电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 高密度CQFP封装IC的CA结构分析研究

    虞勇坚;郁骏;吕栋;

    针对高密度CQFP封装的质量评价,现有标准主要立足于电路本身,没有考虑到工程应用的组装、试验和使用过程中可能会发生的各种失效问题,仅仅按照国军标的规定通过鉴定和质量一致性等可靠性试验和检验无法全面有效地保证其应用可靠性。通过结合实际工程应用关注封装外壳、互联区域和芯片之间本身结构上的薄弱点,以高密度CQFP封装IC为例,对其进行结构单元分解,确定分析流程和检验项目,并以实际应用案例说明了对高密度CQFP封装IC进行结构分析的重要性。

    2017年04期 v.17;No.168 1-4+8页 [查看摘要][在线阅读][下载 507K]
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  • 大电流EMI滤波器气密性金属封装的研制

    陈益芳;洪瑜鹏;康武闯;赵海霞;

    大电流EMI滤波器密封式结构相较于开放式结构更适于盐雾、振动、冲击等工作环境,但需解决气密性金属封装中装配、散热、高频耦合等问题。以研制一款15 A的EMI滤波器的气密性金属封装产品为例,介绍了密封结构设计以及组件一体化设计、凹槽辅助焊接结构、平行缝焊、玻璃封装及Ni-Au复合镀等工艺措施,有效解决金属封装的气密性及气密性成品率。产品基本电性能等效于开放式结构产品,并通过相关可靠性考核,为同类EMI滤波器气密性封装的设计提供参考。

    2017年04期 v.17;No.168 5-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 405K]
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  • 烧结工艺对LTCC基板质量影响分析

    时璇;马其琪;李俊;贾少雄;

    烧结是LTCC生产的特殊过程。烧结不仅影响着基板的外观、尺寸,还会对基板的电性能产生重要影响。烧结工序对基板质量的影响不仅要从烧结本身的参数来分析,而且也要对LTCC生产过程中的其他工序进行综合分析。这样不仅能找出基板质量问题产生的原因,同时也能防微杜渐,在生产过程中将质量隐患遏制在萌芽阶段。

    2017年04期 v.17;No.168 9-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 203K]
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  • 金层和银层铟基焊料钎焊界面组织性能研究

    杨东升;张悦;田艳红;叶育红;

    对In40Pb60的铟基近共晶钎料钎焊金属基板钎焊界面(即Cu/Ni/Au/InPb/Ag/Ni/Al结构)进行研究。分析钎焊界面焊点处显微结构及各层成分及厚度,对钎焊焊点进行高温老化,利用SEM对焊点钎料成分与界面形成的金属间化合物进行检测,并进行剪切力学性能测试。结果表明,短时间的老化后焊点AuIn_2和AgIn_2金属间化合物的生成使得焊点力学性能有一定提高,但IMC层不宜过厚,厚度过大焊点的剪切性能会随老化的推进略有下降,应该控制脆性物质的生成使得焊点力学性能达到最高。

    2017年04期 v.17;No.168 12-15+23页 [查看摘要][在线阅读][下载 605K]
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电路设计

  • 用于X波段相控阵系统的高线性度低附加相移数字衰减器设计

    邓青;汪粲星;万川川;张浩;

    设计了一款应用于X波段相控阵系统的6位数字衰减器,该衰减器具有高线性度和低附加相移的特点。对常规开关Pi型衰减器的附加相移和线性度进行了分析,通过电感和电容补偿技术,实现了在宽带频率范围和不同衰减状态下都具有低的附加相移。此外,利用浮动衬底技术来实现较高的线性度。该衰减器基于0.13μm的BiCMOS工艺设计。仿真结果显示该衰减器的插入损耗为6.67dB,10GHz下在最小衰减和最大衰减处的1dB压缩点输入功率分别为15.5dBm和10dBm。

    2017年04期 v.17;No.168 16-19+29页 [查看摘要][在线阅读][下载 890K]
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  • 一种基于FPGA的高效安全配置模式的设计

    庄雪亚;王兴宏;闫华;

