压、功耗、读写裕度,得出SNFP工艺角为最优工艺条件,对于1.2 V电源电压,驱动管、负载管、传输管的阈值为0.33 V时SRAM单元的功耗和读写裕度最优。

    2015年11期 v.15;No.151 43-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 1653K]
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  • 《电子与封装》杂志征稿启事

    <正>《电子与封装》杂志是目前国内唯一一本全面报道封装与测试技术、半导体器件和IC的设计与制造技术、产品与应用以及前沿技术、市场信息等的技术性刊物,是中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊、中国半导体行业协会封装分会会刊。为促进我国封装测试专业技术水平的提高和生产技术的发展,加强技术交流和信息沟通,特向广大读者和有关专业人员诚征下列内容稿件:1反映国内外封装测试技术的综述文章。2反映国内外半导体器件与集成电路设计与制造技术的综述文章。3电子封装测试技术及科研成果。4电子器件与集成电路测试技术及其科研成果。

    2015年11期 v.15;No.151 48页 [查看摘要][在线阅读][下载 2188K]
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