电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 先进射频封装技术发展面临的挑战

    夏雨楠;陈宇宁;许丽清;戴洲;李华新;程凯;

    随着射频技术的广泛应用和发展,射频封装已经呈现出更高密度功能集成、更高功率、更高频率和更低成本的发展要求。在这些要求下,3D封装、大功率射频器件集成、多种信号混合集成、硅中道工艺顺应而出。相对于传统射频封装,基于硅中道工艺的先进射频封装面临结构、热管理、信号完整性和工艺等多方面的挑战。

    2016年05期 v.16;No.157 1-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 1062K]
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  • RBFN优化算法在键合机标定中的应用

    洪喜;李维;卢佳;白虹;孙海波;

    键合位置精度是衡量键合机性能的关键指标之一。为提高键合工具的键合位置精度,针对键合位置误差的非线性特点,提出一种径向基神经网络误差修正方法。以键合角度与键合点图像坐标为学习样本,以生成最小映射误差为原则调节网络权因子、基函数中心和宽度,建立具有良好泛化能力的误差逼近模型。并根据算法特点提出了一种工程优化方法,在保证算法补偿精度的基础上使得其运算时间也满足工作需要。实际工作表明:采用此种方法可将键合精度提高一个数量级,有效地改善键合位置精度并且很好地解决非线性误差对系统的影响。

    2016年05期 v.16;No.157 7-9+13页 [查看摘要][在线阅读][下载 578K]
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  • LTCC多层基板腔体工艺研究

    李姗泽;刘红雨;杜彬;冯晓曦;马其琪;

    机载、星载、舰载相控阵雷达由于其特定的使用环境,需要体积小、重量轻、高性能、高可靠、低成本的微波组件。带腔体LTCC基板具有高密度布线、电阻、电容、电感的内埋以及芯片的埋置等特性,是制作机载、星载、舰载相控阵雷达微波组件理想的高密度基板。针对带腔体LTCC集成基板的制造技术,简单介绍其工艺流程,并对腔体成型这项关键工艺进行了分析,提出了相应的解决方法。

    2016年05期 v.16;No.157 10-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 1180K]
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  • 一种混合工艺型微波密封腔体的研制

    王辰;陈侃;郑冬侠;

    射频连接器在集成电路中的应用越来越广泛,射频连接器界面的复杂性决定了具有射频绝缘子的腔体的加工难度。介绍了一种兼具馈电绝缘子及射频绝缘子的微波密封腔体的研制。根据该产品结构特点和技术要求,抛弃了以往单一方法的制造工艺,结合了烧结与焊接的工艺特点,使用了混合工艺加工,解决了模具设计及工艺问题。经测试,该密封腔体中射频绝缘子电压驻波比(VSWR)小于1.2@40 GHz,插入损耗≤0.7 d B,泄漏率≤1×10~(-3)Pa·cm~3/s。

    2016年05期 v.16;No.157 14-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 678K]
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  • 基于文献统计方法的多芯片模块技术评价研究

    吕旭波;黄姣英;高成;王香芬;

    在技术成熟度的评价过程中,现有的TRL(技术成熟度等级)评价方法、TRIZ(发现并解决问题的理论)评价法以及性能预测法均存在有效数据缺乏和评价结果不够精确等不足。采用了基于文献统计的方法,探索技术成熟度的评价方法及实施流程。研究技术指标的构建方法,结合logistic regression(逻辑回归)技术,构建技术发展模型,以保证数据的有效性和拟合结果的准确性。针对二维、三维及系统级多芯片模块3种技术,开展方法的应用研究。研究结果表明,基于文献统计方法的多芯片模块技术的评价结果能合理地解释实际情况下技术的发展程度,验证了文章提出方法的可行性。

    2016年05期 v.16;No.157 18-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 271K]
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  • 粘片胶固化对塑封集成电路可靠性的影响

    李强;李红;

