电子与封装

Electronics & Packaging


封装、组装与测试

  • 粘片过程中引线粘污及其处理工艺技术

    李丙旺;李苏苏;李彪;

    在粘片工艺过程中通过分析加工的条件和材料,找出内引线粘污是什么原因造成的。通过理论和实验研究,找出粘片过程中引线粘污最小的工艺条件,其中排风因素会对粘片烘干工艺产生较大影响。分析光清洗与等离子清洗在引线粘污处理工艺中的不同特性,研究清洗工艺技术对引线键合工艺的影响,并通过具体的粘片与键合工艺试验,针对现有粘片胶的特性,得到了清洗引线粘污的最佳工艺条件,验证了有、无清洗和不同清洗工艺对后续键合工艺的影响。

    2019年08期 v.19;No.196 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 182K]
    [下载次数:27 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:1 ]
  • 激光植球工艺参数对焊球剪切强度的影响

    张浩;杨晶;李耀;

    激光植球工艺在实际应用中存在焊球剪切强度低于标准的问题。使用Ф500μm的焊球(Sn63Pb37)进行不同激光参数下的焊接试验,通过测量焊球剪切强度,找到激光高度、激光功率、激光作用时间的优化方向。

    2019年08期 v.19;No.196 5-7+12页 [查看摘要][在线阅读][下载 624K]
    [下载次数:20 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:1 ]
  • 基于轨道交通车辆中SiC混合模块的散热优化设计

    张运杰;许媛;鲍婕;徐文艺;戴薇;

    大功率SiC混合模块向着小型化、轻量化、大功率等要求发展时,随着功率等级不断提高,模块散热功耗增加,其最高温度也随之增加。过高的温度会对模块性能造成严重的影响,降低其可靠性和使用寿命,因此SiC混合模块的散热问题具有重要的研究意义。介绍了SiC混合模块的封装结构,通过两方面改善其散热性能:调整纳米银层的参数进行优化;将高导热石墨烯应用于SiC混合模块中,并通过模拟仿真对比石墨烯应用于芯片不同位置的温度分布情况,从而得出SiC混合模块散热结构的优化设计。

    2019年08期 v.19;No.196 8-12页 [查看摘要][在线阅读][下载 448K]
    [下载次数:41 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:1 ]
  • 一种电解电容等效串联电阻的测量方法

    王金刚;

    电解电容是电子产品中不可或缺的储能与电能变换元器件。在高温、高纹波电流的功率变换应用场合中,相对于其他电子元器件,电解电容的寿命是最短的,影响其寿命的关键参数为等效串联电阻(ESR)。分析了传统ESR测试方法的优缺点,提出了一种工作在脉冲电流下电解电容ESR的测量方法,并通过实验分析证明了其可行性。

    2019年08期 v.19;No.196 13-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 245K]
    [下载次数:34 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:1 ]

电路设计

  • 一种基于伪随机噪声注入的流水线ADC数字校准算法

    包晴晴;彭析竹;符土建;刘小乔;唐鹤;

    流水线ADC中运算放大器在设计过程中为了满足建立速度的要求,往往无法达到较高的信号建立精度,从而导致流水线ADC中的乘法数模转换器(MDAC)出现增益误差。提出一种基于伪随机噪声注入的数字后台校准方法,对MDAC的级间增益进行校准。将该校准算法应用于一款12 bit 250 MS/s的流水线ADC,仿真结果表明,校准后流水线ADC的有效位数(ENOB)可达到11.826 bit,信噪失真比(SNDR)可达72.95 d B,无杂散动态范围(SFDR)可达89.023 d B。

    2019年08期 v.19;No.196 16-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 595K]
    [下载次数:40 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:1 ]
  • 用于高速电荷域ADC的电荷比较器设计

    李蕾蕾;钱宏文;魏敬和;薛颜;陈珍海;

    设计了一种用于电荷域流水线ADC的高速电荷比较器电路,该比较器包括电荷采样电路、共模不敏感开关电容网络和锁存放大器。仿真结果表明,在0.18μm CMOS工艺条件下,该比较器在250 MHz时钟下性能良好,采用该比较器的12位250 MS/s电荷域ADC内的2.5位子级电路功能正确。

    2019年08期 v.19;No.196 21-23+28页 [查看摘要][在线阅读][下载 379K]
    [下载次数:29 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:1 ]
  • 基于抗辐照技术的DDS电路设计与实现

    杨阳;陶建中;万书芹;邱丹;

    直接数字频率合成器(DDS)作为关键器件被广泛应用在航空航天领域中。芯片在广阔的宇宙空间中易受到高能辐射粒子的影响,其中单粒子翻转(SEU)效应是一种十分常见的辐射效应,将导致电路功能异常甚至失效,这就要求DDS芯片能有非常强的抗辐照性能。提出一种基于三模冗余结构并具有自纠错功能的寄存器,将其应用在DDS的电路设计中,并将芯片的数字电路部分插入三模冗余结构,利用冗余结构去除掉故障电路对整个DDS芯片功能的影响,使得DDS芯片的抗辐照能力得到有效提升。

