电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 功率模块铜线键合技术及其可靠性研究

    陈云;王立;吕家力;朱婷;

    由于铝线键合逐渐不能满足如今功率模块功率密度、工作温度不断提升的可靠性要求,因此采用铜线代替铝线,以实现更高的可靠性工作寿命。对比分析了铜线、铝线键合工艺的特点、结合强度和可靠性,证明了铜线键合工艺的可行性和高可靠性。同时分析了铜线键合工艺目前存在的问题和应对措施。

    2017年09期 v.17;No.173 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 271K]
    [下载次数:83 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:32 ]
  • 气相二氧化硅对LED封装用荧光胶抗沉淀改性研究

    喻思;贵大勇;钱诚;

    结合气相二氧化硅对硅橡胶的增稠原理,研究了其对LED封装用荧光胶中荧光粉的抗沉淀性能。用气相二氧化硅对荧光胶进行了抗沉淀改性,并分别用硅烷偶联剂KH-560和KH-570对气相二氧化硅进行了表面功能化改性,对原样和各改性样分别进行了红外光谱测试、粒径分析、粘度测试、储存模量分析,并对固化后的荧光胶进行了SEM扫描分析。研究结果表明气相二氧化硅的填充有助于改善荧光粉的沉淀现象,并且经5%的硅烷偶联剂KH-570改性后的气相二氧化硅,其粒径更小、分散更均匀、增稠效果更好,对荧光胶的抗沉淀性能有较明显的改善。

    2017年09期 v.17;No.173 5-9页 [查看摘要][在线阅读][下载 301K]
    [下载次数:96 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:22 ]
  • 基于J750EX测试系统的大容量NOR型FLASH测试方法

    季伟伟;倪晓东;张凯虹;杜元勋;

    NOR型FLASH存储器因其技术显著的高可靠性、能长久存储代码数据的非易失性(Non-Volatile)特点,在关注可靠性胜过性价比的军工和航空航天领域应用十分广泛。但由于此类器件在线编程及擦除操作较繁琐,从而使得利用自动测试系统对其进行测试具有较高难度。因此,探索NOR型FLASH存储器的测试技术,并开发此类器件的测试平台具有十分重要的意义。首先以MICRON公司的PC28F00AM29EW为例,介绍了NOR型FLASH存储器的基本工作原理,接着详细阐述了一种采用J750EX测试系统的DSIO模块结合FLASH分块操作的测试方法,从而能够更简便、高效地对NOR型FLASH存储器的功能进行评价。

    2017年09期 v.17;No.173 10-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 252K]
    [下载次数:40 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:25 ]

电路设计

  • 基于FPGA的动态自重构系统原理与实现

    徐彦峰;张丽娟;谢文虎;

    现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)提供了强大的可编程接口,支持灵活的现场可编程能力。动态可重构设计方法可以在尺寸、重量、功率和成本等方面优化传统的FPGA应用。目前控制、存储和接口组成的动态可重构实现系统,虽然可以实现对FPGA的动态可重构,但需要额外增加多个器件,反而使FPGA应用系统更加复杂。基于动态可重构原理,提出了一种动态自重构系统的原理和实现方法。该方法通过在静态逻辑中添加自重构模块,对自身可重构分区进行功能修改,从而实现对自身的动态重构。设计了两种LED灯的闪烁方式模块,实验结果证明:通过自重构技术,可以实现这两种闪烁方式的切换,证明了自重构技术的可行性。

    2017年09期 v.17;No.173 15-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 236K]
    [下载次数:101 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:24 ]
  • 采样保持电路中全差分增益提高放大器设计

    钱黎明;魏敬和;

    介绍了一种全差分增益增强CMOS运算放大器的设计和实现。该放大器用于12位20 MHz采样频率的流水线模/数转换器(A/D)的采样保持电路。为了实现大的输入共模范围,采用折叠式共源共栅放大器。主放大器采用开关电容共模反馈电路,辅助放大器则采用简单的连续时间共模反馈电路。该放大器采用CMOS 0.5μm工艺,电源电压为3.3 V。Cadence Spectre仿真结果显示,在负载为6 p F的情况下,其增益为99 d B,单位增益带宽为318 MHz,相位裕度为53°。

    2017年09期 v.17;No.173 19-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 333K]
    [下载次数:123 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:29 ]
  • 基于NoC的网络接口设计

    王胜;屈凌翔;

