电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • Sn-Cu-Ni系无铅钎料的研究现状

    陈哲;李阳;

    综合分析了Sn-Cu-Ni系无铅钎料的国内外研究现状,概述了Sn-Cu-Ni系无铅钎料的润湿性、微观组织、界面反应、力学性能、焊点可靠性、物理性能等性能特点。从钎焊工艺、添加微量元素等方面阐述了Sn-Cu-Ni系钎料各项性能的影响因素,并对Sn-Cu-Ni系钎料的应用前景和研究方向进行了展望。

    2016年06期 v.16;No.158 1-9页 [查看摘要][在线阅读][下载 2054K]
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  • TO型封装的真空储能焊密封工艺研究

    黎小刚;许健;

    研制了一种采用储能焊实现TO型封装半导体器件的真空密封装置。该装置由叠形波纹管、密封圈及气室外壳的配合形成上、下气室,利用磁铁同性相斥原理将待密封的管帽与管座分离及定位,达到抽真空时充分排气的目的。实验探索了TO器件的真空封装工艺,一次压力为0.4 MPa、二次压力为0.6 MPa、充电电压为350 V时封口质量最好。对密封后的器件进行了焊接强度及气密性测试,封口强度高,无漏气现象。

    2016年06期 v.16;No.158 10-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 964K]
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  • SiP封装传感器中金丝可靠性设计与分析

    刘建军;郭育华;

    SiP封装的传感器中,连接MEMS传感器芯片和ASIC芯片的金丝被包裹在软硅胶和硬塑封料中,由于硅胶和塑封料热膨胀系数差异很大,后期的温度循环等环境实验中容易出现金丝断路的风险。针对这一风险进行可靠性设计,并用实验进行验证。结果表明,采用矩形线弧方式并控制硅胶包裹工艺,保证金丝折弯部分处于硅胶包裹内,可以有效缓解热循环产生的应力对键合金丝第二焊点的损伤,使传感器产品可靠性通过欧洲汽车电子标准AEC-Q100中的温度循环测试。

    2016年06期 v.16;No.158 14-16+35页 [查看摘要][在线阅读][下载 3105K]
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  • 纳米级无机粒子对环氧树脂胶黏剂击穿电压的影响

    莫洪强;秦会斌;毛祥根;

    为研究纳米无机颗粒对环氧树脂胶黏剂电性能的影响,以环氧树脂为基体,纳米级粒子AlN、BN和Al_2O_3为填充物,制备了不同种类不同含量粒子的胶黏剂。结果表明,胶黏剂的击穿电压随着填充粒子含量的不断增加是先增加后降低的,两种填充粒子混合的击穿电压要明显高于单一粒子和3种粒子的混合,在AlN∶BN=2∶3时,其击穿电压达到最大值55kV/mm。

    2016年06期 v.16;No.158 17-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 673K]
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  • 功率MOSFET器件栅电荷测试与分析

    张文涛;皓月兰;

    栅电荷是表征功率MOSFET器件动态特性的重要参数之一,其测试结果与时间和频率有关,受分布参数、测试夹具和电路结构等因素影响较大。其参数直接影响器件整体性能,设计不好将导致器件没使用时已击穿甚至损坏,在军用功率MOSFET器件研制生产和使用验收中列为必测参数。随着对MOSFET器件可靠性要求的不断提高,栅电荷的测试重要性凸显。针对目前国内外栅电荷测试现状及存在的问题做了详尽阐述,为国内的栅电荷测试提供一定的参考和指导。

    2016年06期 v.16;No.158 21-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 515K]
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  • 基于UltraFlex的多时钟域电路测试方法

    严华鑫;

    介绍了一种在UltraFlex系统上进行多时钟域电路测试的方法,利用了UltraFlex系统自身硬件设计的特点和VBT,解决系统在多时钟电路频率比较高的情况下最小公倍数频率超过测试系统规格的问题。此方法通用,可进行不规则多时钟ASIC的测试,降低了设计和测试人员测试算法设计的难度,提高了设计和测试开发速度。

    2016年06期 v.16;No.158 24-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 4908K]
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电路设计

  • FPGA芯片时钟架构分析

    张艳飞;谢长生;匡晨光;