    当具有诸如分层等可靠性缺陷的微电子器件焊接在线路板上,通过回流焊时会产生塑封体裂缝、塑封体鼓胀等重要缺陷。粘片胶未充分固化、水汽未完全排除、环境湿气较大易吸湿等原因导致水汽沿着塑封体与引线引脚向内部扩散。表现为各结合面的分层,粘片胶与芯片之间、塑封体与引线之间、塑封体与芯片之间,各种分层在快速加热产生的热应力下水汽快速膨胀,从而引起器件可靠性隐患。

    2016年05期 v.16;No.157 23-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 912K]
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信息报道

  • AIXTRON凭硅基氮化镓系统AIX G5+C获颁商业杂志荣誉奖项

    李星悦;张礼怿;赵博;

    <正>全球半导体行业沉积设备供应商AIXTRON凭借其全自动新产品——金属氧化物化学汽相沉积(MOCVD)系统AIX G5+C,获商业杂志Compound Semiconductor颁授2016年CS High-Volume Manufacturing Award奖项。该奖项是业界对国际化合物半导体行业内的关键创新领域进行评判,围绕芯片制造工艺流程,强调对业界发展所作出的贡献。AIXTRON方面表示,AIX G5+C是全球首套完备的MOCVD系统解决方案,可以满足硅基氮化镓LED和功率器件领域的外延类产品需求。该产品融合两项关键性创新,在针对大容量的150 mm和200 mm晶圆的批量处理系统

    2016年05期 v.16;No.157 6页 [查看摘要][在线阅读][下载 141K]
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  • 科学家发现可替代石墨烯的2D新材料

    李星悦;赵博;

    <正>据《每日科学》报道,来自肯塔基大学、德国戴姆勒公司及希腊电子结构和激光研究所(IESL)的科学家们合作发现了一种单原子厚度的新型平面材料,该材料可替代石墨烯材料,并将推动数字技术的进步。尽管现在石墨烯备受瞩目,被认为是世界上最强韧的材料,但却有一个显见的不足——它不是半导体,这对其在数字产业的应用来说无疑是个打击。新材料由硅、硼、氮元素组成,3种元素都有重量轻、价格低、储量大的优点。此外,该材

    2016年05期 v.16;No.157 17页 [查看摘要][在线阅读][下载 488K]
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  • 世界首个有机激光集成硅光子芯片诞生

    李星悦;

    <正>据《每日科学》2016年4月16日报道,在纳米光子领域,科学家首次实现了在硅基光子芯片上集成一个有机增益介质激光器,这一突破可对生产低价生物传感器带来无限潜能。来自卡尔斯鲁厄研究所(KIT)的研究人员开发了一种新的红外激光,将纳米硅质波导管和掺杂了有机染料的聚合物相结合,由此,激发这个有机激光器的能量来自于芯片上部与芯片表面垂直的脉冲光源。研究人员成功地将产生的脉冲激光辐射控制在1 310 nm波长范围,单芯片上能产生的

    2016年05期 v.16;No.157 30页 [查看摘要][在线阅读][下载 321K]
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电路设计

  • 一款高增益、低功耗、宽带宽全差分运放设计

    周吉;龚敏;高博;

    基于SMIC 0.18μm工艺模型设计了一种低电压1.8 V下的高增益、低功耗、宽输出摆幅、宽带宽的运算放大器电路。采用增益自举技术的折叠共源共栅结构极大地提高了增益,并采用辅助运放电流缩减技术有效地降低了功耗,且具有开关电容共模反馈(SC-CMFB)电路。在Cadence spectre平台上仿真得到运放具有极高的开环直流增益(111.2 d B)和1.8 V的宽输出摆幅,单位增益带宽576 MHz,相位裕度为58.4°,功耗仅为0.792 m W,在1 p F的负载时仿真得到0.1%精度的建立时间为4.597 ns,0.01%精度的建立时间为4.911 ns。

    2016年05期 v.16;No.157 26-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 1836K]
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微电子制造与可靠性

  • 一种NiO薄膜的新型制备方法及其应用

    叶珂;乔明;