    与总线架构相比,片上网络具有支持并行通信、良好的可扩展性、规则的结构、可重用性等优点。网络接口是片上网络中处理器核与路由节点之间的接口,网络接口的数据转化和传输效率影响整个片上网络的工作效率。研究的NoC系统采用3×3二维mesh的结构,DSP核采用AMBA总线结构,路由节点采用包交换方式,为了实现二者之间的数据转换与交换,设计了网络接口。为了提升传输效率,网络接口设计支持数据批传输,批传输不需DSP核参与,节省处理器资源。在完成网络接口的RTL设计后,进行了仿真验证,保证了网络接口的功能正确性。

    2017年09期 v.17;No.173 23-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 330K]
    [下载次数:46 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:2 ] |[阅读次数:25 ]
  • 一种减小数字时钟延时单元温漂的方法

    涂波;赵晓静;谢长生;

    介绍了一种减小数字时钟延时单元温漂的方法,利用一个具有正温度系数的带隙基准电压源Bandgap,产生参考电压V_(REF);电压缓冲器LDO接收参考电压V_(REF)并作用于延迟链;延迟链由延迟单元TAP串联而成,用来产生时钟的相位延迟。通过调整Bandgap的正温度系数,使LDO的输出电压随温度升高而升高,升高的电压会使延迟单元TAP的延时减小,从而抵消延迟单元TAP由于温度升高而增大的延时。

    2017年09期 v.17;No.173 28-31+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 343K]
    [下载次数:16 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:23 ]
  • BSIM射频模型综述

    李艳艳;王青松;徐大为;

    CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术要求模型研究人员持续改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型。美国Berkeley加州大学的BSIM团队对业界标准芯片仿真物理模型BSIM进行了不断的改进与开发。主要介绍BSIM系列模型在RF应用方面的改进。相对于BSIM3v3,BSIM4添加了更多真实器件效应,BSIM5和BSIM6是为了满足射频(RF)和高速CMOS电路模拟要求而发展的新一代物理基础的BSIM模型,具有对称、连续和参数少的特点。BSIM6可用于低压低功耗的RF和模拟设计。

    2017年09期 v.17;No.173 32-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 208K]
    [下载次数:65 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:21 ]

微电子制造与可靠性

  • 基于铜氧化物的电阻存储器工艺优化

    宋立军;

    针对铜氧化物电阻存储器,通过优化硅化、氧化以及上电极制备等工艺得到具有良好性能的存储单元。通过选取合适的机台,形成了厚度符合需求的均匀铜氧化层。在氧化之前进行硅化处理,很好地解决了氧化层空洞的问题,提高了存储器可靠性。在铜氧化过程中调节氧气比例,增加氧化后高温退火工艺,提高铜氧化物薄膜中氧空位的比例,从而提高了电阻转换特性。发现钛与氮化钛复合上电极中钛的比例对存储特性影响很大,当钛与氮化钛的比例较小时高低阻态最稳定,电阻转换特性更好。

    2017年09期 v.17;No.173 37-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 314K]
    [下载次数:26 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:28 ]
  • 反应离子刻蚀硅槽工艺研究

    赵金茹;蒋大伟;陈杰;

    在CMOS多晶硅刻蚀工艺的基础上进行工艺开发,采用氯气和溴化氢气体进行硅槽刻蚀。通过对功率、压力、气体流量等工艺参数拉偏,用扫描电子显微镜观察硅槽侧壁形貌,分析各参数在反应离子刻蚀中所起到的作用,得到对硅槽形貌影响较大的因素,最终得到一种能够与CMOS工艺兼容的硅槽刻蚀方法。该方法能够制作出深度6μm、深宽比4∶1、侧壁光滑的硅槽,可以用于光电继电器、硅电容等新型器件的研发。

    2017年09期 v.17;No.173 41-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 148K]
    [下载次数:250 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:32 ]
  • 改变铝溅射材料解决电视机场功放电路中点电位漂移

    邱静君;宿田;

    集成电路芯片对器件参数的均匀性、稳定性要求很高。集成电路制造过程中由工艺异常引起的器件参数不均匀,直接影响着芯片性能和圆片良率。引起器件参数不均匀的原因千变万化,结合产品分析解决问题、保证芯片性能和工艺正常,是设计和产品工程师经常面对的问题。通过一个产品实例,从失效现象、原因分析、实验室分析佐证、设计改进方案到试验结果,介绍了通过改变铝溅射材料减小基区孔接触电阻、改善接触电阻均匀性,解决电视机场功放电路由于工艺问题导致的基区孔接触电阻不均匀、引起中点电位漂移的方法。

    2017年09期 v.17;No.173 44-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 302K]
    [下载次数:3 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:17 ]
  • 下载本期数据