    2019年08期 v.19;No.196 24-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 447K]
    [下载次数:33 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:1 ]
  • 一种S波段薄片型TR组件的设计

    雒寒冰;张红英;杨晶晶;麻仕豪;莫志明;

    介绍了一种S波段薄片型TR组件的设计方案,包括TR组件的功能组成、过渡设计、结构设计。给出了该组件的关键指标测试值,对设计结果进行了验证,实现了TR组件的小型化设计。

    2019年08期 v.19;No.196 29-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 184K]
    [下载次数:17 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:1 ]

微电子制造与可靠性

  • 铟镓砷与金属接触形貌异常分析和改进

    武艳青;赵润;赵永林;宋红伟;于峰涛;

    对P型InGaAs半导体金属接触形貌进行了分析。采用磁控溅射法在P型InGaAs表面制作了不同厚度的金属膜,并在不同温度下进行合金,研究了合金温度和膜层厚度对接触形貌、比接触电阻率的影响。使用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对界面形貌进行了表征,结果表明金属-半导体界面空洞与合金温度有直接关系,在合金温度小于350℃时,界面处不会出现空洞,若合金温度超过此值,空洞逐渐出现,并且空洞数量会随着合金温度的升高而增加。金属膜层间相互扩散和器件的比接触电阻率与Ti层和Pt层的厚度有关。通过优化合金工艺和金属膜层厚度改进了半导体与金属接触形貌,金属间界面清晰无相互扩散,降低了器件比接触电阻率和常态温度下的失效率(FIT)。

    2019年08期 v.19;No.196 31-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 432K]
    [下载次数:26 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:1 ]
  • 0.13μm全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子效应仿真研究

    花正勇;马艺珂;殷亚楠;周昕杰;陈瑶;姚进;周晓彬;

    利用计算机辅助设计Silvaco TCAD仿真工具,研究了0.13μm全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)晶体管单粒子瞬态效应,分析了不同线性能量转移(LET)、单粒子入射位置和工作偏置状态对单粒子瞬态的影响。结果表明,LET值的增加会影响沟道电流宽度,加大单粒子瞬态峰值及脉冲宽度。受入射位置的影响,由于栅极中央收集的电荷最多,FD-SOI器件的栅极中央附近区域单粒子瞬态效应最敏感。单粒子瞬态与器件工作偏置状态有很强的相关性,器件处于不同工作偏置状态下,关态偏置受单粒子效应影响最大,开态偏置具有最小的瞬态电流峰值和脉宽。

    2019年08期 v.19;No.196 36-38+43页 [查看摘要][在线阅读][下载 384K]
    [下载次数:54 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:1 ]
  • 基于248 nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器

    王溯源;章军云;彭龙新;黄念宁;

    报道了一种0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器的材料设计和制作工艺,器件关键层制备使用248 nm扫描光刻机和烘胶工艺方案。利用X波段限幅低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在7~13 GHz频段内,电路增益大于19.5 d B,在7.7 GHz处增益达22.3 d B;噪声系数小于1.98 d B,在7.2 GHz处,最小噪声为1.28 d B;直流功耗为190 m W,展示了良好的器件和电路性能。

    2019年08期 v.19;No.196 39-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 661K]
    [下载次数:42 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:1 ]
  • Nikon光刻机激光步进对准系统研究

    罗涛;

    介绍了Nikon光刻机最常用的对准方式,即激光步进对准(LSA)。从基本的光学系统出发,介绍了LSA在Nikon光刻机中的作用,搜索和增强型全局对准(EGA),详细阐述了LSA的工作原理及其对工艺的影响,最后介绍了LSA对准系统的技术指标和作用。

    2019年08期 v.19;No.196 44-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 286K]
    [下载次数:77 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:1 ]

  • 2019第十七届中国半导体封装测试技术与市场年会

    <正>会议时间:2019年9月8-11日会议地点:无锡市白金汉爵大酒店中国半导体封装测试技术与市场年会,是国内唯一涵盖整个半导体封测行业的最具影响力的专业研讨会。大会已经在天水、广州、连云港、成都、苏州、大连、无锡、深圳、烟台、北京、南京、重庆、西安、南通、江阴和合肥成功举办过十六届。第十七届年会将由中国半导体行业协会主办,由中国半导体行业协会封装分会、无锡市工业和信息化局和中科芯集成电路有限公司共同承办。年会将于201 9年9月8日-11日在江苏省无锡市召开。

    2019年08期 v.19;No.196 3页 [查看摘要][在线阅读][下载 624K]
    [下载次数:62 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:1 ]
  • 《电子与封装》杂志征稿启事

    <正>《电子与封装》杂志是目前国内唯一一本以半导体、集成电路封装技术为主、兼顾半导体器件和IC的设计与制造、产品与应用以及前沿技术、市场信息等的专业技术性刊物,是中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊、中国半导体行业协会封装分会会刊。为促进我国半导体封装测试及相关专业技术水平的提高和生产技术的发展,加强技术交流和信息沟通,特向广大读者和有关专业人员诚征下列内容稿件:

    2019年08期 v.19;No.196 48页 [查看摘要][在线阅读][下载 37K]
    [下载次数:5 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:1 ]
  • 下载本期数据