    随着FPGA的应用场合不断扩展,对安全可靠下载比特流的研究也在不断深入和扩展。基于AES算法,采用SRAM和EFUSE两种存储器存储Encryption KEY,并配合两种解密电路,完成了基于FPGA的高效安全配置模式电路设计。该设计实现了将Encrypted比特流更高效、更安全、更灵活地下载到FPGA内的配置SRAM中。经过数字仿真波形分析,验证了设计方法的可行性和正确性。

    2017年04期 v.17;No.168 20-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 642K]
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微电子制造与可靠性

  • MEMS麦克风的失效机理及失效分析

    张永强;熊小平;

    MEMS麦克风是将音频信号转换成电信号的微型传感器,其工作过程涉及到声学、机械学和微电子学等学科。随着MEMS麦克风封装尺寸的不断缩小和声学性能的不断提升,以电学测试结果作为失效分析出发点的传统半导体失效分析方法越来越难以满足MEMS麦克风失效分析的需要。针对MEMS麦克风独特的封装结构和工作原理,其失效分析方法主要包括声学性能测试、机械性能测试和电学性能测试,并结合传统的半导体物理失效分析手段来找到真正的失效原因及失效机理。

    2017年04期 v.17;No.168 24-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 776K]
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  • 抗辐射0.18μm NMOS器件热载流子效应研究

    谢儒彬;张庆东;纪旭明;吴建伟;洪根深;

    基于0.18μm CMOS工艺开发了抗总剂量辐射加固技术,制备的1.8 V NMOS器件常态性能良好,器件在500 krad(Si)剂量点时,阈值电压与关态漏电流无明显变化。研究器件的热载流子效应,采用体电流Isub/漏电流Id模型评估器件的HCI寿命,寿命达到5.75年,满足在1.1 Vdd电压下工作寿命大于0.2年的规范要求。探索总剂量辐射效应与热载流子效应的耦合作用,对比辐照与非辐照器件的热载流子损伤,器件经辐照并退火后,受到的热载流子影响变弱。评估加固工艺对器件HCI可靠性的影响,结果表明场区总剂量加固工艺并不会造成热载流子损伤加剧的问题。

    2017年04期 v.17;No.168 30-33+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 601K]
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  • MTM反熔丝单元的辐照特性研究

    王印权;郑若成;徐海铭;吴素贞;洪根深;

    对MTM反熔丝单元的总剂量辐照特性进行了研究,对未编程和编程后两种状态的反熔丝单元在不同电压偏置条件下进行总剂量辐照(Co~(60)-γ射线),辐照总剂量为2 Mrad(Si)。辐照试验结果显示,未编程状态下的MTM反熔丝单元的电压-电流特性曲线基本保持不变,漏电流变化率小于10%。编程后反熔丝单元的电阻特性保持不变,并且编程电阻大小对辐照试验结果无显著影响。试验结果表明,MTM反熔丝单元的抗总剂量(Co~(60)-γ射线)辐照能力达到2 Mrad(Si)以上。

    2017年04期 v.17;No.168 34-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 1175K]
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产品、应用与市场

  • GPIB通信在电容测试仪表校准中的应用

    邓长开;唐明津;胡义平;

    安捷伦电容测试仪表(E4980A,4279A)每年需要做年度校准,人工手动校准操作非常复杂且耗时过长。但是运用电容仪表通信协议,年度校准完全可以实现自动化。通过VB编程加GPIB通信的方法编写测控软件,可以实现软件自动发送所有的校准指令,自动判断仪表返回校准数值正确与否,自动保存校准数据为Excel文件同时录入数据库,实现了快速高效的电容测试仪表的校准。

    2017年04期 v.17;No.168 39-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 321K]
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  • 典型处理芯片在物联网应用中的价值分析

    蒋宇;

    物联网的应用价值不言而喻,作为推动物联网产业发展的根基技术——物联网芯片的发展速度和稳健程度,直接关系着我国物联网产业发展的当前价值和后续动力。就典型处理芯片在物联网应用中的价值体现问题展开研究,针对目前我国物联网芯片发展中存在的自主产权和创新性问题,给出政策与创新的"组合拳"建议,通过分类分析目前主流物联网芯片及其系统的功能、特征、应用价值和发展潜力,展望物联网芯片发展的机遇。

    2017年04期 v.17;No.168 45-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 198K]
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