电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 多芯片陶瓷封装的结-壳热阻分析方法

    高辉;仝良玉;蒋长顺;

    随着半导体行业对系统高集成度、小尺寸、低成本等方面的要求,系统级封装(Si P)受到了越来越多的关注。由于多芯片的存在,Si P的散热问题更为关键,单一的热阻值不足以完整表征多芯片封装的散热特性。介绍了多芯片陶瓷封装的结-壳热阻分析方法,通过热阻矩阵来描述多芯片封装的散热特性。采用不同尺寸的专用热测试芯片制作多芯片封装样品,并分别采用有限元仿真和瞬态热阻测试方法分析此款样品的散热特性,最终获得封装的热阻矩阵。

    2016年07期 v.16;No.159 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 232K]
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  • LTCC生瓷层压中腔体的形变评价及控制

    王运龙;刘建军;柳龙华;邱颖霞;王志勤;

    以含有腔体结构的LTCC叠层生瓷为研究对象,介绍了腔体在层压形变的评价和控制方法。分析了LTCC空腔在层压时产生变形的主要影响因素。阐述了在生瓷表面上增加金属掩模板来控制腔体形变的叠层结构设计。有限元分析结果表明不锈钢掩模可使腔体边缘应变降低至无掩模时应变的1/6,并通过工艺试验验证了金属掩模板的有效性。结果表明合理的层压结构设计和恰当的层压工艺可以制作出满足尺寸精度的空腔结构。

    2016年07期 v.16;No.159 5-9+17页 [查看摘要][在线阅读][下载 447K]
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  • 纳米无机粒子对环氧树脂胶黏剂导热性能的影响

    莫洪强;秦会斌;毛祥根;

    鉴于环氧树脂胶黏剂导热性能已不能满足实际应用的散热要求,以环氧树脂为基体,纳米级粒子Al N、BN和Al2O3为填充物,通过填充不同质量的粒子来研究对胶黏剂导热性能的影响。结果表明,在填充质量110~120 g时,三种粒子混合配比填充其导热性能要明显高于单一粒子填充和两种粒子混合填充,在粒子质量配比为Al N∶BN∶Al2O3=2∶3∶5时,导热系数达到2.25 W·(m·K)-1。

    2016年07期 v.16;No.159 10-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 160K]
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  • 光电器件用金属外壳高频性能的改进

    袁中朝;许健;崔大健;姚科明;

    金属外壳对光电器件的微波高频特性有重要的影响。从金属外壳的内腔结构和传输线过渡结构两个方面,对光电器件的高频特性进行改进。通过对金属外壳内腔的几何结构、传输线过渡结构进行改进,成功地将器件的衰减尖峰从14.5 GHz移至3 d B带宽之外的19.1 GHz,使器件的3 d B带宽提高了1 GHz。

    2016年07期 v.16;No.159 14-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 290K]
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电路设计

  • 一种嵌入式NOR Flash控制器IP的设计

    解同同;李天阳;

    当前,嵌入式Flash广泛应用于嵌入式系统领域,便于系统进行软件在线更新和系统维护。嵌入式NOR Flash可以"嵌入"在芯片中作为高速缓存,对于提升芯片整体性能作用明显。传统的嵌入式NOR Flash不具备测试接口,在芯片出现工作异常时不便于对整个芯片进行故障诊断。设计并实现了一种具有片上可测试功能的嵌入式NOR Flash控制器IP。控制器主要分为控制模块与测试模块两个部分,分别对两个模块进行分析设计。经过仿真验证,控制器可以实现对NOR Flash的正常操作与片外测试功能,达到了设计目标。

    2016年07期 v.16;No.159 18-21+43页 [查看摘要][在线阅读][下载 376K]
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  • 高速SRAM编译器时序算法

    黄奔;彭力;吴海宏;

    介绍了一种通用嵌入式存储器(SRAM)编译器时序建模的方法。通过对存储器关键路径延时分析,时序模型采用分段拓展的建模方式,用Rows、Columns来对SRAM进行分段,分别讨论各段对时序的影响。采用双线性插值法对模型进一步优化,较大程度上提高了模型的精度。最后与ARM公司0.13μm工艺的存储编译器进行了验证和对比。结果表明,该模型能够较为精确地描述存储编译器时序。

    2016年07期 v.16;No.159 22-25+38页 [查看摘要][在线阅读][下载 253K]
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  • 一种高速LVDS接收电路的设计

    胡庆成;贺凌炜;周晓彬;