    利用热氧化法,在紫外线光源催化作用下,在N型硅衬底上沉积氧化镍(NiO)薄膜,制备具有半导体特性的NiO/Si异质结二极管。使用JASCO NRS-3100测量薄膜拉曼散射频谱,分析不同氧化时间、不同紫外线光源、不同退火条件对NiO薄膜性能的影响。实验结果表明:氧化时间为60 min时,金属Ni能够充分氧化;含臭氧水银灯比金属卤化物灯更有助于金属Ni的氧化反应;氮气下退火30 min,有助于消除晶格损伤,改善薄膜特性。通过Phillips X'Pert衍射仪分析NiO薄膜的晶体结构,Keysight B1500A半导体参数测量仪测量NiO/Si二极管的I-V特性,当二极管两端电压分别为2 V和-2 V时,电流密度相差3个数量级,表现出良好的整流特性。

    2016年05期 v.16;No.157 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 727K]
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  • 8路宽带扩展同轴功分器

    章勇佳;钱兴成;祝庆霖;

    利用同轴传输主模TEM的轴向对称性特点,根据扩展同轴功分器的设计原理,设计并研制了一款8路宽带同轴扩展功分器。利用高频电磁场仿真软件HFSS对电路进行了优化仿真,加工制备了功率合成系统电路实物,并对其进行了测试。仿真结果显示,在6~18 GHz的频带范围内,这种扩展同轴功分器的插入损耗小于0.65 d B,反射损耗小于-9 d B。验证了扩展同轴结构具有极宽的带宽、低差损、输出端口幅相一致性高的特点,在功率合成领域拥有广阔的应用前景。

    2016年05期 v.16;No.157 35-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 1844K]
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  • LTCC曲面基板制造技术

    卢会湘;严英占;唐小平;明雪飞;

    电子电路曲面结构对于实现结构功能一体化有重要应用意义。针对LTCC多层电路基板,提出了一种曲面结构基板的加工制造方法。介绍其制造中曲面结构导体制作、曲面结构成形、曲面结构烧结等环节的关键制造工艺。通过X光和剖切方式对所制造的曲面基板进行测试分析,结果证实曲面基板中的多层布线均连通,且层间对位精度优于15μm。提出的曲面LTCC基板制造技术能够满足后续产品的研制加工要求,对于曲面电子技术和LTCC技术的发展都具有借鉴意义。

    2016年05期 v.16;No.157 39-42+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 2221K]
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  • LCP基RF MEMS开关的工艺研究

    党元兰;赵飞;韩磊;徐亚新;梁广华;刘晓兰;陈雨;庄治学;

    在柔性LCP基板上制备RF MEMS开关,加工难度较大,影响开关质量的因素较多。主要研究影响LCP基RF MEMS开关加工质量的主要因素,寻找工艺过程控制解决方案。通过对关键工序的试验,对加工过程中的基板清洗、LCP基板覆铜面镀涂及整平、LCP基板无铜面溅射金属膜层、LCP基板平整度保持、二氧化硅膜层生长及图形化、牺牲层加工、薄膜微桥加工、牺牲层释放等工序进行了参数优化。研制的LCP基RF MEMS开关样件频率≤20 GHz、插入损耗≤0.5 d B,回波损耗≤-20 d B,隔离度≥20 d B,驱动电压30~50 V。该加工方法对柔性基板上可动结构的制造具有一定的借鉴价值。

    2016年05期 v.16;No.157 43-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 674K]
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  • 中科芯集成电路股份有限公司诚聘英才

    <正>中科芯集成电路股份有限公司位于风景秀丽的无锡太湖之滨、锡惠山麓、大运河畔。在无锡形成一总部二基地,现有南京、北京、深圳、长沙四个研发中心,正在筹备上海、成都、西安三个研发中心。现有职工2000人,其中中国工程院院士1名,国务院政府津贴专家30名,高级工程师以上人员200余名。拥有集成电路设计、掩模制版、晶圆制造、测试、封装、可靠性和应用等国内最齐全的集成电路产业链,是保障我国武器装备系统集成电路自主可控、推进我国集成电路产业跨越式发展的骨干力量。

    2016年05期 v.16;No.157 48页 [查看摘要][在线阅读][下载 1323K]
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