电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 准气密空腔型外壳的封装技术

    高辉;肖汉武;李宗亚;

    基于非陶瓷、金属等材料的空腔型封装是近年来兴起的一种非气密或准气密封装技术。这种封装技术采用环氧树脂或液晶聚合物等塑料材料制作空腔型外壳,相对于陶瓷、金属等无机材料而言,基于塑料材质的空腔型外壳具有重量轻、介电常数低等优势,目前已经在射频电子、便携式产品中得到了应用。介绍了3种类型的空腔型外壳及相应的盖板密封技术,并对空腔型外壳的准气密封装技术在国内的应用进行了展望。

    2016年11期 v.16;No.163 1-6+13页 [查看摘要][在线阅读][下载 393K]
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  • 低噪声放大器的自动测试开发

    张凯虹;苏扬;武乾文;

    如何快速又精确地输出低噪声放大器的测试值并使测试值符合测试规范是研究重点。基于多个测试仪器对低噪声放大器的特性参数进行测试开发。矢量网络分析仪完成S参数的测试,噪声测试仪完成噪声系数测试,信号源与频谱仪配合完成三阶交调交叉点测试,信号源与功率计配合完成1 d B增益压缩点测试。通过GPIB或TCP/IP实现仪器通信,使用计算机编程对整个流程实现自动控制,最后将测试结果返回计算机并显示,测试结果符合规范。实验证明,在实际应用中该方法快速精确并具有很好的通用性,可拓展到其他芯片的测试。

    2016年11期 v.16;No.163 7-9+22页 [查看摘要][在线阅读][下载 240K]
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  • 集成电路中MOS管导通电阻测量方法

    韩新峰;顾卫民;

    MOS管是一种常见的半导体功率器件,随着半导体产业的不断发展和进步,MOS管的各方面性能也得到大幅度的提高,被广泛应用于开关电源、节能灯、电源转换和电源控制等领域。在功率电路中,MOS作为一种多子功率开关器件,其导通电阻是至关重要的参数之一,会影响到应用电路的稳定性和功耗。因此在集成电路测试中对于MOS管导通电阻的精确测量显得尤为重要。对于MOS管导通电阻的测量做了详细分析,并介绍了两种可以准确测量MOS管导通电阻的方法。

    2016年11期 v.16;No.163 10-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 233K]
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  • 基于ATE的电源芯片Multi-Site测试设计与实现

    唐彩彬;

    介绍了电源芯片的多Site测试设计与实现。基于CTA8280测试系统,通过对芯片CP(晶圆测试)要求进行分析,设计了8 Site测试电路外围,能够实现对晶圆进行8 Die并行测试。测试结果显示,该方案能够有效提升该电源芯片的测试效率,降低测试成本。

    2016年11期 v.16;No.163 14-17+26页 [查看摘要][在线阅读][下载 381K]
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电路设计

  • 一种带有失调消除电路的带隙基准设计

    许圣全;张帅;

    设计一种带有消除失调电压的带隙基准源。采用NEC的0.35μm 2P2M标准CMOS工艺,在Cadence Spectre环境下进行设计和仿真。该电路比传统的带隙基准电路具有更高的精度和稳定性。带隙基准的输出电压为1.274 V,在3~6 V的电源电压范围内基准电压随输入电压的最大偏移为0.4 m V;在-55~125℃的温度范围内,基准电压随温度的变化为4 m V,产生的偏置电流基本上不受电源电压的影响,而与温度成线性关系。该电路以增加芯片功耗和面积为代价,消除失调电压对电路的影响。基准电压电源抑制比可达到85 d B。

    2016年11期 v.16;No.163 18-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 404K]
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  • FPGA中开关矩阵的研究

    胡凯;谢达;刘彤;张艳飞;单悦尔;

    开关矩阵是现场可编程门阵列FPGA芯片中最重要的组成部分之一。通过对FPGA中开关矩阵进行分析和研究,介绍了开关矩阵的布局和绕线方式,建立了开关矩阵的基本模型,对开关矩阵模型进行了仿真、分析和优化。重点分析了开关矩阵速度与各参数因子之间的关系,结果表明优化后的开关矩阵具有很好的性能。

    2016年11期 v.16;No.163 23-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 387K]
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  • 一种用于高度表测量系统的射频前端收发组件

    蔡茂;潘碑;郁健;马建军;温艳兵;

