电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 全包封功率器件中大芯片表面分层的分析

    石海忠;缪小勇;何晓光;

    全包封功率器件相对于半包封功率器件更容易达到安规要求,其需求出现了逐渐增加的趋势,但是全包封器件的分层问题一直困扰着业界。通过分层现状的调查,分析了分层存在的界面和产生原因,通过优化试验找到了解决分层最有效的措施是中大芯片表面缓冲层,从而使全包封功率器件的可靠性达到更高要求。

    2015年12期 v.15;No.152 1-2+42页 [查看摘要][在线阅读][下载 1274K]
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  • 采用玻璃基板提升COB LED取光率的研究

    沈亚锋;

    采用Lighttools仿真软件对荧光粉散射特性进行理论分析,提出透光率≥95%的平面高硼硅玻璃作为COB基板。结果显示,在常见的荧光粉粒径大小与浓度下,荧光粉反向散射可达29%。采用高透光玻璃作为基材,增加了荧光粉反向散射光线的利用率,并制作了双面发光的高取光率长条形COB LED并表征其性能参数与可靠性试验。该暖白光3000 K COB LED具有180 lm/W高光效,发光角度大于250°,色容差小于5 SCDM,可靠性好。与陶瓷基板、铝基板的COB LED结构相比,该结构可提高取光率约15%,有潜力用于大功率LED封装应用。

    2015年12期 v.15;No.152 3-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 1488K]
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  • LDO类IC基准项测试及熔丝修调方法探讨

    吴熙文;

    LDO类IC(低压差线性稳压器)作为新一代集成电路稳压器,以其低噪声、高电源抑制比、低成本、高效率等特性,目前正广泛应用于各种供电系统中。输出电压(基准值)作为低压差线性稳压器最重要的参数是测试过程中最为重要也是最为关注的一项。在CP测试时,一旦输出电压因各种原因出现了偏差,将造成难以挽回的后果。探讨了提高LDO类IC基准值测试精度的一些方法。

    2015年12期 v.15;No.152 8-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 1237K]
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  • 一种用于高速ADC INL/DNL测试的新方法

    郭晓宇;

    随着高速ADC器件的不断出现,传统的低速ADC器件测试评价方法已经越来越不适用。为从工程上实现高速ADC器件的测试评价,提供了一种高速ADC器件关键参数评价INL、DNL的新方法,详细分析了新算法的原理和正确性。目前这些算法已经大量应用到实际高速ADC器件的测试评价中去,解决了高速ADC器件难以评价的问题。

    2015年12期 v.15;No.152 12-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 1452K]
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电路设计

  • 高效率并行熔丝方案的设计

    曾祥峻;

    随着集成电路的迅速发展,熔丝在电路设计中应用普遍,测试对熔丝的要求也越来越高,需要更好的准确度和更快的效率。熔丝可以修调的参数当然也取决于该熔丝在电路中的作用,输出电压、参考电压是最为常见的修调参数,此外如基准频率、电流等也都可以通过修调做到很高的精度。简单介绍了常见的熔丝以及其作用,常用的熔丝并行测试的优势和缺陷,提出了在大于4 site测试时,进一步提高熔丝修调准确性以及修调速度的测试方法。

    2015年12期 v.15;No.152 16-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 1563K]
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  • A/D信号的处理与解析

    谢立利;陈洋;

    音频A/D转换芯片的输出增益和失真度是无法直接测试的,需要对输出的数字信号进行解析还原成模拟信号方可以进行测试。有些A/D产品输出的数字信号可以直接进行解析还原成模拟信号,而有些则需要先对输出的数字信号进行处理。以某A/D转换芯片为例,首先利用了六反向施密特触发器74HC14和8位串入并出移位寄存器74HC164对输出信号时序进行转换,然后采用stm32f103对时序转换后的数字信号进行解析,最后将解析后的数据传送至上位机,最终实现了对该A/D转换芯片输出增益及失真度测试的目的。

    2015年12期 v.15;No.152 20-22+26页 [查看摘要][在线阅读][下载 1498K]
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  • FIFO SRAM单粒子效应的测试系统设计

    刘永灿;潘滨;李爱平;

    随着航空航天事业的发展,器件的抗辐照性能变得越来越重要,因此对抗辐照指标的应用测试已显得至关重要。基于FPGA和NI工控机,设计四通道数据采集测试系统,用于监测FIFO SRAM单粒子实验中发生的单粒子翻转(SEU)和单粒子闩锁(SEL)效应。采样率可达50 MHz,对器件的读写频率达10 MByte/s。该系统可实现对FIFO SRAM单粒子试验过程的远程测控。在监测单粒子翻转的过程中,既监测存储器的SEU效应,又监测了读写指针的SEU效应,并经过实际的单粒子效应测试验证了本系统的可靠性。

    2015年12期 v.15;No.152 23-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 2029K]
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  • 低压高可靠性CAN协议芯片

    王淑芬;邵健;桂江华;

    随着现场总线技术的不断发展,CAN总线在实际中的应用越来越广泛,这对CAN通信的可靠性提出了更高的要求。另外,用户的低压应用越来越普遍。针对这两个方面的要求设计了一款低压高可靠CAN协议芯片,通过芯片中的错误管理逻辑提高了通信的可靠性。

    2015年12期 v.15;No.152 27-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 1390K]
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微电子制造与可靠性

  • LTCC集成电阻的精细控制

    贾少雄;李俊;黄旭兰;杨伟;王亮;

    低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fire Ceramic——LTCC)技术,具有可集成无源电阻的独特优势。LTCC基板集成电阻主要有两种方式,表层电阻和内埋电阻。主要讨论了LTCC基板内埋电阻的制备工艺。针对不同的电阻材料,设计了不同工艺。最终为不同电阻的制备提出了一种优化的工艺,使得LTCC内埋电阻的精度控制范围可达到±17%。

    2015年12期 v.15;No.152 30-33+37页 [查看摘要][在线阅读][下载 1485K]
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  • SiGe BiCMOS工艺集成技术研究

    李红征;

    Si Ge(硅锗合金)Bi CMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金Bi CMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管Si Ge HBT的关键工艺模块,包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种Si Ge Bi CMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺,进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究,并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。

    2015年12期 v.15;No.152 34-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 2311K]
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  • 一种T/R组件热场问题的研究

    周骏;刘伟;盛重;沈亚;

    T/R组件的热设计是有源相控阵雷达的核心技术之一。文章提出了针对高密度组件的各种散热措施,采用热仿真软件对T/R组件沟道温度进行仿真研究,并利用红外热分析仪进行测试验证,并将仿真结果与实验结果进行对比,两者结果吻合较好,满足T/R组件的使用要求。

    2015年12期 v.15;No.152 38-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 1469K]
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产品、应用与市场

  • 基于MSP430的智能插座设计

    朱晓亮;赵玲娜;

    智能插座是新兴的电气产品,是物联网和智能家居的概念下伴随发展的产物。现有智能插座的功能基本围绕在手机端进行定时通电、断电操作,但这些功能还不能完全解决用户的实际问题。设计了智能插座实现对电子设备充电、功率因数测量比对和电能计量方面等功能,使得电子设备充电更加精确和安全。设计在发现低功率因数可淘汰的产品、儿童上网控制、宾馆计费插座等应用领域有较好的应用前景。

    2015年12期 v.15;No.152 43-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 1971K]
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