    提出了一种内置失效保护功能的高速低压差分信号(Low Voltage Differential Signaling,LVDS)接收电路。该电路不仅解决了传统电路结构在电源电压3 V或更低时不能满足LVDS标准规定的输入共模电压范围内(0.05~2.35 V)稳定工作的问题,而且还可以直接作为LVDS接口电路的输入级使用,节省了外接保护电路。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺模型库,用spectre进行仿真,在输入共模电压范围内工作稳定,传输速率达到1 Gbps。

    2016年07期 v.16;No.159 26-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 213K]
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  • 一种用于OTP存储器的灵敏放大器设计

    袁同伟;潘滨;孙杰杰;胡晓琴;

    设计了一种应用于反熔丝OTP存储器的灵敏放大器电路,该电路采用电压型灵敏放大,通过严格的读控制时序,该灵敏放大器能够准确无误地读出并锁存反熔丝存储单元的存储状态。电路结构简单、功耗低、电阻识别精度高、抗干扰能力强。仿真验证表明,在典型条件下,整个灵敏放大阶段仅需要8 ns,且满足在不同工作电压及温度条件下的工作需求。

    2016年07期 v.16;No.159 29-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 314K]
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微电子制造与可靠性

  • L波段大功率开关的研制

    孟向俊;杨磊;黄贞松;宋艳;许庆;

    根据高功率、低插损、高隔离的要求,选择串并联电路形式对这些指标做折衷处理。采用多芯片模块组装工艺,把PIN管芯片通过焊料烧结在氮化铝基板上。相比于传统基板材料,氮化铝陶瓷基板导热性能优良,无需加装散热器,使电路尺寸减小,制作简单。实现在L波段上,通过峰值功率500 W、占空比30%的脉冲信号,插入损耗小于0.8 d B,隔离度大于35 d B。

    2016年07期 v.16;No.159 34-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 270K]
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  • 0.18μm完全隔离型低导通态电阻(Low R_(on))NLDMOS研究

    冯喆韻;马千成;汪铭;

    介绍一组基于0.18μm逻辑平台构建的低导通态电阻(Low Ron)NLDMOS。该组LDMOS涵盖10~30 V应用电压。该NLDMOS为完全隔离型,因而其源端和漏端均可以独立于衬底加偏压。针对Drift区域和Body区域分别进行结构优化,最终得到性能良好的低导通态电阻(Low Ron)NLDMOS。其导通态电阻(Ron)为4.4 mΩ·mm-2对应击穿电压(BV)~20 V,21 mΩ·mm-2对应击穿电压(BV)~41 V。

    2016年07期 v.16;No.159 39-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 415K]
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  • NAND Flash浮栅干法蚀刻工艺优化解决数据写入失效

    陈亮;周朝锋;李晓波;

    随着移动终端的大量普及,存储器市场需求得到大幅度提升。NAND Flash以其大容量和体积小的优点,在目前的存储器市场占据着越来越重要的地位。产品良率是影响NAND Flash发展的一个重要因素。其中NAND Flash读写操作中的写入失效是良率损失最主要的原因。经分析,整合工艺的复杂性以及蚀刻制程工艺的局限性,浮栅和控制栅物理结构不完善会产生数据写入失效。着眼于对浮栅的干法蚀刻工艺进行改进,改善浮栅和控制栅物理结构,防止写入失效,从而得到最佳的良率。

    2016年07期 v.16;No.159 44-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 244K]
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信息报道

  • 澳洲科学家打破光伏电池能效世界纪录

    李星悦;

    <正>据《复合物半导体》报道,来自新南威尔士大学(UNSW)的研发团队成功将光电转换率提高到34.5%,刷新了之前由美国阿尔塔设备公司(Alta Devices)创造的24%的非聚焦太阳光束转换纪录。澳洲先进光伏研发中心(UNSW Australian Centre for Advanced Photovoltaics)将尺寸为28 cm2的四联微模块嵌入

    2016年07期 v.16;No.159 43页 [查看摘要][在线阅读][下载 75K]
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  • 中科芯集成电路股份有限公司诚聘英才

    <正>中科芯集成电路股份有限公司位于风景秀丽的无锡太湖之滨、锡惠山麓、大运河畔。在无锡形成一总部二基地,现有南京、北京、深圳、长沙四个研发中心,正在筹备上海、成都、西安三个研发中心。现有职工2000人,其中中国工程院院士1名,国务院政府津贴专家30名,高级工程师以上人员200余名。

    2016年07期 v.16;No.159 48页 [查看摘要][在线阅读][下载 235K]
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