    简要介绍了高度表测量系统用射频前端收发组件的设计方案。详细阐述了主要功能单元电路和重要技术指标的设计考虑。该射频前端达到的指标为:输出发射功率大于16 W,输出功率全温稳定性小于0.1 d B/10℃,收发隔离大于112 d Bc,端口泄漏小于34 d BμV等。

    2016年11期 v.16;No.163 27-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 296K]
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  • 一种用于微波控制电路控制端口的静电/浪涌电压泄放结构

    潘结斌;陈计学;姜楠;

    提出一种用于泄放微波控制电路[0,5 V]或[0,-5 V]电压控制端口的静电/浪涌电压结构,分别给出了[0,5 V]或[0,-5 V]电压控制端口静电/浪涌电压泄放结构的设计方法,并对其工作原理进行了分析。通过建立泄放结构开启和关断状态下的仿真分析模型,利用ADS设计软件仿真所设计结构对控制端TTL动态控制信号完整性的影响。分析结果表明,该设计结构嵌入到微波控制电路的输入端口,不影响TTL动态控制信号的完整性。经微波五位数控衰减器的控制端口应用验证,对器件的静电/浪涌电压敏感控制端口具有较好的保护作用。

    2016年11期 v.16;No.163 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 247K]
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  • 移相全桥零电压PWM软开关电路谐振过程研究

    王金刚;刘鹏;

    为解决全桥硬开关电路的开关损耗问题,提高电源效率,研究了一种移相全桥软开关电路。与传统电路相比具有开关损耗小、EMI噪声低、工作频率高、电源效率高等优点。详细介绍了移相全桥电压PWM软开关电路谐振工作的全过程,最后给出了PWM软开关电路占空比丢失的原因及解决办法。

    2016年11期 v.16;No.163 35-38+43页 [查看摘要][在线阅读][下载 293K]
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  • 宽带定向耦合器的设计与应用

    王家波;曹雪松;

    对耦合线定向耦合器进行理论分析,对于对称型,首先求得多节定向耦合器的耦合度通用表达式,然后利用二项式(最平坦)响应前n-1阶导数为零的条件,计算出各节耦合系数。对于非对称型,利用四分之一波长耦合器与四分之一波长阶梯阻抗滤波器等效,通过切比雪夫多项式及理查德变换综合出阶梯阻抗滤波器的归一化阻抗,此即为耦合器的偶模阻抗,然后计算出各节耦合系数。实例计算比较4~20 GHz的两种耦合器:二项式响应耦合器具有最平坦的带内特性;与二项式响应相同节数的切比雪夫响应耦合器具有更大的带宽比。最后用厚度为0.254 mm的Rogers 5880微带板制作了6~18 GHz的两节微带线耦合器,并应用在某组件中。

    2016年11期 v.16;No.163 39-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 315K]
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信息报道

  • 中国半导体行业协会封装分会轮值理事长交接工作会议顺利召开

    赵博;

    <正>2016年11月7日,中国半导体行业协会封装分会轮值理事长交接工作会议在上海和平豪生大酒店顺利召开。中国半导体行业协会执行副理事长兼秘书长徐小田,中国半导体行业协会副理事长陈贤,中国半导体行业协会封装分会名誉理事长毕克允,2016年度中国半导体行业协会封装分会轮值理事长石明达,轮值理事长王新潮、肖胜利、刘岱,封装分会秘书长王红等人参加会议。中国半导体行业协会副理事长兼秘书长徐小田、中国半

    2016年11期 v.16;No.163 43页 [查看摘要][在线阅读][下载 73K]
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微电子制造与可靠性

  • 1200 V IGBT的性能优化

    李宏;

    主要研究1200 V IGBT器件的性能优化方法。理论分析了IGBT结构参数与其主要性能的关系,按1200 V IGBT器件击穿电压和饱和压降的设计要求,重点讨论了FS、JFET注入、延长JFET退火时间和减小Pring注入剂量对IGBT器件击穿电压(BV)和饱和压降(Vdson)的影响,最终得到了满足器件设计要求的最佳性能参数。

    2016年11期 v.16;No.163 44-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 371K]
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  • 中科芯集成电路股份有限公司诚聘英才

    <正>中科芯集成电路股份有限公司位于风景秀丽的无锡太湖之滨、锡惠山麓、大运河畔。在无锡形成一总部二基地,现有南京、北京、深圳、长沙四个研发中心,正在筹备上海、成都、西安三个研发中心。现有职工2000人,其中中国工程院院士1名,国务院政府津贴专家30名,高级工程师以上人员200余名。

    2016年11期 v.16;No.163 48页 [查看摘要][在线阅读][下载 169K]
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