    FPGA设计中时钟信号的设计与处理是保证系统稳定工作的重要组成部分,随着FPGA器件规模的不断增大,集成度不断提高,多时钟域管理、时钟延迟、时钟信号完整性和相位偏移等已成为影响FPGA设计的关键因素。结合微电子电路相关知识,针对Xilinx公司的Virtex4系列芯片,详细分析其时钟架构及时钟资源的特性。针对FPGA时钟设计的典型应用情况,从芯片角度给出了时钟设计与使用的一些技巧和建议。

    2016年06期 v.16;No.158 28-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 420K]
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微电子制造与可靠性

  • CMOS工艺中等离子体损伤WAT方法研究

    陈培仓;徐政;李俊;

    WAT(Wafer Accept Test)即硅圆片接收测试,就是在半导体硅片完成所有的制程工艺后,对硅圆片上的各种测试结构进行电性测试,它是反映产品质量的一种手段,是产品入库前对wafer进行的最后一道质量检验。随着半导体技术的发展,等离子体工艺已广泛应用于集成电路制造中,离子注入、干法刻蚀、干法去胶、UV辐射、薄膜淀积等都可能会引入等离子体损伤,而常规的WAT结构无法监测,可能导致器件的早期失效。设计了新的针对离子损伤的WAT检测结构,主要是缩小了栅端面积,在相同天线比的情况下天线所占面积呈几何级下降,使得评价结构放置在划片区变得可能。

    2016年06期 v.16;No.158 31-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 1741K]
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  • 一种新型CMOS器件长期贮存寿命评价试验方法

    刘士全;徐超;秦晨飞;王健军;

    介绍了一种新型的可对CMOS元器件长期贮存寿命做出评价的试验方法。对CMOS元器件样品分别进行常温贮存试验和高温贮存试验,通过常温贮存试验累积试验数据,并以此研究总结CMOS元器件长期贮存性能参数变化的规律,通过高温贮存试验加速元器件常温贮存过程,在实验过程中定期对样品器件进行测试。通过对常温贮存数据和高温加速贮存数据进行比对分析,并利用阿伦尼斯模型进行数据处理,从而在较短的时间内对元器件长期贮存寿命做出评价。

    2016年06期 v.16;No.158 36-38+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 470K]
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  • 元器件二次筛选过程中的质量控制

    王小萍;

    元器件二次筛选的目的是在于通过对产品实施非破坏性筛选试验,剔除具有潜在缺陷的早期失效产品,为整机的可靠性提供重要保证。为了获得良好的筛选效果,需要选择有效的筛选项目和方法。电容器和分立器件由于结构材料特殊,应用广泛,也容易在二筛过程中造成误判或由于操作不当引入新的失效或隐患,二次筛选过程中的质量控制尤为重要。选择电容器和分立器件,从筛选中最为重要的测试和电老炼两个方面着手,结合静电防护,对二筛过程的质量控制进行阐述。

    2016年06期 v.16;No.158 39-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 1377K]
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产品、应用与市场

  • 一种WLCSP元器件先进运输包装材料解决方案

    杨青;

    报道了一种用于WLCSP电子元器件的先进运输包装材料,即3M先进载带盖带技术。首先介绍了WLCSP元器件的特点及其对运输包装材料的特殊需求,重点介绍了3M先进载带和盖带技术针对这些需求的解决方案。由PC材质制作成的载带,其强度高、不易变形,能更好地保护元器件。特殊的一体化成型工艺提供了高尺寸精度载带,能更好地匹配元器件尺寸。专利性的设计方案既保护了元器件不易受损也保证了贴片的高效率。同时,3M洁净载带产品满足了WLCSP元器件的高洁净度要求。同时介绍了压敏型防粘盖带,其具有更稳定的剥离力,而且采用防粘材料也大大解决了元器件和盖带粘料的问题。

    2016年06期 v.16;No.158 43-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 2614K]
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  • 中科芯集成电路股份有限公司诚聘英才

    <正>中科芯集成电路股份有限公司位于风景秀丽的无锡太湖之滨、锡惠山麓、大运河畔。在无锡形成一总部二基地,现有南京、北京、深圳、长沙四个研发中心,正在筹备上海、成都、西安三个研发中心。现有职工2000人,其中中国工程院院士1名,国务院政府津贴专家30名,高级工程师以上人员200余名。

    2016年06期 v.16;No.158 48页 [查看摘要][在线阅读][下载 408K]
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