- 饶喜冰;李良;代高峰;
基于常用的RC振荡器电路结构,设计了一种可调节的高精度振荡电路,通过对基准电流的镜像倍数配置,实现对充电电流大小的调节,从而实现对频率的高精度控制。通过仿真,所设计的这种高精度振荡电路实现了输出中心频率1.7 MHz、最小可调节精度1 k Hz的预期。结果证明该设计实现了对振荡电路的高精度控制。
2019年03期 v.19;No.191 14-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 1863K] [下载次数：60 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 程淩;白丽君;李娟;
当两个拥有不同电势的物体接触时,电势差会导致电荷流动,从而产生放电,这种现象称为静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)。ESD所产生的瞬间高电压和大电流,会烧毁击穿半导体中的器件,最终导致整个半导体芯片永久性失效。随着硅基CMOS工艺技术的不断进步,由ESD引起的失效问题也随着特征尺寸的变小而日益严重。首先分析了几种常见的静电放电模式以及测试模型,随后基于SMIC公司0.18μm BCD工艺,在传统GGNMOS抗辐照ESD结构基础上进行优化,设计一款GGNMOS+RC Power Clamp抗ESD结构。经流片测试后,证明该款电路抗ESD能力强,且性能稳定。
2019年03期 v.19;No.191 18-20+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 1692K] [下载次数：43 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 刘明峰;程涛;罗明;
随着智能手机的不断更新换代,设备功耗越来越大,充电次数也逐渐增多,传统的充电器和电线使充电受到较大约束,这给无线充电技术的发展提供了契机。介绍了无线充电系统的工作原理及系统的基本结构,并结合项目需求选取了基于Qi协议的无线充电方案并进行研究。最终该系统基于低成本的MCU,实现异物检测(FOD)、Qi协议传输等功能,实现了5 W无线充电的低成本应用。
2019年03期 v.19;No.191 21-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 1661K] [下载次数：198 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 费强;石磊;黄凤鸣;
介绍了一种基于PHP的PDU配置管理系统的设计和实现。该系统通过采用PHP语言设计,结合IPC (进程间通信)原理和UDP通信协议,实现了设备的动态数据监测和远程控制。其主要使用共享内存机制,实现系统WEB端对设备电压、电流、功率等电能参数的采集和监测;同时调用相关API接口将界面相关数据以规定格式传送至设备端,实现配置管理系统对PDU设备的远程控制。此外,配置管理系统还具有对日志的查询、清除和导出功能,运维人员通过配置管理系统能够有效地管理设备和高效地保障设备的安全性和可靠性。
2019年03期 v.19;No.191 26-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 1517K] [下载次数：137 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ]
- 彭龙新;邹雷;王朝旭;林罡;徐波;吴礼群;
为提高GaAs Au/Pt/Ti栅PHEMT MMIC放大器耐氢气的能力,提出了在PHEMT栅上加厚Si N钝化层的方法,并通过高温加速氢气试验验证了该方法的有效性。耗尽型D管的钝化层由150 nm加厚到300 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间由原来的14000×10-6、40 h提升到30000×10-6、110 h (电流还未出现明显下降),耐氢能力得到了明显提升。为了维护管子的微波性能,增强型E管采用多层Si N钝化,总厚度加厚到600 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间可达到20000×10-6、115 h (电流还未出现明显下降),满足实际应用要求。
2019年03期 v.19;No.191 30-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 3126K] [下载次数：20 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：2 ] - 赵双领;张诚;毛臻;杨兵;丁涛杰;
在无线通信系统中,微带贴片天线得到了广泛的应用,但其面临着工作带宽窄的缺陷。基于1×2的微带贴片,通过背馈的方式同时激励可辐射的工作模式TM10模以及反向TM20模,实现拓展工作带宽的效果。所提出的天线与传统的微带贴片天线相比,具有宽频带的优势;与已报道的微带天线宽频带设计技术相比,具有低剖面的效果。为验证理论预期的可实现性,设计了中心频率在6.5 GHz的天线案例。仿真结果表明,该天线的剖面高度为0.6λ0,10-d B匹配带宽为20%,增益为7.4 d Bi,交叉极化小于-25 d B。
2019年03期 v.19;No.191 35-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 1509K] [下载次数：289 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 张猛华;王燕婷;张继;
随着集成电路产业的迅速发展,熔丝电路在IC芯片中的应用越来越广泛。为了提高集成电路制造良率,在集成电路设计中通常会大量使用基于熔丝技术的冗余电路。通过对180 nm工艺多晶硅熔丝熔断特性的探索和研究,给出多种尺寸的多晶硅熔丝电熔断特征参考值,可以满足集成电路设计对编程条件和编程后熔丝阻值的不同需求。集成电路设计者通过选择不同的多晶硅熔丝尺寸种类,实现熔丝外围电压电流发生电路的灵活设计,大幅提高180 nm工艺多晶硅熔丝设计成功率。通过优化熔丝器件结构、编程条件等参数,实现不同应用需求的熔丝量产。
2019年03期 v.19;No.191 38-40+43页 [查看摘要][在线阅读][下载 825K] [下载次数：15 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 张勇;陈强;冯澍畅;张军然;徐永兵;
主要介绍制备微波高频PCB覆铜板时,PTFE树脂中FEP乳液体积浓度对浸渍玻纤布树脂含量的影响,以及对制作的pp(Pre-pregnant)介电常数(Dk)和介电损耗(Df)的影响。试验显示,随着树脂中FEP乳液含量的增加,浸渍玻纤布树脂百分比降低,而Dk和Df值升高,用pp所制作PCB覆铜板的铜箔剥离强度随着FEP乳液含量的升高而增大。
2019年03期 v.19;No.191 41-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 552K] [下载次数：98 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：1 ]